Matrizes de FET, MOSFET

Resultados : 5.612
Fabricante
Advanced Linear Devices Inc.Alpha & Omega Semiconductor Inc.Analog Devices Inc./Maxim IntegratedAnalog Power Inc.BruckewellCentral Semiconductor CorpComchip TechnologyDiodes IncorporatedDiotec SemiconductorEMO Inc.EPCFairchild Semiconductor
Séries
-*AlphaDFN™AlphaMOSAlphaSGT™CC, CoolSiC™CAB425M12XM3CoolMOS™CoolSiC™CoolSiC™+DeepGATE™, STripFET™ H6
Embalagem
BandejaCaixaDigi-Reel®Fita cortada (CT)Fita e carretel (TR)GranelTubo
Situação do produto
AtivoDescontinuado na Digi-KeyNão para novos designsObsoletoÚltima compra
Tecnologia
-Carboneto de silício (SiC)GaNFET (nitreto de gálio)MOSFET (óxido metálico)SiCFET (carboneto de silício)
Configuração
2 canais N (buck chopper duplo)2 canais N (duplo)2 canais N (duplo), Schottky2 canais N (em cascode)2 canais N (meia ponte)2 canais N (phase leg)2 canais N assimétricos (duplo)2 canais N com dreno comum (duplo)2 canais N com fonte comum (duplo)2 canais N com pares conjugados (duplo)2 canais N e 2 canais P (ponte completa)2 canais N e 2 canais P
Característica FET
-Carboneto de silício (SiC)Modo de DepleçãoPorta de nível lógicoPorta de nível lógico, acionamento de 0,9VPorta de nível lógico, acionamento de 1,2VPorta de nível lógico, acionamento de 1,5VPorta de nível lógico, acionamento de 1,8VPorta de nível lógico, acionamento de 10VPorta de nível lógico, acionamento de 2,5VPorta de nível lógico, acionamento de 4,5VPorta de nível lógico, acionamento de 4VPorta de nível lógico, acionamento de 5V
Tensão dreno-fonte (Vdss)
5,5V8V10V10,6V12V12V, 20V14V15V16V20V20V, 12V20V, 8V
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C
12mA, 3mA40mA40mA, 16mA50mA (Ta)80mA100mA (Ta)100mA100mA, 200mA100mA, 5,5A115mA (Ta)115mA (Ta), 130mA (Ta)115mA (Tc)
Rds on (máx.) para Id, Vgs
0,46mOhm a 160A, 12V0,762mOhm a 160A, 12V0.765mOhm @ 160A, 12V, 0.580mOhm @ 160A, 12V0.765mOhm @ 160A, 12V, 0.710mOhm @ 160A, 12V0,8mOhm a 1200A, 10V0,88mOhm a 160A, 14V, 0,71mOhm a 160A, 14V0.88mOhm @ 50A, 10V0,95mOhm a 30A, 10V0,95mOhm a 8A, 4,5V0,99mOhm a 80A, 10V, 1,35mOhm a 80A, 10V1,039mOhm a 160A, 12V, 762µOhm a 160A, 12V1,2mOhm a 800A, 10V
Vgs(th) (máx.) para Id
10mV a 10µA10mV a 1µA10mV a 20µA20mV a 10µA20mV a 1µA20mV a 20µA180mV a 1µA200mV a 2,8A, 200mV a 1,9A220mV a 1µA360mV a 1µA380mV a 1µA400mV a 250µA (mín.)
Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs
0,4pC a 4,5V, 7,3nC a 4,5V0,45pC a 4,5V0,16nC a 5V, 0,044nC a 5V0,22nC a 5V, 0,044nC a 5V0,26nC a 2,5V0,28nC a 4,5V0,28nC a 4,5V, 0,3nC a 4,5V0,3nC a 4,5V0,3nC a 4,5V, 0,28nC a 4,5V0,304nC a 4,5V0,31nC a 4,5V0,32nC a 4,5V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds
2,5pF a 5V3pF a 5V5pF a 3V6pF a 3V6,2pF a 10V6,6pF a 10V7pF a 10V7pF a 3V7,1pF a 10V7,4pF a 10V7,5pF a 10V8,5pF a 3V
Potência - Máx.
