Matrizes de FET, MOSFET

Resultados : 5.784
Fabricante
Advanced Linear Devices Inc.Alpha & Omega Semiconductor Inc.Analog Devices Inc./Maxim IntegratedAnalog Power Inc.BruckewellCentral Semiconductor CorpComchip TechnologyDiodes IncorporatedDiotec SemiconductorEMO Inc.EPCFairchild Semiconductor
Séries
-*AlphaDFN™AlphaMOSAlphaSGT™CC, CoolSiC™CAB425M12XM3CoolMOS™CoolSiC™CoolSiC™+DeepGATE™, STripFET™ H6
Embalagem
BandejaCaixaDigi-Reel®Fita cortada (CT)Fita e carretel (TR)GranelTiraTubo
Situação do produto
AtivoDescontinuado na Digi-KeyNão para novos designsObsoletoÚltima compra
Tecnologia
-Carboneto de silício (SiC)GaNFET (nitreto de gálio)MOSFET (óxido metálico)SiCFET (carboneto de silício)
Configuração
2 canais N2 canais N (buck chopper duplo)2 canais N (duplo)2 canais N (duplo), Schottky2 canais N (em cascode)2 canais N (meia ponte)2 canais N (phase leg)2 canais N assimétricos (duplo)2 canais N com dreno comum (duplo)2 canais N com fonte comum (duplo)2 canais N com pares conjugados (duplo)2 canais N e 2 canais P
Característica FET
-Carboneto de silício (SiC)Modo de DepleçãoPorta de nível lógicoPorta de nível lógico, acionamento de 0,9VPorta de nível lógico, acionamento de 1,2VPorta de nível lógico, acionamento de 1,5VPorta de nível lógico, acionamento de 1,8VPorta de nível lógico, acionamento de 10VPorta de nível lógico, acionamento de 2,5VPorta de nível lógico, acionamento de 4,5VPorta de nível lógico, acionamento de 4VPorta de nível lógico, acionamento de 5V
Tensão dreno-fonte (Vdss)
5,5V8V10V10,6V12V12V, 20V14V15V16V20V20V, 12V20V, 8V
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C
12mA, 3mA40mA40mA, 16mA50mA (Ta)80mA100mA100mA (Ta)100mA, 200mA100mA, 5,5A115mA115mA (Ta)115mA (Ta), 130mA (Ta)
Rds on (máx.) para Id, Vgs
0,46mOhm a 160A, 12V0,762mOhm a 160A, 12V0,765mOhm a 160A, 12V, 0,580mOhm a 160A, 12V0,765mOhm a 160A, 12V, 0,710mOhm a 160A, 12V0,8mOhm a 1200A, 10V0,88mOhm a 160A, 14V, 0,71mOhm a 160A, 14V0,88mOhm a 50A, 10V0,95mOhm a 30A, 10V0,95mOhm a 8A, 4,5V0,99mOhm a 80A, 10V, 1,35mOhm a 80A, 10V1,039mOhm a 160A, 12V, 762µOhm a 160A, 12V1,15mOhm a 100A, 10V
Vgs(th) (máx.) para Id
10mV a 10µA10mV a 1µA10mV a 20µA20mV a 10µA20mV a 1µA20mV a 20µA180mV a 1µA200mV a 2,8A, 200mV a 1,9A220mV a 1µA360mV a 1µA380mV a 1µA400mV a 250µA
Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs
0,4pC a 4,5V, 7,3nC a 4,5V0,45pC a 4,5V50pC a 4,5V0,16nC a 5V, 0,044nC a 5V0,22nC a 5V, 0,044nC a 5V0,26nC a 2,5V0,28nC a 4,5V0,28nC a 4,5V, 0,3nC a 4,5V0,3nC a 4,5V0,3nC a 4,5V, 0,28nC a 4,5V0,304nC a 4,5V0,31nC a 4,5V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds
2,5pF a 5V3pF a 5V5pF a 3V6pF a 3V6,2pF a 10V6,6pF a 10V7pF a 10V7pF a 3V7,1pF a 10V7,4pF a 10V7,5pF a 10V8,5pF a 3V
Potência - Máx.
