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SIHB12N60ET5-GE3 está disponível para compra, mas não é estocado normalmente.
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SIHB12N60ET5-GE3 | |
|---|---|
Número de produto da DigiKey | SIHB12N60ET5-GE3-ND |
Fabricante | |
Número de produto do fabricante | SIHB12N60ET5-GE3 |
Descrição | MOSFET N-CH 600V 12A TO263 |
Tempo de espera previsto do fabricante | 20 semanas |
Referência do cliente | |
Descrição detalhada | Canal N 600 V 12A (Tc) 147W (Tc) Montagem em superfície TO-263 (D2PAK) |
Ficha técnica | Ficha técnica |
Atributos de produto
Tipo | Descrição | Selecionar tudo |
|---|---|---|
Categoria | ||
Fabricante | ||
Séries | ||
Embalagem | Granel | |
Part Status | Ativo | |
Tipo de FET | ||
Tecnologia | ||
Tensão dreno-fonte (Vdss) | 600 V | |
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C | ||
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On) | 10V | |
Rds on (máx.) para Id, Vgs | 380mOhm a 6A, 10V | |
Vgs(th) (máx.) para Id | 4V a 250µA | |
Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs | 58 nC @ 10 V | |
Vgs (máx.) | ±30V | |
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds | 937 pF @ 100 V | |
Característica FET | - | |
Dissipação de potência (máx.) | 147W (Tc) | |
Temperatura de operação | -55°C a 150°C (TJ) | |
Grau | - | |
Qualificação | - | |
Tipo de montagem | Montagem em superfície | |
Invólucro do dispositivo fornecido | TO-263 (D2PAK) | |
Pacote / Invólucro | ||
Número base de produto |
Disponível para pedido
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Este produto não é mantido em estoque na DigiKey. O tempo de espera mostrado se refere a remessa do fabricante até a DigiKey. Após receber o produto, a DigiKey o enviará para atender aos pedidos em aberto.
Quantidade
Todos os preços estão em USD
Granel
| Quantidade | Preço unitário | Preço total |
|---|---|---|
| 800 | $ 0,95459 | $ 763,67 |
Brasil