490µW500µW (Ta)10mW20mW120mW125mW (Ta)125mW140mW150mW (Ta)150mW180mW200mW (Ta)
Temperatura de operação
-65°C a 150°C (TJ)-55°C a 125°C-55°C a 150°C (TA)-55°C a 150°C (TJ)-55°C a 150°C (Tc)-55°C a 150°C-55°C a 155°C (TJ)-55°C a 175°C (TA)-55°C a 175°C (TJ)-55°C a 175°C-50°C a 150°C (TJ)-40°C a 125°C (TA)
Grau
-AutomotivoMilitar
Qualificação
-AEC-Q100AEC-Q101MIL-PRF-19500/597MIL-PRF-19500/599
Tipo de montagem
-Furo passanteMontagem em chassisMontagem em superfícieMontagem em superfície, flanco impregnável
Pacote / Invólucro
4-SMD, sem condutores4-UFBGA, WLBGA4-UFBGA, WLCSP4-UFLGA4-VDFN4-VFDFN com pad exposto4-XBGA, 4-FCBGA4-XDFN4-XFBGA4-XFBGA, DSBGA4-XFBGA, FCBGA4-XFBGA, WLBGA
Invólucro do dispositivo fornecido
4-AlphaDFN (0,97x0,97)4-AlphaDFN (1,2x1,2)4-AlphaDFN (1,9x1,3)4-BGA (1x1)4-CSP (0,8x0,8)4-CSP (1,11x1,11)4-CSP (1,1x1,1)4-CSP (1,29x1,29)4-CSP (1,74x1,74)4-Chip LGA (1,59x1,59)4-DFN (1,5 x 1,5)4-DFN (1,7 x 1,7)
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QUANTIDADE DISPONÍVEL
Preço
Séries
Embalagem
Situação do produto
Tecnologia
Configuração
Característica FET
Tensão dreno-fonte (Vdss)
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C
Rds on (máx.) para Id, Vgs
Vgs(th) (máx.) para Id
Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds
Potência - Máx.
Temperatura de operação
Grau
Qualificação
Tipo de montagem
Pacote / Invólucro
Invólucro do dispositivo fornecido
UMT6
UM6K34NTCN
MOSFET 2N-CH 50V 0.2A UMT6
Rohm Semiconductor
379.431
Em estoque
1 : $ 0,26000
Fita cortada (CT)
3.000 : $ 0,05846
Fita e carretel (TR)
-
Fita e carretel (TR)
Fita cortada (CT)
Digi-Reel®
AtivoMOSFET (óxido metálico)2 canais N (duplo)Porta de nível lógico, acionamento de 0,9V50V200mA2,2Ohm a 200mA, 4,5V800mV a 1mA-26pF a 10V120mW150°C (TJ)--Montagem em superfície6-TSSOP, SC-88, SOT-363UMT6
SOT 363
2N7002DW-7-F
MOSFET 2N-CH 60V 0.23A SOT363
Diodes Incorporated
176.486
Em estoque
1 : $ 0,34000
Fita cortada (CT)
3.000 : $ 0,06156
Fita e carretel (TR)
-
Fita e carretel (TR)
Fita cortada (CT)
Digi-Reel®
AtivoMOSFET (óxido metálico)2 canais N (duplo)-60V230mA7,5Ohm a 50mA, 5V2V a 250µA-50pF a 25V310mW-55°C a 150°C (TJ)--Montagem em superfície6-TSSOP, SC-88, SOT-363SOT-363
SOT 363
DMC2004DWK-7
MOSFET N/P-CH 20V SOT363
Diodes Incorporated
259.137
Em estoque
135.000
Fábrica
1 : $ 0,35000
Fita cortada (CT)
3.000 : $ 0,10500
Fita e carretel (TR)
-
Fita e carretel (TR)
