FET simples, MOSFETs

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N.º de peça do fabricante
QUANTIDADE DISPONÍVEL
Preço
Séries
Embalagem
Situação do produto
Tipo de FET
Tecnologia
Tensão dreno-fonte (Vdss)
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
Rds on (máx.) para Id, Vgs
Vgs(th) (máx.) para Id
Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs
Vgs (máx.)
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds
Característica FET
Dissipação de potência (máx.)
Temperatura de operação
Grau
Qualificação
Tipo de montagem
Invólucro do dispositivo fornecido
Pacote / Invólucro
TL431BFDT-QR
MOSFET N-CH 60V 190MA TO236AB
Nexperia USA Inc.
262.543
Em estoque
1 : $ 0,14000
Fita cortada (CT)
3.000 : $ 0,02720
Fita e carretel (TR)
-
Fita e carretel (TR)
Fita cortada (CT)
Digi-Reel®
Ativo
Canal N
MOSFET (óxido metálico)
60 V
190mA (Ta), 300mA (Tc)
5V, 10V
4,5Ohm a 100mA, 10V
2,1V a 250µA
0.43 nC @ 4.5 V
±20V
20 pF @ 10 V
-
265mW (Ta), 1,33W (Tc)
-55°C a 150°C (TJ)
-
-
Montagem em superfície
TO-236AB
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
TL431BFDT-QR
MOSFET N-CH 60V 190MA TO236AB
Nexperia USA Inc.
5.540
Em estoque
1 : $ 0,14000
Fita cortada (CT)
3.000 : $ 0,02746
Fita e carretel (TR)
-
Fita e carretel (TR)
Fita cortada (CT)
Digi-Reel®
Ativo
Canal N
MOSFET (óxido metálico)
60 V
190mA (Ta)
5V, 10V
4,5Ohm a 100mA, 10V
2,1V a 250µA
0.43 nC @ 4.5 V
±20V
17 pF @ 10 V
-
265mW (Ta), 1,33W (Tc)
-55°C a 150°C (TJ)
-
-
Montagem em superfície
TO-236AB
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
409.568
Em estoque
1 : $ 0,15000
Fita cortada (CT)
3.000 : $ 0,02878
Fita e carretel (TR)
Fita e carretel (TR)
Fita cortada (CT)
Digi-Reel®
Ativo
Canal N
MOSFET (óxido metálico)
60 V
200mA (Ta)
4,5V, 10V
3,9Ohm a 100mA, 10V
2,1V a 250µA
0.35 nC @ 4.5 V
±20V
17 pF @ 10 V
-
320mW (Ta)
150°C (TJ)
-
-
Montagem em superfície
SOT-23-3
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
1.230.158
Em estoque
1 : $ 0,16000
Fita cortada (CT)
3.000 : $ 0,03096
Fita e carretel (TR)
Fita e carretel (TR)
Fita cortada (CT)
Digi-Reel®
Ativo
Canal N
MOSFET (óxido metálico)
60 V
400mA (Ta)
4,5V, 10V
1,5Ohm a 100mA, 10V
2,1V a 250µA
0.6 nC @ 4.5 V
±20V
40 pF @ 10 V
-
320mW (Ta)
150°C (TJ)
-
-
Montagem em superfície
SOT-23-3
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
sot-23
MOSFET N-CH 60V 280MA SOT23-3
Diotec Semiconductor
126.608
Em estoque
1 : $ 0,16000
Fita cortada (CT)
3.000 : $ 0,03203
Fita e carretel (TR)
-
Fita e carretel (TR)
Fita cortada (CT)
Digi-Reel®
Ativo
Canal N
MOSFET (óxido metálico)
60 V
280mA (Ta)
5V, 10V
5Ohm a 500mA, 10V
2,5V a 250µA
-
±30V
50 pF @ 25 V
-
350mW (Ta)
150°C (TJ)
-
-
Montagem em superfície
SOT-23-3 (TO-236)
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
85.707
Em estoque
1 : $ 0,18000
