Name: STB13NM60N
Brand: STMicroelectronics
SKU: 497-STB13NM60NTR-ND
Price: 5.93 USD
Availability: InStock

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STB13NM60N
Número de produto da DigiKey	497-STB13NM60NTR-ND - Fita e carretel (TR) 497-STB13NM60NCT-ND - Fita cortada (CT) 497-STB13NM60NDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	STMicroelectronics
Número de produto do fabricante	STB13NM60N
Descrição	MOSFET N-CH 600V 11A D2PAK
Tempo de espera previsto do fabricante	14 semanas
Referência do cliente
Descrição detalhada	Canal N 600 V 11A (Tc) 90W (Tc) Montagem em superfície D2PAK
Ficha técnica	Ficha técnica
Modelos EDA / CAD	STB13NM60N Modelos

Atributos de produto

Tipo	Descrição	Selecionar tudo
Categoria	Produtos semicondutores discretos Transistores FETs, MOSFETs FET simples, MOSFETs
Fabricante	STMicroelectronics
Séries	MDmesh™ II
Embalagem	Fita e carretel (TR) Fita cortada (CT) Digi-Reel®
Part Status	Ativo
Tipo de FET	Canal N
Tecnologia	MOSFET (óxido metálico)
Tensão dreno-fonte (Vdss)	600 V
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C	11A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds on (máx.) para Id, Vgs	360mOhm a 5,5A, 10V
Vgs(th) (máx.) para Id	4V a 250µA
Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs	30 nC @ 10 V
Vgs (máx.)	±25V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds	790 pF @ 50 V
Característica FET	-
Dissipação de potência (máx.)	90W (Tc)
Temperatura de operação	150°C (TJ)
Grau	-
Qualificação	-
Tipo de montagem	Montagem em superfície
Invólucro do dispositivo fornecido	D2PAK
Pacote / Invólucro	TO-263-3, D2PAK (2 condutores + aba), TO-263AB
Número base de produto	STB13