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IPP65R190E6XKSA1 está obsoleto e não é mais fabricado.
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IPP65R190E6XKSA1 | |
|---|---|
Número de produto da DigiKey | IPP65R190E6XKSA1-ND |
Fabricante | |
Número de produto do fabricante | IPP65R190E6XKSA1 |
Descrição | MOSFET N-CH 650V 20.2A TO220-3 |
Referência do cliente | |
Descrição detalhada | Canal N 650 V 20,2A (Tc) 151W (Tc) Furo passante PG-TO220-3 |
Ficha técnica | Ficha técnica |
Modelos EDA / CAD | IPP65R190E6XKSA1 Modelos |
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Categoria | Vgs(th) (máx.) para Id 3,5V a 730µA |
Fabricante | Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs 73 nC @ 10 V |
Séries | Vgs (máx.) ±20V |
Embalagem Tubo | Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds 1620 pF @ 100 V |
Part Status Obsoleto | Dissipação de potência (máx.) 151W (Tc) |
Tipo de FET | Temperatura de operação -55°C a 150°C (TJ) |
Tecnologia | Tipo de montagem Furo passante |
Tensão dreno-fonte (Vdss) 650 V | Invólucro do dispositivo fornecido PG-TO220-3 |
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C | Pacote / Invólucro |
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V | Número base de produto |
Rds on (máx.) para Id, Vgs 190mOhm a 7,3A, 10V |
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Substitutos (9)
| Número de peça | Fabricante | QUANTIDADE DISPONÍVEL | Número de produto da DigiKey | Preço unitário | Tipo de substituto |
|---|---|---|---|---|---|
| IPP65R190C7FKSA1 | Infineon Technologies | 1 | 448-IPP65R190C7FKSA1-ND | $ 4,26000 | Recomendado pelo fabricante |
| FCP150N65F | onsemi | 776 | FCP150N65FOS-ND | $ 6,41000 | Similar |
| FCP190N65F | onsemi | 569 | FCP190N65F-ND | $ 5,58000 | Similar |
| SIHP22N65E-GE3 | Vishay Siliconix | 0 | SIHP22N65E-GE3-ND | $ 2,07500 | Similar |
| SIHP24N65EF-GE3 | Vishay Siliconix | 0 | SIHP24N65EF-GE3-ND | $ 2,62500 | Similar |
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