490µW500µW (Ta)10mW20mW120mW125mW125mW (Ta)140mW150mW150mW (Ta)180mW200mW
Temperatura de operação
-65°C a 150°C (TJ)-55°C a 125°C-55°C a 150°C-55°C a 150°C (TA)-55°C a 150°C (Tc)-55°C a 150°C (TJ)-55°C a 155°C (TJ)-55°C a 175°C-55°C a 175°C (TA)-55°C a 175°C (TJ)-50°C a 150°C (TJ)-40°C a 125°C
Grau
-AutomotivoMilitar
Qualificação
-AEC-Q100AEC-Q101MIL-PRF-19500/597MIL-PRF-19500/599
Tipo de montagem
-Furo passanteMontagem em chassisMontagem em superfícieMontagem em superfície, flanco impregnável
Pacote / Invólucro
4-SMD, sem condutores4-UFBGA, WLBGA4-UFBGA, WLCSP4-UFLGA4-VDFN4-VFDFN pad exposto4-XBGA, 4-FCBGA4-XDFN4-XFBGA4-XFBGA, DSBGA4-XFBGA, FCBGA4-XFBGA, WLBGA
Invólucro do dispositivo fornecido
4-AlphaDFN (0,97x0,97)4-AlphaDFN (1,2x1,2)4-AlphaDFN (1,9x1,3)4-BGA (1x1)4-Chip LGA (1,59x1,59)4-CSP (0,8x0,8)4-CSP (1,11x1,11)4-CSP (1,1x1,1)4-CSP (1,29x1,29)4-CSP (1,74x1,74)4-DFN (1,5 x 1,5)4-DFN (1,7 x 1,7)
Opções de estoque
Opções ambientais
Mídia
PRODUTO DO MERCADO
5.784Resultados
Mostrando
de 5.784
N.º de peça do fabricante
QUANTIDADE DISPONÍVEL
Preço
Séries
Embalagem
Situação do produto
Tecnologia
Configuração
Característica FET
Tensão dreno-fonte (Vdss)
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C
Rds on (máx.) para Id, Vgs
Vgs(th) (máx.) para Id
Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds
Potência - Máx.
Temperatura de operação
Grau
Qualificação
Tipo de montagem
Pacote / Invólucro
Invólucro do dispositivo fornecido
257.473
Em estoque
1 : $ 0,20000
Fita cortada (CT)
3.000 : $ 0,04100
Fita e carretel (TR)
-
Fita e carretel (TR)
Fita cortada (CT)
Digi-Reel®
Ativo
MOSFET (óxido metálico)
2 canais N (duplo)
-
60V
300mA
1,5Ohm a 100mA, 10V
2,1V a 250µA
0,6nC a 4,5V
40pF a 10V
285mW
150°C (TJ)
-
-
Montagem em superfície
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
US6
SOT 363
2N7002DW-7-F
MOSFET 2N-CH 60V 0.23A SOT363
Diodes Incorporated
85.567
Em estoque
1 : $ 0,30000
Fita cortada (CT)
3.000 : $ 0,06354
Fita e carretel (TR)
-
Fita e carretel (TR)
Fita cortada (CT)
Digi-Reel®
Ativo
MOSFET (óxido metálico)
2 canais N (duplo)
-
60V
230mA
7,5Ohm a 50mA, 5V
2V a 250µA
-
50pF a 25V
310mW
-55°C a 150°C (TJ)
-
-
Montagem em superfície
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
SOT-363
PMBT2222AYS-QX
2N7002PS,115
MOSFET 2N-CH 60V 0.32A 6TSSOP
Nexperia USA Inc.
