Name: IGC033S10S1XTMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IGC033S10S1XTMA1TR-ND
Price: 4.3 USD
Availability: InStock

Novo produto

A imagem mostrada é apenas uma representação. As especificações exatas devem ser obtidas da ficha técnica do produto.

IGC033S10S1XTMA1
Número de produto da DigiKey	448-IGC033S10S1XTMA1TR-ND - Fita e carretel (TR) 448-IGC033S10S1XTMA1CT-ND - Fita cortada (CT) 448-IGC033S10S1XTMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Infineon Technologies
Número de produto do fabricante	IGC033S10S1XTMA1
Descrição	MV GAN DISCRETES
Tempo de espera previsto do fabricante	20 semanas
Referência do cliente
Descrição detalhada	Canal N 100 V 21A (Ta), 76A (Tc) 3,3W (Ta), 45W (Tc) Montagem em superfície PG-TSON-6-2
Ficha técnica	Ficha técnica
Modelos EDA / CAD	IGC033S10S1XTMA1 Modelos

Atributos de produto

Tipo	Descrição	Selecionar tudo
Categoria	Produtos semicondutores discretos Transistores FETs, MOSFETs FET simples, MOSFETs
Fabricante	Infineon Technologies
Séries	CoolGaN™
Embalagem	Fita e carretel (TR) Fita cortada (CT) Digi-Reel®
Part Status	Ativo
Tipo de FET	Canal N
Tecnologia	GaNFET (nitreto de gálio)
Tensão dreno-fonte (Vdss)	100 V
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C	21A (Ta), 76A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)	5V
Rds on (máx.) para Id, Vgs	3,3mOhm a 20A, 5V
Vgs(th) (máx.) para Id	2,9V a 8mA
Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs	14 nC @ 5 V
Vgs (máx.)	±6,5V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds	1400 pF @ 50 V
Característica FET	-
Dissipação de potência (máx.)	3,3W (Ta), 45W (Tc)
Temperatura de operação	-40°C a 150°C (TJ)
Grau	-
Qualificação	-
Tipo de montagem	Montagem em superfície
Invólucro do dispositivo fornecido	PG-TSON-6-2
Pacote / Invólucro	6-PowerTDFN