Name: IGC037S12S1XTMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IGC037S12S1XTMA1TR-ND
Price: 4.6 USD
Availability: InStock

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IGC037S12S1XTMA1
Número de produto da DigiKey	448-IGC037S12S1XTMA1TR-ND - Fita e carretel (TR) 448-IGC037S12S1XTMA1CT-ND - Fita cortada (CT) 448-IGC037S12S1XTMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Infineon Technologies
Número de produto do fabricante	IGC037S12S1XTMA1
Descrição	GANFET N-CH 120V 19A 6TDFN
Tempo de espera previsto do fabricante	29 semanas
Referência do cliente
Descrição detalhada	Canal N 120 V 19A (Ta), 71A (Tc) 3,3W (Ta), 45W (Tc) Montagem em superfície PG-TSON-6-2
Ficha técnica	Ficha técnica
Modelos EDA / CAD	IGC037S12S1XTMA1 Modelos

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Categoria Produtos semicondutores discretos Transistores FETs, MOSFETs FET simples, MOSFETs	Rds on (máx.) para Id, Vgs 3,7mOhm a 18A, 5V
Fabricante Infineon Technologies	Vgs(th) (máx.) para Id 2,9V a 7mA
Séries CoolGaN™	Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs 13 nC @ 5 V
Embalagem Fita e carretel (TR) Fita cortada (CT) Digi-Reel®	Vgs (máx.) ±6,5V
Part Status Ativo	Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds 1000 pF @ 60 V
Tipo de FET Canal N	Dissipação de potência (máx.) 3,3W (Ta), 45W (Tc)
Tecnologia GaNFET (nitreto de gálio)	Temperatura de operação -40°C a 150°C (TJ)
Tensão dreno-fonte (Vdss) 120 V	Tipo de montagem Montagem em superfície
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C 19A (Ta), 71A (Tc)	Invólucro do dispositivo fornecido PG-TSON-6-2
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On) 5V	Pacote / Invólucro 6-PowerTDFN