9.896
Em estoque
1 : $ 0,30000
Fita cortada (CT)
3.000 : $ 0,06276
Fita e carretel (TR)
-
Fita e carretel (TR)
Fita cortada (CT)
Digi-Reel®
Não para novos designs
MOSFET (óxido metálico)
2 canais N (duplo)
Porta de nível lógico
60V
320mA
1,6Ohm a 500mA, 10V
2,4V a 250µA
0,8nC a 4,5V
50pF a 10V
420mW
150°C (TJ)
Automotivo
AEC-Q100
Montagem em superfície
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
6-TSSOP
64.887
Em estoque
1 : $ 0,31000
Fita cortada (CT)
4.000 : $ 0,06307
Fita e carretel (TR)
-
Fita e carretel (TR)
Fita cortada (CT)
Digi-Reel®
Ativo
MOSFET (óxido metálico)
Canal N e P
Porta de nível lógico, acionamento de 1,5V
20V
800mA (Ta)
235mOhm a 800mA, 4,5V, 390mOhm a 800mA, 4,5V
1V a 1mA
1nC a 10V
55pF a 10V, 100pF a 10V
150mW (Ta)
150°C
-
-
Montagem em superfície
SOT-563, SOT-666
ES6
147.421
Em estoque
1 : $ 0,32000
Fita cortada (CT)
3.000 : $ 0,06749
Fita e carretel (TR)
-
Fita e carretel (TR)
Fita cortada (CT)
Digi-Reel®
Ativo
MOSFET (óxido metálico)
2 canais N (duplo)
Porta de nível lógico, acionamento de 1,5V
20V
250mA (Ta)
2,2Ohm a 100mA, 4,5V
1V a 1mA
-
12pF a 10V
300mW
150°C
-
-
Montagem em superfície
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
US6
PG-SOT363-PO
2N7002DWH6327XTSA1
MOSFET 2N-CH 60V 0.3A SOT363
Infineon Technologies
3.669
Em estoque
1 : $ 0,34000
Fita cortada (CT)
3.000 : $ 0,07264
Fita e carretel (TR)
Fita e carretel (TR)
Fita cortada (CT)
Digi-Reel®
Ativo
MOSFET (óxido metálico)
2 canais N (duplo)
Porta de nível lógico
60V
300mA
3Ohm a 500mA, 10V
2,5V a 250µA
0,6nC a 10V
20pF a 25V
500mW
-55°C a 150°C (TJ)
-
-
Montagem em superfície
6-VSSOP, SC-88, SOT-363
PG-SOT363-PO
139.403
Em estoque
1 : $ 0,35000
Fita cortada (CT)
4.000 : $ 0,07059
Fita e carretel (TR)
-
Fita e carretel (TR)
Fita cortada (CT)
Digi-Reel®
Ativo
MOSFET (óxido metálico)
2 canais N (duplo)
Porta de nível lógico
30V
100mA
4Ohm a 10mA, 4V
1,5V a 100µA
-
8,5pF a 3V
150mW
150°C (TJ)
-
-
Montagem em superfície
SOT-563, SOT-666
ES6
PMBT2222AYS-QX
2N7002BKS,115
MOSFET 2N-CH 60V 0.3A 6TSSOP
Nexperia USA Inc.
