
IMZA65R007M2HXKSA1 | |
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Número de produto da DigiKey | 448-IMZA65R007M2HXKSA1-ND |
Fabricante | |
Número de produto do fabricante | IMZA65R007M2HXKSA1 |
Descrição | SILICON CARBIDE MOSFET |
Tempo de espera previsto do fabricante | 61 semanas |
Referência do cliente | |
Descrição detalhada | Canal N 650 V 210A (Tc) 625W (Tc) Furo passante PG-TO247-4-U02 |
Ficha técnica | Ficha técnica |
Modelos EDA / CAD | IMZA65R007M2HXKSA1 Modelos |
Categoria | Rds on (máx.) para Id, Vgs 6,1mOhm a 146,3A, 20V |
Fabricante | Vgs(th) (máx.) para Id 5,6V a 29,7mA |
Séries | Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs 179 nC @ 18 V |
Embalagem Tubo | Vgs (máx.) +23V, -7V |
Part Status Ativo | Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds 6359 pF @ 400 V |
Tipo de FET | Dissipação de potência (máx.) 625W (Tc) |
Tecnologia | Temperatura de operação -55°C a 175°C (TJ) |
Tensão dreno-fonte (Vdss) 650 V | Tipo de montagem Furo passante |
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C | Invólucro do dispositivo fornecido PG-TO247-4-U02 |
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On) 15V, 20V | Pacote / Invólucro |
| Quantidade | Preço unitário | Preço total |
|---|---|---|
| 1 | $ 31,34000 | $ 31,34 |
| 30 | $ 20,36700 | $ 611,01 |
| 120 | $ 18,33033 | $ 2.199,64 |