Fita cortada (CT)
Digi-Reel®
AtivoMOSFET (óxido metálico)Canal N e PPorta de nível lógico20V540mA, 430mA550mOhm a 540mA, 4,5V1V a 250µA-150pF a 16V250mW-65°C a 150°C (TJ)--Montagem em superfície6-TSSOP, SC-88, SOT-363SOT-363
Pkg 5880
SI1034CX-T1-GE3
MOSFET 2N-CH 20V 0.61A SC89
Vishay Siliconix
71.822
Em estoque
1 : $ 0,35000
Fita cortada (CT)
3.000 : $ 0,09484
Fita e carretel (TR)
Fita e carretel (TR)
Fita cortada (CT)
Digi-Reel®
AtivoMOSFET (óxido metálico)2 canais N (duplo)Porta de nível lógico20V610mA (Ta)396mOhm a 500mA, 4,5V1V a 250µA2nC a 8V43pF a 10V220mW-55°C a 150°C (TJ)--Montagem em superfícieSOT-563, SOT-666SC-89 (SOT-563F)
SOT-363
NTJD4001NT1G
MOSFET 2N-CH 30V 0.25A SC88
onsemi
59.844
Em estoque
1 : $ 0,36000
Fita cortada (CT)
3.000 : $ 0,09642
Fita e carretel (TR)
-
Fita e carretel (TR)
Fita cortada (CT)
Digi-Reel®
AtivoMOSFET (óxido metálico)2 canais N (duplo)-30V250mA1,5Ohm a 10mA, 4V1,5V a 100µA1,3nC a 5V33pF a 5V272mW-55°C a 150°C (TJ)--Montagem em superfície6-TSSOP, SC-88, SOT-363SC-88/SC70-6/SOT-363
SOT363
2N7002PS,115
MOSFET 2N-CH 60V 0.32A 6TSSOP
Nexperia USA Inc.
28.569
Em estoque
1 : $ 0,36000
Fita cortada (CT)
3.000 : $ 0,06453
Fita e carretel (TR)
-
Fita e carretel (TR)
Fita cortada (CT)
Digi-Reel®
Não para novos designsMOSFET (óxido metálico)2 canais N (duplo)Porta de nível lógico60V320mA1,6Ohm a 500mA, 10V2,4V a 250µA0,8nC a 4,5V50pF a 10V420mW150°C (TJ)AutomotivoAEC-Q100Montagem em superfície6-TSSOP, SC-88, SOT-3636-TSSOP
360.100
Em estoque
1 : $ 0,37000
Fita cortada (CT)
3.000 : $ 0,06645
Fita e carretel (TR)
-
Fita e carretel (TR)
Fita cortada (CT)
Digi-Reel®
AtivoMOSFET (óxido metálico)2 canais N (duplo)Porta de nível lógico, acionamento de 1,5V20V250mA (Ta)2,2Ohm a 100mA, 4,5V1V a 1mA-12pF a 10V300mW150°C--Montagem em superfície6-TSSOP, SC-88, SOT-363US6
8 SO
DMP3085LSD-13
MOSFET 2P-CH 30V 3.9A 8SO
Diodes Incorporated
251.507
Em estoque
25.000
Fábrica
1 : $ 0,37000
Fita cortada (CT)
2.500 : $ 0,09958
Fita e carretel (TR)
-
Fita e carretel (TR)
Fita cortada (CT)
Digi-Reel®
AtivoMOSFET (óxido metálico)2 canais P (duplo)Porta de nível lógico30V3,9A70mOhm a 5,3A, 10V3V a 250µA11nC a 10V563pF a 25V1,1W-55°C a 150°C (TJ)--Montagem em superfície8-SOIC (largura 0,154", 3,90mm)8-SO
EMT6_EMT6 PKg
EM6K34T2CR
MOSFET 2N-CH 50V 0.2A EMT6
Rohm Semiconductor
100.212
Em estoque
1 : $ 0,38000
Fita cortada (CT)
8.000 : $ 0,08131
