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Equivalente paramétrico

IRFR1N60APBF
Vishay Siliconix
Em estoque: 2.716
Preço unitário : $ 2,43000
Ficha técnica

Equivalente paramétrico

IRFR1N60ATRLPBF
Vishay Siliconix
Em estoque: 0
Preço unitário : $ 0,64521
Ficha técnica

Equivalente paramétrico

IRFR1N60ATRPBF
Vishay Siliconix
Em estoque: 5.457
Preço unitário : $ 2,43000
Ficha técnica

Equivalente paramétrico

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Vishay Siliconix
Em estoque: 0
Preço unitário : $ 1,63000
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Canal N 600 V 1,4A (Tc) 36W (Tc) Montagem em superfície TO-252AA
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SIHFR1N60ATR-GE3

Número de produto da DigiKey
SIHFR1N60ATR-GE3-ND - Fita e carretel (TR)
Fabricante
Vishay Siliconix
Número de produto do fabricante
SIHFR1N60ATR-GE3
Descrição
MOSFET N-CH 600V 1.4A DPAK
Tempo de espera previsto do fabricante
15 semanas
Referência do cliente
Descrição detalhada
Canal N 600 V 1,4A (Tc) 36W (Tc) Montagem em superfície TO-252AA
Ficha técnica
 Ficha técnica
Atributos de produto
Tipo
Descrição
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Categoria
Fabricante
Vishay Siliconix
Séries
-
Embalagem
Fita e carretel (TR)
Part Status
Ativo
Tipo de FET
Canal N
Tecnologia
MOSFET (óxido metálico)
Tensão dreno-fonte (Vdss)
600 V
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C
1,4A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds on (máx.) para Id, Vgs
7Ohm a 840mA, 10V
Vgs(th) (máx.) para Id
4V a 250µA
Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs
14 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±30V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds
229 pF @ 25 V
Característica FET
-
Dissipação de potência (máx.)
36W (Tc)
Temperatura de operação
-55°C a 150°C (TJ)
Grau
-
Qualificação
-
Tipo de montagem
Montagem em superfície
Invólucro do dispositivo fornecido
TO-252AA
Pacote / Invólucro
TO-252-3, DPAK (2 condutores + aba), SC-63
Número base de produto
SIHFR1
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Disponível para pedido
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Quantidade
Todos os preços estão em USD
Fita e carretel (TR)
Quantidade Preço unitário Preço total
2.000$ 0,34091$ 681,82
4.000$ 0,31432$ 1.257,28
6.000$ 0,30077$ 1.804,62
10.000$ 0,28556$ 2.855,60
14.000$ 0,28000$ 3.920,00
Embalagem padrão do fabricante