Equivalente paramétrico
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SIHFR1N60A-GE3 | |
|---|---|
Número de produto da DigiKey | SIHFR1N60A-GE3-ND |
Fabricante | |
Número de produto do fabricante | SIHFR1N60A-GE3 |
Descrição | MOSFET N-CH 600V 1.4A TO252AA |
Tempo de espera previsto do fabricante | 91 semanas |
Referência do cliente | |
Descrição detalhada | Canal N 600 V 1,4A (Tc) 36W (Tc) Montagem em superfície TO-252AA |
Ficha técnica | Ficha técnica |
Categoria | Vgs(th) (máx.) para Id 4V a 250µA |
Fabricante | Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs 14 nC @ 10 V |
Embalagem Tubo | Vgs (máx.) ±30V |
Part Status Ativo | Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds 229 pF @ 25 V |
Tipo de FET | Dissipação de potência (máx.) 36W (Tc) |
Tecnologia | Temperatura de operação -55°C a 150°C (TJ) |
Tensão dreno-fonte (Vdss) 600 V | Tipo de montagem Montagem em superfície |
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C | Invólucro do dispositivo fornecido TO-252AA |
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V | Pacote / Invólucro |
Rds on (máx.) para Id, Vgs 7Ohm a 840mA, 10V | Número base de produto |
| Número de peça | Fabricante | QUANTIDADE DISPONÍVEL | Número de produto da DigiKey | Preço unitário | Tipo de substituto |
|---|---|---|---|---|---|
| IRFR1N60APBF | Vishay Siliconix | 2.716 | IRFR1N60APBF-ND | $ 2,43000 | Equivalente paramétrico |
| IRFR1N60ATRLPBF | Vishay Siliconix | 0 | IRFR1N60ATRLPBFTR-ND | $ 0,64521 | Equivalente paramétrico |
| IRFR1N60ATRPBF | Vishay Siliconix | 5.457 | IRFR1N60APBFCT-ND | $ 2,43000 | Equivalente paramétrico |
| SIHFR1N60ATR-GE3 | Vishay Siliconix | 0 | SIHFR1N60ATR-GE3-ND | $ 0,34091 | Equivalente paramétrico |
| FQD2N80TM | onsemi | 0 | FQD2N80TMTR-ND | $ 0,00000 | Similar |
| Quantidade | Preço unitário | Preço total |
|---|---|---|
| 1 | $ 1,63000 | $ 1,63 |
| 10 | $ 1,02800 | $ 10,28 |
| 100 | $ 0,68440 | $ 68,44 |
| 500 | $ 0,53692 | $ 268,46 |
| 1.000 | $ 0,48948 | $ 489,48 |
| 3.000 | $ 0,42922 | $ 1.287,66 |
| 6.000 | $ 0,39890 | $ 2.393,40 |
| 12.000 | $ 0,37341 | $ 4.480,92 |





