Canal N 1200 V 80A (Tc) 329W (Tc) Furo passante PG-TO247-4-17
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Canal N 1200 V 80A (Tc) 329W (Tc) Furo passante PG-TO247-4-17
CoolSiC™ G2 1200 V Silicon Carbide Discrete MOSFETs from Infineon PIO | DigiKey

IMZC120R022M2HXKSA1

Número de produto da DigiKey
448-IMZC120R022M2HXKSA1-ND
Fabricante
Número de produto do fabricante
IMZC120R022M2HXKSA1
Descrição
SICFET N-CH 1200V 80A TO247
Tempo de espera previsto do fabricante
69 semanas
Referência do cliente
Descrição detalhada
Canal N 1200 V 80A (Tc) 329W (Tc) Furo passante PG-TO247-4-17
Ficha técnica
 Ficha técnica
Modelos EDA / CAD
IMZC120R022M2HXKSA1 Modelos
Atributos de produto
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Categoria
Rds on (máx.) para Id, Vgs
22mOhm a 32A, 18V
Fabricante
Vgs(th) (máx.) para Id
5,1V a 10,1mA
Séries
Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs
71 nC @ 18 V
Embalagem
Tubo
Vgs (máx.)
+23V, -7V
Part Status
Ativo
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds
2330 pF @ 800 V
Tipo de FET
Dissipação de potência (máx.)
329W (Tc)
Tecnologia
Temperatura de operação
-55°C a 175°C (TJ)
Tensão dreno-fonte (Vdss)
1200 V
Tipo de montagem
Furo passante
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C
Invólucro do dispositivo fornecido
PG-TO247-4-17
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
15V, 18V
Pacote / Invólucro
Classificação de exportação e ambiental
Perguntas e respostas sobre o produto
Recursos adicionais
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Tubo
Quantidade Preço unitário Preço total
1$ 17,24000$ 17,24
30$ 10,62900$ 318,87
120$ 9,18142$ 1.101,77
510$ 8,56088$ 4.366,05
Embalagem padrão do fabricante
Observação: devido aos serviços de valor agregado da DigiKey, o tipo de embalagem pode alterar se o produto for adquirido em quantidades inferiores ao pacote padrão.