Fita e carretel (TR)
-
Fita e carretel (TR)
Fita cortada (CT)
Digi-Reel®
AtivoMOSFET (óxido metálico)2 canais N (duplo)Porta de nível lógico, acionamento de 0,9V50V200mA2,2Ohm a 200mA, 4,5V800mV a 1mA-26pF a 10V120mW150°C (TJ)--Montagem em superfícieSOT-563, SOT-666EMT6
TSOT-26
DMG6601LVT-7
MOSFET N/P-CH 30V 3.8A TSOT26
Diodes Incorporated
56.537
Em estoque
1 : $ 0,39000
Fita cortada (CT)
3.000 : $ 0,08551
Fita e carretel (TR)
-
Fita e carretel (TR)
Fita cortada (CT)
Digi-Reel®
AtivoMOSFET (óxido metálico)Canal N e PPorta de nível lógico30V3,8A, 2,5A55mOhm a 3,4A, 10V1,5V a 250µA12,3nC a 10V422pF a 15V850mW-55°C a 150°C (TJ)--Montagem em superfícieSOT-23-6 fino, TSOT-23-6TSOT-26
SOT-563-6_463A
NTZD3155CT1G
MOSFET N/P-CH 20V SOT563
onsemi
30.159
Em estoque
1 : $ 0,39000
Fita cortada (CT)
4.000 : $ 0,10559
Fita e carretel (TR)
-
Fita e carretel (TR)
Fita cortada (CT)
Digi-Reel®
AtivoMOSFET (óxido metálico)Canal N e PPorta de nível lógico20V540mA, 430mA550mOhm a 540mA, 4,5V1V a 250µA2,5nC a 4,5V150pF a 16V250mW-55°C a 150°C (TJ)--Montagem em superfícieSOT-563, SOT-666SOT-563
SOT 563
DMC2400UV-7
MOSFET N/P-CH 20V SOT563
Diodes Incorporated
170.729
Em estoque
2.706.000
Fábrica
1 : $ 0,40000
Fita cortada (CT)
3.000 : $ 0,07192
Fita e carretel (TR)
-
Fita e carretel (TR)
Fita cortada (CT)
Digi-Reel®
AtivoMOSFET (óxido metálico)Canal N e PPorta de nível lógico20V1,03A, 700mA480mOhm a 200mA, 5V900mV a 250µA0,5nC a 4,5V37,1pF a 10V450mW-55°C a 150°C (TJ)--Montagem em superfícieSOT-563, SOT-666SOT-563
SOT 563
2N7002VC-7
MOSFET 2N-CH 60V 0.28A SOT563
Diodes Incorporated
65.925
Em estoque
342.000
Fábrica
1 : $ 0,40000
Fita cortada (CT)
3.000 : $ 0,10796
Fita e carretel (TR)
-
Fita e carretel (TR)
Fita cortada (CT)
Digi-Reel®
AtivoMOSFET (óxido metálico)2 canais N (duplo)-60V280mA7,5Ohm a 50mA, 5V2,5V a 250µA-50pF a 25V150mW-55°C a 150°C (TJ)--Montagem em superfícieSOT-563, SOT-666SOT-563
MCM2301-TP
MCM3400A-TP
MOSFET 2N-CH 30V 5A 6DFN
Micro Commercial Co
51.992
Em estoque
1 : $ 0,40000
Fita cortada (CT)
3.000 : $ 0,10780
Fita e carretel (TR)
-
Fita e carretel (TR)
Fita cortada (CT)
Digi-Reel®
AtivoMOSFET (óxido metálico)2 canais N-30V5A32mOhm a 5,8A, 10V1,5V a 250µA-1155pF a 15V1,4W-55°C a 150°C (TJ)--Montagem em superfície6-VDFN com pad expostoDFN2020-6L
SC-70-6
SI1926DL-T1-E3
MOSFET 2N-CH 60V 0.37A SC70-6
Vishay Siliconix
29.681
Em estoque
1 : $ 0,40000