Fita cortada (CT)
3.000 : $ 0,03556
Fita e carretel (TR)
-
Fita e carretel (TR)
Fita cortada (CT)
Digi-Reel®
Ativo
Canal N
MOSFET (óxido metálico)
60 V
115mA (Ta)
5V, 10V
7,5Ohm a 500mA, 10V
2,5V a 250µA
-
±20V
50 pF @ 25 V
-
1,08W
-55°C a 150°C (TJ)
-
-
Montagem em superfície
SOT-23
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
TL431BFDT-QR
MOSFET N-CH 60V 350MA TO236AB
Nexperia USA Inc.
36.823
Em estoque
1 : $ 0,19000
Fita cortada (CT)
3.000 : $ 0,03766
Fita e carretel (TR)
Fita e carretel (TR)
Fita cortada (CT)
Digi-Reel®
Ativo
Canal N
MOSFET (óxido metálico)
60 V
350mA (Ta)
10V
1,6Ohm a 500mA, 10V
2,1V a 250µA
0.6 nC @ 4.5 V
±20V
50 pF @ 10 V
-
370mW (Ta)
150°C (TJ)
Automotivo
AEC-Q101
Montagem em superfície
TO-236AB
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
TL431BFDT-QR
MOSFET N-CH 60V 360MA TO236AB
Nexperia USA Inc.
211.239
Em estoque
1 : $ 0,20000
Fita cortada (CT)
3.000 : $ 0,03928
Fita e carretel (TR)
-
Fita e carretel (TR)
Fita cortada (CT)
Digi-Reel®
Não para novos designs
Canal N
MOSFET (óxido metálico)
60 V
360mA (Ta)
10V
1,6Ohm a 500mA, 10V
2,4V a 250µA
0.8 nC @ 4.5 V
±20V
50 pF @ 10 V
-
350mW (Ta)
-55°C a 150°C (TJ)
Automotivo
AEC-Q101
Montagem em superfície
TO-236AB
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
MMBT2222AWT1G
MOSFET N-CH 60V 310MA SC70-3
onsemi
116.463
Em estoque
1 : $ 0,20000
Fita cortada (CT)
3.000 : $ 0,03803
Fita e carretel (TR)
-
Fita e carretel (TR)
Fita cortada (CT)
Digi-Reel®
Ativo
Canal N
MOSFET (óxido metálico)
60 V
310mA (Ta)
4,5V, 10V
1,6Ohm a 500mA, 10V
2,5V a 250µA
0.7 nC @ 4.5 V
±20V
24.5 pF @ 20 V
-
280mW (Tj)
-55°C a 150°C (TJ)
-
-
Montagem em superfície
SC-70-3 (SOT323)
SC-70, SOT-323
SOT-23-3
MOSFET N-CH 60V 180MA SOT23
Diodes Incorporated
28.919
Em estoque
1 : $ 0,21000
Fita cortada (CT)
3.000 : $ 0,04248
Fita e carretel (TR)
-
Fita e carretel (TR)
Fita cortada (CT)
Digi-Reel®
Ativo
Canal N
MOSFET (óxido metálico)
60 V
180mA (Ta)
5V, 10V
6Ohm a 115mA, 5V
2V a 250µA
-
±20V
23 pF @ 25 V
-
370mW (Ta)
-55°C a 150°C (TJ)
-
-
Montagem em superfície
SOT-23-3
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SOT-23-3,TO-236-3,Micro3,SSD3,SST3
MOSFET N-CH 60V 320MA SOT23-3
onsemi
3.115
Em estoque
1 : $ 0,21000
Fita cortada (CT)
3.000 : $ 0,03914
Fita e carretel (TR)
-
Fita e carretel (TR)
Fita cortada (CT)
Digi-Reel®
Ativo
Canal N
MOSFET (óxido metálico)
60 V
320mA (Ta)
4,5V, 10V
1,6Ohm a 500mA, 10V
2,3V a 250µA
0.7 nC @ 4.5 V
±20V
24.5 pF @ 20 V
-
300mW (Ta)
-55°C a 150°C (TJ)
-
-
Montagem em superfície
SOT-23-3 (TO-236)
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
DTC114YEBTL
MOSFET N-CH 20V 200MA EMT3F
Rohm Semiconductor
848.313
Em estoque
1 : $ 0,22000
Fita cortada (CT)
3.000 : $ 0,04327
Fita e carretel (TR)
-
Fita e carretel (TR)
Fita cortada (CT)
