SIHB12N60E-GE3 está fora de estoque e pode ser colocado na pendência de pedidos.
Substitutos disponíveis:

Equivalente paramétrico


Vishay Siliconix
Em estoque: 0
Preço unitário : $ 0,95459
Ficha técnica

Equivalente paramétrico


Vishay Siliconix
Em estoque: 0
Preço unitário : $ 0,95459
Ficha técnica

Similar


Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Em estoque: 0
Preço unitário : $ 0,00000
Ficha técnica

Similar


Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Em estoque: 0
Preço unitário : $ 4,36000
Ficha técnica

Similar


onsemi
Em estoque: 988
Preço unitário : $ 4,89000
Ficha técnica

Similar


Infineon Technologies
Em estoque: 0
Preço unitário : $ 4,14000
Ficha técnica

Similar


Infineon Technologies
Em estoque: 0
Preço unitário : $ 2,16000
Ficha técnica

Similar


Infineon Technologies
Em estoque: 0
Preço unitário : $ 0,00000
Ficha técnica

Similar


Rohm Semiconductor
Em estoque: 0
Preço unitário : $ 3,29000
Ficha técnica

Similar


Infineon Technologies
Em estoque: 6.595
Preço unitário : $ 4,47000
Ficha técnica

Similar


STMicroelectronics
Em estoque: 8.049
Preço unitário : $ 3,06000
Ficha técnica

Similar


STMicroelectronics
Em estoque: 592
Preço unitário : $ 6,35000
Ficha técnica
Canal N 600 V 12A (Tc) 147W (Tc) Montagem em superfície TO-263 (D2PAK)
A imagem mostrada é apenas uma representação. As especificações exatas devem ser obtidas da ficha técnica do produto.
Canal N 600 V 12A (Tc) 147W (Tc) Montagem em superfície TO-263 (D2PAK)
TO-263-3

SIHB12N60E-GE3

Número de produto da DigiKey
SIHB12N60E-GE3-ND
Fabricante
Número de produto do fabricante
SIHB12N60E-GE3
Descrição
MOSFET N-CH 600V 12A D2PAK
Tempo de espera previsto do fabricante
15 semanas
Referência do cliente
Descrição detalhada
Canal N 600 V 12A (Tc) 147W (Tc) Montagem em superfície TO-263 (D2PAK)
Ficha técnica
 Ficha técnica
Atributos de produto
Filtrar produtos similares
Mostrar atributos vazios
Categoria
Vgs(th) (máx.) para Id
4V a 250µA
Fabricante
Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs
58 nC @ 10 V
Embalagem
Granel
Vgs (máx.)
±30V
Part Status
Ativo
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds
937 pF @ 100 V
Tipo de FET
Dissipação de potência (máx.)
147W (Tc)
Tecnologia
Temperatura de operação
-55°C a 150°C (TJ)
Tensão dreno-fonte (Vdss)
600 V
Tipo de montagem
Montagem em superfície
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C
Invólucro do dispositivo fornecido
TO-263 (D2PAK)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Pacote / Invólucro
Rds on (máx.) para Id, Vgs
380mOhm a 6A, 10V
Número base de produto
Classificação de exportação e ambiental
Perguntas e respostas sobre o produto
Recursos adicionais
Substitutos (12)
Número de peçaFabricante QUANTIDADE DISPONÍVELNúmero de produto da DigiKey Preço unitário Tipo de substituto
SIHB12N60ET1-GE3Vishay Siliconix0SIHB12N60ET1-GE3-ND$ 0,95459Equivalente paramétrico
SIHB12N60ET5-GE3Vishay Siliconix0SIHB12N60ET5-GE3-ND$ 0,95459Equivalente paramétrico
AOB15S60LAlpha & Omega Semiconductor Inc.0785-1261-2-ND$ 0,00000Similar
AOB15S65LAlpha & Omega Semiconductor Inc.0785-1543-1-ND$ 4,36000Similar
FCB11N60TMonsemi988FCB11N60TMCT-ND$ 4,89000Similar
Em estoque: 0
Verifique o tempo de espera
Solicitar notificação de estoque
Todos os preços estão em USD
Granel
Quantidade Preço unitário Preço total
1$ 3,01000$ 3,01
10$ 1,94400$ 19,44
100$ 1,33840$ 133,84
500$ 1,07940$ 539,70
1.000$ 0,99616$ 996,16
2.000$ 0,92618$ 1.852,36
5.000$ 0,85050$ 4.252,50
10.000$ 0,83750$ 8.375,00
Embalagem padrão do fabricante