IMZC120R022M2HXKSA1
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IMZC120R022M2HXKSA1
CoolSiC™ G2 1200 V Silicon Carbide Discrete MOSFETs from Infineon PIO | DigiKey

IMZC120R012M2HXKSA1

Número de produto da DigiKey
448-IMZC120R012M2HXKSA1-ND
Fabricante
Número de produto do fabricante
IMZC120R012M2HXKSA1
Descrição
SICFET N-CH 1200V 129A TO247
Tempo de espera previsto do fabricante
26 semanas
Referência do cliente
Descrição detalhada
Canal N 1200 V 129A (Tc) 480W (Tc) Furo passante PG-TO247-4-17
Ficha técnica
 Ficha técnica
Modelos EDA / CAD
IMZC120R012M2HXKSA1 Modelos
Atributos de produto
Tipo
Descrição
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Categoria
Fabricante
Séries
Embalagem
Tubo
Part Status
Ativo
Tipo de FET
Tecnologia
Tensão dreno-fonte (Vdss)
1200 V
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
15V, 18V
Rds on (máx.) para Id, Vgs
12mOhm a 57A, 18V
Vgs(th) (máx.) para Id
5,1V a 17,8mA
Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs
124 nC @ 18 V
Vgs (máx.)
+23V, -7V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds
4050 pF @ 800 V
Característica FET
-
Dissipação de potência (máx.)
480W (Tc)
Temperatura de operação
-55°C a 175°C (TJ)
Grau
-
Qualificação
-
Tipo de montagem
Furo passante
Invólucro do dispositivo fornecido
PG-TO247-4-17
Pacote / Invólucro
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Tubo
Quantidade Preço unitário Preço total
1$ 23,52000$ 23,52
30$ 15,03167$ 450,95
120$ 14,43733$ 1.732,48
Embalagem padrão do fabricante
Observação: devido aos serviços de valor agregado da DigiKey, o tipo de embalagem pode alterar se o produto for adquirido em quantidades inferiores ao pacote padrão.