Digi-Reel®
Ativo
Canal N
MOSFET (óxido metálico)
20 V
200mA (Ta)
1,2V, 2,5V
1,2Ohm a 100mA, 2,5V
1V a 1mA
-
±8V
25 pF @ 10 V
-
150mW (Ta)
150°C (TJ)
-
-
Montagem em superfície
EMT3F (SOT-416FL)
SC-89, SOT-490
BCV27
MOSFET N-CH 25V 220MA SOT23
onsemi
715.910
Em estoque
1 : $ 0,22000
Fita cortada (CT)
3.000 : $ 0,04154
Fita e carretel (TR)
-
Fita e carretel (TR)
Fita cortada (CT)
Digi-Reel®
Ativo
Canal N
MOSFET (óxido metálico)
25 V
220mA (Ta)
2,7V, 4,5V
4Ohm a 400mA, 4,5V
1,06V a 250µA
0.7 nC @ 4.5 V
±8V
9.5 pF @ 10 V
-
350mW (Ta)
-55°C a 155°C (TJ)
-
-
Montagem em superfície
SOT-23-3
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
128.568
Em estoque
1 : $ 0,22000
Fita cortada (CT)
3.000 : $ 0,04327
Fita e carretel (TR)
Fita e carretel (TR)
Fita cortada (CT)
Digi-Reel®
Ativo
Canal N
MOSFET (óxido metálico)
20 V
200mA (Ta)
1,5V, 4,5V
2,2Ohm a 100mA, 4,5V
1V a 1mA
-
±10V
12 pF @ 10 V
-
100mW (Ta)
150°C (TA)
-
-
Montagem em superfície
SSM
SC-75, SOT-416
SOT-23-3,TO-236-3,Micro3,SSD3,SST3
MOSFET N-CH 60V 260MA SOT23-3
onsemi
116.896
Em estoque
1 : $ 0,22000
Fita cortada (CT)
3.000 : $ 0,04172
Fita e carretel (TR)
-
Fita e carretel (TR)
Fita cortada (CT)
Digi-Reel®
Ativo
Canal N
MOSFET (óxido metálico)
60 V
260mA (Ta)
4,5V, 10V
2,5Ohm a 240mA, 10V
2,5V a 250µA
0.81 nC @ 5 V
±20V
26.7 pF @ 25 V
-
300mW (Tj)
-55°C a 150°C (TJ)
-
-
Montagem em superfície
SOT-23-3 (TO-236)
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SOT-323
MOSFET N-CH 60V 115MA SOT323
Diodes Incorporated
28.236
Em estoque
1 : $ 0,22000
Fita cortada (CT)
3.000 : $ 0,04417
Fita e carretel (TR)
-
Fita e carretel (TR)
Fita cortada (CT)
Digi-Reel®
Ativo
Canal N
MOSFET (óxido metálico)
60 V
115mA (Ta)
5V, 10V
7,5Ohm a 50mA, 5V
2V a 250µA
-
±20V
50 pF @ 25 V
-
200mW (Ta)
-55°C a 150°C (TJ)
-
-
Montagem em superfície
SOT-323
SC-70, SOT-323
25.205
Em estoque
1 : $ 0,22000
Fita cortada (CT)
8.000 : $ 0,03695
Fita e carretel (TR)
Fita e carretel (TR)
Fita cortada (CT)
Digi-Reel®
Ativo
Canal N
MOSFET (óxido metálico)
20 V
250mA (Ta)
1,2V, 4,5V
1,1Ohm a 150mA, 4,5V
1V a 100µA
0.34 nC @ 4.5 V
±10V
36 pF @ 10 V
-
500mW (Ta)
150°C (TJ)
-
-
Montagem em superfície
VESM
SOT-723
DTA124EUBHZGTL
MOSFET N-CH 50V 200MA UMT3F
Rohm Semiconductor
1.475.505
Em estoque
1 : $ 0,23000
Fita cortada (CT)
3.000 : $ 0,04717
Fita e carretel (TR)
-
Fita e carretel (TR)
Fita cortada (CT)
Digi-Reel®
Ativo
Canal N
MOSFET (óxido metálico)
50 V
200mA (Ta)
0,9V, 4,5V
2,2Ohm a 200mA, 4,5V
800mV a 1mA
-
±8V
26 pF @ 10 V
-
150mW (Ta)
150°C (TJ)
-
-
Montagem em superfície
UMT3F
SC-85
87.414
Em estoque
1 : $ 0,23000
Fita cortada (CT)
10.000 : $ 0,03738
Fita e carretel (TR)
Fita e carretel (TR)
Fita cortada (CT)
Digi-Reel®
Ativo
Canal N
MOSFET (óxido metálico)
60 V
400mA (Ta)
4,5V, 10V
1,5Ohm a 100mA, 10V
