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Canal N 500 V 10,5A (Tc) 114W (Tc) Montagem em superfície TO-263 (D2PAK)
A imagem mostrada é apenas uma representação. As especificações exatas devem ser obtidas da ficha técnica do produto.
Canal N 500 V 10,5A (Tc) 114W (Tc) Montagem em superfície TO-263 (D2PAK)
TO-263-3

SIHB12N50E-GE3

Número de produto da DigiKey
SIHB12N50E-GE3-ND
Fabricante
Número de produto do fabricante
SIHB12N50E-GE3
Descrição
MOSFET N-CH 500V 10.5A D2PAK
Tempo de espera previsto do fabricante
24 semanas
Referência do cliente
Descrição detalhada
Canal N 500 V 10,5A (Tc) 114W (Tc) Montagem em superfície TO-263 (D2PAK)
Ficha técnica
 Ficha técnica
Atributos de produto
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Categoria
Vgs(th) (máx.) para Id
4V a 250µA
Fabricante
Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs
50 nC @ 10 V
Embalagem
Granel
Vgs (máx.)
±30V
Part Status
Ativo
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds
886 pF @ 100 V
Tipo de FET
Dissipação de potência (máx.)
114W (Tc)
Tecnologia
Temperatura de operação
-55°C a 150°C (TJ)
Tensão dreno-fonte (Vdss)
500 V
Tipo de montagem
Montagem em superfície
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C
Invólucro do dispositivo fornecido
TO-263 (D2PAK)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Pacote / Invólucro
Rds on (máx.) para Id, Vgs
380mOhm a 6A, 10V
Número base de produto
Classificação de exportação e ambiental
Perguntas e respostas sobre o produto
Recursos adicionais
Substitutos (4)
Número de peçaFabricante QUANTIDADE DISPONÍVELNúmero de produto da DigiKey Preço unitário Tipo de substituto
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Em estoque: 0
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Granel
Quantidade Preço unitário Preço total
1$ 3,33000$ 3,33
10$ 2,16200$ 21,62
100$ 1,49710$ 149,71
500$ 1,21302$ 606,51
1.000$ 1,12173$ 1.121,73
2.000$ 1,04498$ 2.089,96
5.000$ 0,96250$ 4.812,50
Embalagem padrão do fabricante