211.663
Em estoque
1 : $ 0,36000
Fita cortada (CT)
3.000 : $ 0,07766
Fita e carretel (TR)
Fita e carretel (TR)
Fita cortada (CT)
Digi-Reel®
Ativo
MOSFET (óxido metálico)
2 canais N (duplo)
Porta de nível lógico
60V
300mA (Ta)
1,6Ohm a 500mA, 10V
2,1V a 250µA
0,6nC a 4,5V
50pF a 10V
295mW
150°C (TJ)
Automotivo
AEC-Q101
Montagem em superfície
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
6-TSSOP
SOT 363
DMG1016UDW-7
MOSFET N/P-CH 20V SOT363
Diodes Incorporated
30.271
Em estoque
912.000
Fábrica
1 : $ 0,37000
Fita cortada (CT)
3.000 : $ 0,07983
Fita e carretel (TR)
-
Fita e carretel (TR)
Fita cortada (CT)
Digi-Reel®
Ativo
MOSFET (óxido metálico)
Canal N e P
Porta de nível lógico
20V
1,07A, 845mA
450mOhm a 600mA, 4,5V
1V a 250µA
0,74nC a 4,5V
60,67pF a 10V
330mW
-55°C a 150°C (TJ)
-
-
Montagem em superfície
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
SOT-363
UMT6
UM6K33NTN
MOSFET 2N-CH 50V 0.2A UMT6
Rohm Semiconductor
734.408
Em estoque
1 : $ 0,40000
Fita cortada (CT)
3.000 : $ 0,06956
Fita e carretel (TR)
-
Fita e carretel (TR)
Fita cortada (CT)
Digi-Reel®
Ativo
MOSFET (óxido metálico)
2 canais N (duplo)
Porta de nível lógico, acionamento de 1,2V
50V
200mA
2,2Ohm a 200mA, 4,5V
1V a 1mA
-
25pF a 10V
120mW
150°C (TJ)
-
-
Montagem em superfície
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
UMT6
TSOT-26
DMG6602SVT-7
MOSFET N/P-CH 30V 3.4A TSOT26
Diodes Incorporated
96.863
Em estoque
2.832.000
Fábrica
1 : $ 0,40000
Fita cortada (CT)
3.000 : $ 0,08673
Fita e carretel (TR)
-
Fita e carretel (TR)
Fita cortada (CT)
Digi-Reel®
Não para novos designs
MOSFET (óxido metálico)
Canal N e P
Porta de nível lógico, acionamento de 4,5V
30V
3,4A, 2,8A
60mOhm a 3,1A, 10V
2,3V a 250µA
13nC a 10V
400pF a 15V
840mW
-55°C a 150°C (TJ)
-
-
Montagem em superfície
SOT-23-6 fino, TSOT-23-6
TSOT-26
EMT6_EMT6 PKg
EM6K34T2CR
MOSFET 2N-CH 50V 0.2A EMT6
Rohm Semiconductor
152.472
Em estoque
1 : $ 0,41000
Fita cortada (CT)
8.000 : $ 0,07702
Fita e carretel (TR)
-
Fita e carretel (TR)
Fita cortada (CT)
Digi-Reel®
Ativo
MOSFET (óxido metálico)
2 canais N (duplo)
Porta de nível lógico, acionamento de 0,9V
50V
200mA
2,2Ohm a 200mA, 4,5V
800mV a 1mA
-
26pF a 10V
120mW
150°C (TJ)
-
-
Montagem em superfície
SOT-563, SOT-666
EMT6
UMT6
UM6K34NTCN
MOSFET 2N-CH 50V 0.2A UMT6
Rohm Semiconductor
68.153
Em estoque
1 : $ 0,41000
Fita cortada (CT)
3.000 : $ 0,08849
Fita e carretel (TR)
-
Fita e carretel (TR)
Fita cortada (CT)
Digi-Reel®
Ativo
MOSFET (óxido metálico)
2 canais N (duplo)
Porta de nível lógico, acionamento de 0,9V
50V
200mA
2,2Ohm a 200mA, 4,5V
800mV a 1mA
-
26pF a 10V
120mW
150°C (TJ)
-
-
Montagem em superfície
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
UMT6
TSOT-26
DMG6601LVT-7
MOSFET N/P-CH 30V 3.8A TSOT26
Diodes Incorporated
21.980
Em estoque
3.009.000
Fábrica
1 : $ 0,41000
Fita cortada (CT)
3.000 : $ 0,08777
Fita e carretel (TR)
-
Fita e carretel (TR)
Fita cortada (CT)
Digi-Reel®
Ativo
MOSFET (óxido metálico)
Canal N e P
Porta de nível lógico
30V
3,8A, 2,5A
55mOhm a 3,4A, 10V
1,5V a 250µA
12,3nC a 10V
422pF a 15V
850mW
-55°C a 150°C (TJ)
-
-
Montagem em superfície
SOT-23-6 fino, TSOT-23-6
TSOT-26
PMBT2222AYS-QX
PMGD290XN,115
MOSFET 2N-CH 20V 0.86A 6TSSOP
Nexperia USA Inc.