2,1V a 250µA
0.6 nC @ 4.5 V
±20V
40 pF @ 10 V
-
500mW (Ta)
-55°C a 150°C (TJ)
-
-
Montagem em superfície
CST3
SC-101, SOT-883
SOT-23-3
MOSFET P-CH 50V 130MA SOT23-3
Diodes Incorporated
63.576
Em estoque
1 : $ 0,23000
Fita cortada (CT)
3.000 : $ 0,04300
Fita e carretel (TR)
-
Fita e carretel (TR)
Fita cortada (CT)
Digi-Reel®
Ativo
Canal P
MOSFET (óxido metálico)
50 V
130mA (Ta)
5V
10Ohm a 100mA, 5V
2V a 1mA
-
±20V
45 pF @ 25 V
-
300mW (Ta)
-55°C a 150°C (TJ)
-
-
Montagem em superfície
SOT-23-3
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SOT-323
MOSFET N-CH 60V 310MA SOT323
Nexperia USA Inc.
22.174
Em estoque
1 : $ 0,23000
Fita cortada (CT)
3.000 : $ 0,04581
Fita e carretel (TR)
-
Fita e carretel (TR)
Fita cortada (CT)
Digi-Reel®
Não para novos designs
Canal N
MOSFET (óxido metálico)
60 V
310mA (Ta)
10V
1,6Ohm a 500mA, 10V
2,4V a 250µA
0.8 nC @ 4.5 V
±20V
50 pF @ 10 V
-
260mW (Ta)
-55°C a 150°C (TJ)
Automotivo
AEC-Q101
Montagem em superfície
SOT-323
SC-70, SOT-323
SOT-23-3
MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3
Diodes Incorporated
24.484
Em estoque
1 : $ 0,24000
Fita cortada (CT)
3.000 : $ 0,04909
Fita e carretel (TR)
-
Fita e carretel (TR)
Fita cortada (CT)
Digi-Reel®
Ativo
Canal N
MOSFET (óxido metálico)
100 V
170mA (Ta)
10V
6Ohm a 170mA, 10V
2V a 1mA
-
±20V
60 pF @ 25 V
-
300mW (Ta)
-55°C a 150°C (TJ)
-
-
Montagem em superfície
SOT-23-3
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
115.583
Em estoque
1 : $ 0,25000
Fita cortada (CT)
8.000 : $ 0,04371
Fita e carretel (TR)
Fita e carretel (TR)
Fita cortada (CT)
Digi-Reel®
Ativo
Canal N
MOSFET (óxido metálico)
30 V
100mA (Ta)
2,5V, 4V
3,6Ohm a 10mA, 4V
1,5V a 100µA
-
±20V
13.5 pF @ 3 V
-
150mW (Ta)
150°C (TJ)
-
-
Montagem em superfície
VESM
SOT-723
SC-75
MOSFET N-CH 20V 238MA SC75
onsemi
36.243
Em estoque
1 : $ 0,26000
Fita cortada (CT)
3.000 : $ 0,04871
Fita e carretel (TR)
-
Fita e carretel (TR)
Fita cortada (CT)
Digi-Reel®
Ativo
Canal N
MOSFET (óxido metálico)
20 V
238mA (Tj)
2,5V, 4,5V
3Ohm a 10mA, 4,5V
1,5V a 100µA
-
±10V
20 pF @ 5 V
-
300mW (Tj)
-55°C a 150°C (TJ)
-
-
Montagem em superfície
SC-75, SOT-416
SC-75, SOT-416
SOT-23-3,TO-236-3,Micro3,SSD3,SST3
MOSFET N-CH 30V 500MA SOT23-3
onsemi
0
Em estoque
20.000
Mercado
Verifique o tempo de espera
1 : $ 0,26000
Fita cortada (CT)
10.000 : $ 0,04162
Fita e carretel (TR)
20.000 : $ 0,03000
Fita e carretel (TR)
-
Fita e carretel (TR)
Fita e carretel (TR)
Fita cortada (CT)
Digi-Reel®
Ativo
Canal N
MOSFET (óxido metálico)
30 V
500mA (Ta)
2,5V, 4V
1,5Ohm a 10mA, 4V
1,4V a 250µA
1.15 nC @ 5 V
±20V
21 pF @ 5 V
-
690mW (Ta)
-55°C a 150°C (TJ)
-
-
Montagem em superfície
SOT-23-3 (TO-236)
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
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FET simples, MOSFETs


