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SIHB12N60ET1-GE3 está disponível para compra, mas não é estocado normalmente.
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SIHB12N60ET1-GE3 | |
|---|---|
Número de produto da DigiKey | SIHB12N60ET1-GE3-ND |
Fabricante | |
Número de produto do fabricante | SIHB12N60ET1-GE3 |
Descrição | MOSFET N-CH 600V 12A TO263 |
Tempo de espera previsto do fabricante | 15 semanas |
Referência do cliente | |
Descrição detalhada | Canal N 600 V 12A (Tc) 147W (Tc) Montagem em superfície TO-263 (D2PAK) |
Ficha técnica | Ficha técnica |
Atributos de produto
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Categoria | Vgs(th) (máx.) para Id 4V a 250µA |
Fabricante | Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs 58 nC @ 10 V |
Séries | Vgs (máx.) ±30V |
Embalagem Granel | Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds 937 pF @ 100 V |
Part Status Ativo | Dissipação de potência (máx.) 147W (Tc) |
Tipo de FET | Temperatura de operação -55°C a 150°C (TJ) |
Tecnologia | Tipo de montagem Montagem em superfície |
Tensão dreno-fonte (Vdss) 600 V | Invólucro do dispositivo fornecido TO-263 (D2PAK) |
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C | Pacote / Invólucro |
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V | Número base de produto |
Rds on (máx.) para Id, Vgs 380mOhm a 6A, 10V |
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Substitutos (4)
| Número de peça | Fabricante | QUANTIDADE DISPONÍVEL | Número de produto da DigiKey | Preço unitário | Tipo de substituto |
|---|---|---|---|---|---|
| IPB60R380C6ATMA1 | Infineon Technologies | 0 | IPB60R380C6ATMA1CT-ND | $ 2,16000 | Similar |
| R6011KNJTL | Rohm Semiconductor | 0 | R6011KNJTLCT-ND | $ 3,29000 | Similar |
| R6015ANJTL | Rohm Semiconductor | 0 | R6015ANJTL-ND | $ 2,57375 | Similar |
| R6015FNJTL | Rohm Semiconductor | 0 | 846-R6015FNJTLTR-ND | $ 1,78518 | Similar |
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Quantidade
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Granel
| Quantidade | Preço unitário | Preço total |
|---|---|---|
| 800 | $ 0,95459 | $ 763,67 |
