FQD2N80TM onsemi | FET simples, MOSFETs

FQD2N80TM está obsoleto e não é mais fabricado.

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Em estoque: 1.319

Preço unitário : $ 4,84000

A imagem mostrada é apenas uma representação. As especificações exatas devem ser obtidas da ficha técnica do produto.

FQD2N80TM
Número de produto da DigiKey	FQD2N80TMTR-ND - Fita e carretel (TR)
Fabricante	onsemi
Número de produto do fabricante	FQD2N80TM
Descrição	MOSFET N-CH 800V 1.8A DPAK
Referência do cliente
Descrição detalhada	Canal N 800 V 1,8A (Tc) 2,5W (Ta), 50W (Tc) Montagem em superfície TO-252AA
Ficha técnica	Ficha técnica

Atributos de produto

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Categoria Produtos semicondutores discretos Transistores FETs, MOSFETs FET simples, MOSFETs	Vgs(th) (máx.) para Id 5V a 250µA
Fabricante onsemi	Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs 15 nC @ 10 V
Séries QFET®	Vgs (máx.) ±30V
Embalagem Fita e carretel (TR)	Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds 550 pF @ 25 V
Part Status Obsoleto	Dissipação de potência (máx.) 2,5W (Ta), 50W (Tc)
Tipo de FET Canal N	Temperatura de operação -55°C a 150°C (TJ)
Tecnologia MOSFET (óxido metálico)	Tipo de montagem Montagem em superfície
Tensão dreno-fonte (Vdss) 800 V	Invólucro do dispositivo fornecido TO-252AA
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C 1,8A (Tc)	Pacote / Invólucro TO-252-3, DPAK (2 condutores + aba), SC-63
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V	Número base de produto FQD2N80
Rds on (máx.) para Id, Vgs 6,3Ohm a 900mA, 10V