SIHB12N60E-GE3 está fora de estoque e pode ser colocado na pendência de pedidos.
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Equivalente paramétrico


Vishay Siliconix
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Preço unitário : $ 0,95459
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Canal N 600 V 12A (Tc) 147W (Tc) Montagem em superfície TO-263 (D2PAK)
A imagem mostrada é apenas uma representação. As especificações exatas devem ser obtidas da ficha técnica do produto.
Canal N 600 V 12A (Tc) 147W (Tc) Montagem em superfície TO-263 (D2PAK)
TO-263-3

SIHB12N60E-GE3

Número de produto da DigiKey
SIHB12N60E-GE3-ND
Fabricante
Número de produto do fabricante
SIHB12N60E-GE3
Descrição
MOSFET N-CH 600V 12A D2PAK
Tempo de espera previsto do fabricante
20 semanas
Referência do cliente
Descrição detalhada
Canal N 600 V 12A (Tc) 147W (Tc) Montagem em superfície TO-263 (D2PAK)
Ficha técnica
 Ficha técnica
Atributos de produto
Tipo
Descrição
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Categoria
Fabricante
Séries
-
Embalagem
Granel
Part Status
Ativo
Tipo de FET
Tecnologia
Tensão dreno-fonte (Vdss)
600 V
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds on (máx.) para Id, Vgs
380mOhm a 6A, 10V
Vgs(th) (máx.) para Id
4V a 250µA
Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs
58 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±30V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds
937 pF @ 100 V
Característica FET
-
Dissipação de potência (máx.)
147W (Tc)
Temperatura de operação
-55°C a 150°C (TJ)
Grau
-
Qualificação
-
Tipo de montagem
Montagem em superfície
Invólucro do dispositivo fornecido
TO-263 (D2PAK)
Pacote / Invólucro
Número base de produto
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Granel
Quantidade Preço unitário Preço total
1$ 2,81000$ 2,81
10$ 1,81700$ 18,17
100$ 1,25090$ 125,09
500$ 1,00880$ 504,40
1.000$ 0,93099$ 930,99
2.000$ 0,86559$ 1.731,18
5.000$ 0,83750$ 4.187,50
Embalagem padrão do fabricante