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SIHB12N60ET5-GE3 | |
|---|---|
Número de produto da DigiKey | SIHB12N60ET5-GE3-ND |
Fabricante | |
Número de produto do fabricante | SIHB12N60ET5-GE3 |
Descrição | MOSFET N-CH 600V 12A TO263 |
Tempo de espera previsto do fabricante | 15 semanas |
Referência do cliente | |
Descrição detalhada | Canal N 600 V 12A (Tc) 147W (Tc) Montagem em superfície TO-263 (D2PAK) |
Ficha técnica | Ficha técnica |
Categoria | Vgs(th) (máx.) para Id 4V a 250µA |
Fabricante | Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs 58 nC @ 10 V |
Séries | Vgs (máx.) ±30V |
Embalagem Granel | Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds 937 pF @ 100 V |
Part Status Ativo | Dissipação de potência (máx.) 147W (Tc) |
Tipo de FET | Temperatura de operação -55°C a 150°C (TJ) |
Tecnologia | Tipo de montagem Montagem em superfície |
Tensão dreno-fonte (Vdss) 600 V | Invólucro do dispositivo fornecido TO-263 (D2PAK) |
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C | Pacote / Invólucro |
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V | Número base de produto |
Rds on (máx.) para Id, Vgs 380mOhm a 6A, 10V |
| Número de peça | Fabricante | QUANTIDADE DISPONÍVEL | Número de produto da DigiKey | Preço unitário | Tipo de substituto |
|---|---|---|---|---|---|
| AOB11S60L | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | 0 | 785-1246-2-ND | $ 0,00000 | Similar |
| FCB11N60TM | onsemi | 988 | FCB11N60TMCT-ND | $ 4,89000 | Similar |
| IPB60R299CPAATMA1 | Infineon Technologies | 0 | 448-IPB60R299CPAATMA1CT-ND | $ 4,14000 | Similar |
| IPB65R310CFDAATMA1 | Infineon Technologies | 2.348 | 448-IPB65R310CFDAATMA1CT-ND | $ 3,44000 | Similar |
| Quantidade | Preço unitário | Preço total |
|---|---|---|
| 800 | $ 0,95459 | $ 763,67 |