Fita cortada (CT)
3.000 : $ 0,13408
Fita e carretel (TR)
Fita e carretel (TR)
Fita cortada (CT)
Digi-Reel®
AtivoMOSFET (óxido metálico)2 canais N (duplo)Porta de nível lógico60V370mA1,4Ohm a 340mA, 10V2,5V a 250µA1,4nC a 10V18,5pF a 30V510mW-55°C a 150°C (TJ)--Montagem em superfície6-TSSOP, SC-88, SOT-363SC-70-6
U-DFN2020-6
DMN3032LFDB-7
MOSFET 2N-CH 30V 6.2A 6UDFN
Diodes Incorporated
25.936
Em estoque
1 : $ 0,40000
Fita cortada (CT)
3.000 : $ 0,13616
Fita e carretel (TR)
-
Fita e carretel (TR)
Fita cortada (CT)
Digi-Reel®
AtivoMOSFET (óxido metálico)2 canais N (duplo)-30V6,2A30mOhm a 5,8A, 10V2V a 250µA10,6nC a 10V500pF a 15V1W-55°C a 150°C (TJ)--Montagem em superfície6-UDFN com pad expostoU-DFN2020-6 (tipo B)
448; PPG-SOT363-PO; ; 6
2N7002DWH6327XTSA1
MOSFET 2N-CH 60V 0.3A SOT363
Infineon Technologies
104.879
Em estoque
1 : $ 0,41000
Fita cortada (CT)
3.000 : $ 0,07387
Fita e carretel (TR)
Fita e carretel (TR)
Fita cortada (CT)
Digi-Reel®
AtivoMOSFET (óxido metálico)2 canais N (duplo)Porta de nível lógico60V300mA3Ohm a 500mA, 10V2,5V a 250µA0,6nC a 10V20pF a 25V500mW-55°C a 150°C (TJ)--Montagem em superfície6-VSSOP, SC-88, SOT-363PG-SOT363-PO
68.917
Em estoque
1 : $ 0,41000
Fita cortada (CT)
4.000 : $ 0,07427
Fita e carretel (TR)
-
Fita e carretel (TR)
Fita cortada (CT)
Digi-Reel®
AtivoMOSFET (óxido metálico)2 canais N (duplo)Porta de nível lógico30V100mA4Ohm a 10mA, 4V1,5V a 100µA-8,5pF a 3V150mW150°C (TJ)--Montagem em superfícieSOT-563, SOT-666ES6
SOT363
BSS84AKS,115
MOSFET 2P-CH 50V 0.16A 6TSSOP
Nexperia USA Inc.
65.887
Em estoque
1 : $ 0,41000
Fita cortada (CT)
3.000 : $ 0,07319
Fita e carretel (TR)
Fita e carretel (TR)
Fita cortada (CT)
Digi-Reel®
AtivoMOSFET (óxido metálico)2 canais P (duplo)Porta de nível lógico50V160mA7,5Ohm a 100mA, 10V2,1V a 250µA0,35nC a 5V36pF a 25V445mW-55°C a 150°C (TJ)AutomotivoAEC-Q101Montagem em superfície6-TSSOP, SC-88, SOT-3636-TSSOP
SOT 363
SI1539CDL-T1-GE3
MOSFET N/P-CH 30V 0.7A SC70-6
Vishay Siliconix
1.894
Em estoque
1 : $ 0,41000
Fita cortada (CT)
3.000 : $ 0,11065
Fita e carretel (TR)
Fita e carretel (TR)
Fita cortada (CT)
Digi-Reel®
AtivoMOSFET (óxido metálico)Canal N e PPorta de nível lógico30V700mA, 500mA388mOhm a 600mA, 10V2,5V a 250µA1,5nC a 10V28pF a 15V340mW-55°C a 150°C (TJ)--Montagem em superfície6-TSSOP, SC-88, SOT-363SC-70-6
SOT363
BSS138PS,115
MOSFET 2N-CH 60V 0.32A 6TSSOP
Nexperia USA Inc.