Transistores de efeito de campo simples (FETs) e transistores de efeito de campo de metal-óxido-semicondutor (MOSFETs) são tipos de transistores usados para amplificar ou comutar sinais eletrônicos.

Um FET simples opera controlando o fluxo de corrente elétrica entre os terminais da fonte e do dreno, por meio de um campo elétrico gerado por uma tensão aplicada ao terminal de porta. A principal vantagem dos FETs é sua alta impedância de entrada, o que os torna ideais para uso em amplificação de sinais e circuitos analógicos. Eles são amplamente utilizados em aplicações como amplificadores, osciladores e estágios de buffer em circuitos eletrônicos.

Os MOSFETs, um subtipo de FETs, têm um terminal de porta isolado do canal por uma fina camada de óxido, o que melhora seu desempenho e os torna altamente eficientes. Os MOSFETs podem ser categorizados em dois tipos:

Os MOSFETs são preferidos em muitas aplicações devido ao seu baixo consumo de energia, chaveamento de alta velocidade e capacidade de lidar com grandes correntes e tensões. Eles são cruciais em circuitos digitais e analógicos, incluindo fontes de alimentação, acionadores de motor e aplicações de radiofrequência.

A operação dos MOSFETs pode ser dividida em dois modos:

  • Modo de enriquecimento: neste modo, o MOSFET normalmente está desligado quando a tensão da porta-fonte é zero. Para ligar é necessária uma tensão de porta-fonte positiva (para canal n) ou uma tensão de porta-fonte negativa (para canal p).
  • Modo de depleção: neste modo, o MOSFET normalmente está ligado quando a tensão da porta-fonte é zero. Aplicar uma tensão de porta-fonte de polaridade oposta pode desligá-lo.

Os MOSFETs oferecem diversas vantagens, como:

  1. Alta eficiência: eles consomem muito pouca energia e podem alternar estados rapidamente, o que os torna altamente eficientes para aplicações de gerenciamento de energia.
  2. Baixa resistência de condução: eles têm baixa resistência quando ligados, o que minimiza a perda de potência e a geração de calor.
  3. Alta impedância de entrada: a estrutura de porta isolada resulta em impedância de entrada extremamente alta, tornando-os ideais para amplificação de sinais de alta impedância.

Em resumo, FETs simples, particularmente MOSFETs, são componentes fundamentais na eletrônica moderna, conhecidos por sua eficiência, velocidade e versatilidade em uma ampla gama de aplicações, desde amplificação de sinal de baixa potência até chaveamento e controle de alta potência.