SCT2120AFC Rohm Semiconductor | Produtos semicondutores discretos

SCT2120AFC
Número de produto da DigiKey	SCT2120AFC-ND
Fabricante	Rohm Semiconductor
Número de produto do fabricante	SCT2120AFC
Descrição	SICFET N-CH 650V 29A TO220AB
Referência do cliente
Descrição detalhada	Canal N 650 V 29A (Tc) 165W (Tc) Furo passante TO-220AB
Ficha técnica	Ficha técnica

Tipo	Descrição	Selecionar tudo
Categoria	Produtos semicondutores discretos Transistores FETs, MOSFETs FET simples, MOSFETs
Fabricante	Rohm Semiconductor
Séries	-
Embalagem	Tubo
Part Status	Obsoleto
Tipo de FET	Canal N
Tecnologia	SiCFET (carboneto de silício)
Tensão dreno-fonte (Vdss)	650 V
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C	29A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)	18V
Rds on (máx.) para Id, Vgs	156mOhm a 10A, 18V
Vgs(th) (máx.) para Id	4V a 3,3mA
Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs	61 nC @ 18 V
Vgs (máx.)	+22V, -6V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds	1200 pF @ 500 V
Característica FET	-
Dissipação de potência (máx.)	165W (Tc)
Temperatura de operação	175°C (TJ)
Grau	-
Qualificação	-
Tipo de montagem	Furo passante
Invólucro do dispositivo fornecido	TO-220AB
Pacote / Invólucro	TO-220-3
Número base de produto	SCT2120

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