67.280
Em estoque
1 : $ 0,44000
Fita cortada (CT)
3.000 : $ 0,09687
Fita e carretel (TR)
Fita e carretel (TR)
Fita cortada (CT)
Digi-Reel®
Não para novos designs
MOSFET (óxido metálico)
2 canais N (duplo)
Porta de nível lógico
20V
860mA
350mOhm a 200mA, 4,5V
1,5V a 250µA
0,72nC a 4,5V
34pF a 20V
410mW
-55°C a 150°C (TJ)
-
-
Montagem em superfície
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
6-TSSOP
PG-SOT363-PO
BSD840NH6327XTSA1
MOSFET 2N-CH 20V 0.88A SOT363
Infineon Technologies
52.392
Em estoque
1 : $ 0,44000
Fita cortada (CT)
3.000 : $ 0,09572
Fita e carretel (TR)
Fita e carretel (TR)
Fita cortada (CT)
Digi-Reel®
Ativo
MOSFET (óxido metálico)
2 canais N (duplo)
Porta de nível lógico
20V
880mA
400mOhm a 880mA, 2,5V
750mV a 1,6µA
0,26nC a 2,5V
78pF a 10V
500mW
-55°C a 150°C (TJ)
-
-
Montagem em superfície
6-VSSOP, SC-88, SOT-363
PG-SOT363-PO
23.857
Em estoque
1 : $ 0,45000
Fita cortada (CT)
4.000 : $ 0,09507
Fita e carretel (TR)
-
Fita e carretel (TR)
Fita cortada (CT)
Digi-Reel®
Ativo
MOSFET (óxido metálico)
Canal N e P
Porta de nível lógico, acionamento de 1,5V
20V
800mA (Ta), 720mA (Ta)
240mOhm a 500mA, 4,5V, 300mOhm a 400mA, 4,5V
1V a 1mA
2nC a 4,5V, 1,76nC a 4,5V
90pF a 10V, 110pF a 10V
150mW (Ta)
150°C
-
-
Montagem em superfície
SOT-563, SOT-666
ES6
SOT-563
NTZD3154NT1G
MOSFET 2N-CH 20V 0.54A SOT563
onsemi
428.416
Em estoque
1 : $ 0,46000
Fita cortada (CT)
4.000 : $ 0,09627
Fita e carretel (TR)
-
Fita e carretel (TR)
Fita cortada (CT)
Digi-Reel®
Ativo
MOSFET (óxido metálico)
2 canais N (duplo)
-
20V
540mA
550mOhm a 540mA, 4,5V
1V a 250µA
2,5nC a 4,5V
150pF a 16V
250mW
-55°C a 150°C (TJ)
-
-
Montagem em superfície
SOT-563, SOT-666
SOT-563
42.760
Em estoque
1 : $ 0,46000
Fita cortada (CT)
3.000 : $ 0,10195
Fita e carretel (TR)
-
Fita e carretel (TR)
Fita cortada (CT)
Digi-Reel®
Não para novos designs
MOSFET (óxido metálico)
Canal N e P
Porta de nível lógico
30V
400mA, 200mA
700mOhm a 200MA, 10V
1,8V a 100µA
-
20pF a 5V
300mW
150°C (TJ)
-
-
Montagem em superfície
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
US6
SOT-363
NTJD4401NT1G
MOSFET 2N-CH 20V 0.63A SC88
onsemi
26.276
Em estoque
1 : $ 0,46000
Fita cortada (CT)
3.000 : $ 0,10078
Fita e carretel (TR)
-
Fita e carretel (TR)
Fita cortada (CT)
Digi-Reel®
Ativo
MOSFET (óxido metálico)
2 canais N (duplo)
Porta de nível lógico
20V
630mA
375mOhm a 630mA, 4,5V
1,5V a 250µA
3nC a 4,5V
46pF a 20V
270mW
-55°C a 150°C (TJ)
-
-
Montagem em superfície
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
SC-88/SC70-6/SOT-363
NC7SZ332P6X
2N7002DW
MOSFET 2N-CH 60V 0.115A SC88
onsemi
8.821
Em estoque
1 : $ 0,46000
Fita cortada (CT)
3.000 : $ 0,10095
Fita e carretel (TR)
-
Fita e carretel (TR)
Fita cortada (CT)
Digi-Reel®
Ativo
MOSFET (óxido metálico)