348.978
Em estoque
1 : $ 0,42000
Fita cortada (CT)
3.000 : $ 0,07507
Fita e carretel (TR)
Fita e carretel (TR)
Fita cortada (CT)
Digi-Reel®
AtivoMOSFET (óxido metálico)2 canais N (duplo)Porta de nível lógico60V320mA1,6Ohm a 300mA, 10V1,5V a 250µA0,8nC a 4,5V50pF a 10V420mW150°C (TJ)AutomotivoAEC-Q101Montagem em superfície6-TSSOP, SC-88, SOT-3636-TSSOP
SOT363
2N7002BKS,115
MOSFET 2N-CH 60V 0.3A 6TSSOP
Nexperia USA Inc.
257.410
Em estoque
1 : $ 0,42000
Fita cortada (CT)
3.000 : $ 0,07632
Fita e carretel (TR)
Fita e carretel (TR)
Fita cortada (CT)
Digi-Reel®
AtivoMOSFET (óxido metálico)2 canais N (duplo)Porta de nível lógico60V300mA (Ta)1,6Ohm a 500mA, 10V2,1V a 250µA0,6nC a 4,5V50pF a 10V295mW150°C (TJ)AutomotivoAEC-Q101Montagem em superfície6-TSSOP, SC-88, SOT-3636-TSSOP
8-SOIC
AO4629
MOSFET N/P-CH 30V 6A/5.5A 8SOIC
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
173.220
Em estoque
1 : $ 0,42000
Fita cortada (CT)
3.000 : $ 0,14302
Fita e carretel (TR)
-
Fita e carretel (TR)
Fita cortada (CT)
Digi-Reel®
AtivoMOSFET (óxido metálico)Canal N e P, Dreno ComumPorta de nível lógico30V6A, 5,5A30mOhm a 6A, 10V2,4V a 250µA6,3nC a 10V310pF a 15V2W-55°C a 150°C (TJ)--Montagem em superfície8-SOIC (largura 0,154", 3,90mm)8-SOIC
SG6858TZ
NDC7002N
MOSFET 2N-CH 50V 0.51A SSOT6
onsemi
107.980
Em estoque
1 : $ 0,42000
Fita cortada (CT)
3.000 : $ 0,14063
Fita e carretel (TR)
-
Fita e carretel (TR)
Fita cortada (CT)
Digi-Reel®
AtivoMOSFET (óxido metálico)2 canais N (duplo)Porta de nível lógico50V510mA2Ohm a 510mA, 10V2,5V a 250µA1nC a 10V20pF a 25V700mW-55°C a 150°C (TJ)--Montagem em superfícieSOT-23-6 fino, TSOT-23-6SuperSOT™-6
SOT363
PMGD290XN,115
MOSFET 2N-CH 20V 0.86A 6TSSOP
Nexperia USA Inc.
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Não para novos designsMOSFET (óxido metálico)2 canais N (duplo)Porta de nível lógico20V860mA350mOhm a 200mA, 4,5V1,5V a 250µA0,72nC a 4,5V34pF a 20V410mW-55°C a 150°C (TJ)--Montagem em superfície6-TSSOP, SC-88, SOT-3636-TSSOP
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Matrizes de FET, MOSFET


Os transistores de efeito de campo (FET) são dispositivos eletrônicos que usam um campo elétrico para controlar o fluxo de corrente. A aplicação de uma tensão ao terminal de porta altera a condutividade entre os terminais de dreno e fonte. Os FETs são também conhecidos como transistores unipolares, pois envolvem uma operação com único tipo de portador. Ou seja, os FETs usam elétrons ou lacunas como portadores de carga durante a operação, mas não os dois. Em geral, os transistores de efeito de campo exibem uma impedância muito alta de entrada a baixas frequências.