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SIHP22N65E-GE3 | |
|---|---|
Número de produto da DigiKey | SIHP22N65E-GE3-ND |
Fabricante | |
Número de produto do fabricante | SIHP22N65E-GE3 |
Descrição | MOSFET N-CH 650V 22A TO220AB |
Tempo de espera previsto do fabricante | 22 semanas |
Referência do cliente | |
Descrição detalhada | Canal N 650 V 22A (Tc) 227W (Tc) Furo passante TO-220AB |
Ficha técnica | Ficha técnica |
Modelos EDA / CAD | SIHP22N65E-GE3 Modelos |
Atributos de produto
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Categoria | Vgs(th) (máx.) para Id 4V a 250µA |
Fabricante | Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs 110 nC @ 10 V |
Embalagem Tubo | Vgs (máx.) ±30V |
Part Status Ativo | Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds 2415 pF @ 100 V |
Tipo de FET | Dissipação de potência (máx.) 227W (Tc) |
Tecnologia | Temperatura de operação -55°C a 150°C (TJ) |
Tensão dreno-fonte (Vdss) 650 V | Tipo de montagem Furo passante |
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C | Invólucro do dispositivo fornecido TO-220AB |
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V | Pacote / Invólucro |
Rds on (máx.) para Id, Vgs 180mOhm a 11A, 10V | Número base de produto |
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Substitutos (12)
| Número de peça | Fabricante | QUANTIDADE DISPONÍVEL | Número de produto da DigiKey | Preço unitário | Tipo de substituto |
|---|---|---|---|---|---|
| FCP190N60E | onsemi | 1.429 | FCP190N60EOS-ND | $ 5,08000 | Similar |
| FCP190N65F | onsemi | 569 | FCP190N65F-ND | $ 5,58000 | Similar |
| IPP65R190E6XKSA1 | Rochester Electronics, LLC | 56.890 | 2156-IPP65R190E6XKSA1-ND | $ 2,14000 | Similar |
| IXFP30N60X | IXYS | 0 | IXFP30N60X-ND | $ 3,49887 | Similar |
| IXKP24N60C5 | IXYS | 0 | IXKP24N60C5-ND | $ 4,88257 | Similar |
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Quantidade
Todos os preços estão em USD
Tubo
| Quantidade | Preço unitário | Preço total |
|---|---|---|
| 1.000 | $ 2,07500 | $ 2.075,00 |
