Name: SQJQ112E-T1_GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: 742-SQJQ112E-T1_GE3TR-ND
Price: 4.62 USD
Availability: InStock

A imagem mostrada é apenas uma representação. As especificações exatas devem ser obtidas da ficha técnica do produto.

SQJQ112E-T1_GE3
Número de produto da DigiKey	742-SQJQ112E-T1_GE3TR-ND - Fita e carretel (TR) 742-SQJQ112E-T1_GE3CT-ND - Fita cortada (CT) 742-SQJQ112E-T1_GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Vishay Siliconix
Número de produto do fabricante	SQJQ112E-T1_GE3
Descrição	AUTOMOTIVE N-CHANNEL 100 V (D-S)
Tempo de espera previsto do fabricante	32 semanas
Referência do cliente
Descrição detalhada	Canal N 100 V 296A (Tc) 600W (Tc) Montagem em superfície PowerPAK® 8 x 8
Ficha técnica	Ficha técnica
Modelos EDA / CAD	SQJQ112E-T1_GE3 Modelos

Atributos de produto

Tipo	Descrição	Selecionar tudo
Categoria	Produtos semicondutores discretos Transistores FETs, MOSFETs FET simples, MOSFETs
Fabricante	Vishay Siliconix
Séries	TrenchFET® Gen IV
Embalagem	Fita e carretel (TR) Fita cortada (CT) Digi-Reel®
Part Status	Ativo
Tipo de FET	Canal N
Tecnologia	MOSFET (óxido metálico)
Tensão dreno-fonte (Vdss)	100 V
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C	296A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds on (máx.) para Id, Vgs	2,53mOhm a 20A, 10V
Vgs(th) (máx.) para Id	3,5V a 250µA
Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs	272 nC @ 10 V
Vgs (máx.)	±20V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds	15945 pF @ 25 V
Característica FET	-
Dissipação de potência (máx.)	600W (Tc)
Temperatura de operação	-55°C a 175°C (TJ)
Grau	Automotivo
Qualificação	AEC-Q101
Tipo de montagem	Montagem em superfície
Invólucro do dispositivo fornecido	PowerPAK® 8 x 8
Pacote / Invólucro	PowerPAK® 8 x 8