
IMZA65R015M2HXKSA1 | |
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Número de produto da DigiKey | 448-IMZA65R015M2HXKSA1-ND |
Fabricante | |
Número de produto do fabricante | IMZA65R015M2HXKSA1 |
Descrição | SILICON CARBIDE MOSFET |
Tempo de espera previsto do fabricante | 61 semanas |
Referência do cliente | |
Descrição detalhada | Canal N 650 V 103A (Tc) 341W (Tc) Furo passante PG-TO247-4-8 |
Ficha técnica | Ficha técnica |
Categoria | Vgs(th) (máx.) para Id 5,6V a 13mA |
Fabricante | Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs 79 nC @ 18 V |
Séries | Vgs (máx.) +23V, -7V |
Embalagem Tubo | Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds 2792 pF @ 400 V |
Part Status Ativo | Dissipação de potência (máx.) 341W (Tc) |
Tipo de FET | Temperatura de operação -55°C a 175°C (TJ) |
Tecnologia | Tipo de montagem Furo passante |
Tensão dreno-fonte (Vdss) 650 V | Invólucro do dispositivo fornecido PG-TO247-4-8 |
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C | Pacote / Invólucro |
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On) 15V, 20V | Número base de produto |
Rds on (máx.) para Id, Vgs 13,2mOhm a 64,2A, 20V |
| Quantidade | Preço unitário | Preço total |
|---|---|---|
| 1 | $ 18,29000 | $ 18,29 |
| 30 | $ 11,33667 | $ 340,10 |
| 120 | $ 9,81392 | $ 1.177,67 |
| 510 | $ 9,23975 | $ 4.712,27 |