2 canais N (duplo)
Porta de nível lógico
60V
115mA
7,5Ohm a 50mA, 5V
2V a 250µA
-
50pF a 25V
200mW
-55°C a 150°C (TJ)
-
-
Montagem em superfície
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
SC-88 (SC-70-6)
SOT-563
NTZD3152PT1G
MOSFET 2P-CH 20V 0.43A SOT563
onsemi
55.720
Em estoque
1 : $ 0,48000
Fita cortada (CT)
4.000 : $ 0,10161
Fita e carretel (TR)
-
Fita e carretel (TR)
Fita cortada (CT)
Digi-Reel®
Ativo
MOSFET (óxido metálico)
2 canais P (duplo)
-
20V
430mA
900mOhm a 430mA, 4,5V
1V a 250µA
2,5nC a 4,5V
175pF a 16V
250mW
-55°C a 150°C (TJ)
-
-
Montagem em superfície
SOT-563, SOT-666
SOT-563
PEMD4-QX
PMDT290UNE,115
MOSFET 2N-CH 20V 0.8A SOT666
Nexperia USA Inc.
75.074
Em estoque
1 : $ 0,49000
Fita cortada (CT)
4.000 : $ 0,10274
Fita e carretel (TR)
Fita e carretel (TR)
Fita cortada (CT)
Digi-Reel®
Não para novos designs
MOSFET (óxido metálico)
2 canais N (duplo)
Porta de nível lógico
20V
800mA
380mOhm a 500mA, 4,5V
950mV a 250µA
0,68nC a 4,5V
83pF a 10V
500mW
-55°C a 150°C (TJ)
Automotivo
AEC-Q101
Montagem em superfície
SOT-563, SOT-666
SOT-666
SOT-363
NTJD4001NT1G
MOSFET 2N-CH 30V 0.25A SC88
onsemi
0
Em estoque
2.874.000
Mercado
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1 : $ 0,50000
Fita cortada (CT)
3.000 : $ 0,11102
Fita e carretel (TR)
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Fita e carretel (TR)
-
Fita e carretel (TR)
Fita e carretel (TR)
Fita cortada (CT)
Digi-Reel®
Ativo
MOSFET (óxido metálico)
2 canais N (duplo)
-
30V
250mA
1,5Ohm a 10mA, 4V
1,5V a 100µA
1,3nC a 5V
33pF a 5V
272mW
-55°C a 150°C (TJ)
-
-
Montagem em superfície
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
SC-88/SC70-6/SOT-363
Pkg 5880
SI1034CX-T1-GE3
MOSFET 2N-CH 20V 0.61A SC89
Vishay Siliconix
35.699
Em estoque
1 : $ 0,50000
Fita cortada (CT)
3.000 : $ 0,10954
Fita e carretel (TR)
Fita e carretel (TR)
Fita cortada (CT)
Digi-Reel®
Ativo
MOSFET (óxido metálico)
2 canais N (duplo)
Porta de nível lógico
20V
610mA (Ta)
396mOhm a 500mA, 4,5V
1V a 250µA
2nC a 8V
43pF a 10V
220mW
-55°C a 150°C (TJ)
-
-
Montagem em superfície
SOT-563, SOT-666
SC-89 (SOT-563F)
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Matrizes de FET, MOSFET

Os transistores de efeito de campo (FET) são dispositivos eletrônicos que usam um campo elétrico para controlar o fluxo de corrente. A aplicação de uma tensão ao terminal de porta altera a condutividade entre os terminais de dreno e fonte. Os FETs são também conhecidos como transistores unipolares, pois envolvem uma operação com único tipo de portador. Ou seja, os FETs usam elétrons ou lacunas como portadores de carga durante a operação, mas não os dois. Em geral, os transistores de efeito de campo exibem uma impedância muito alta de entrada a baixas frequências.