


TK6A60W,S4VX | |
|---|---|
Número de produto da DigiKey | TK6A60WS4VX-ND |
Fabricante | |
Número de produto do fabricante | TK6A60W,S4VX |
Descrição | MOSFET N-CH 600V 6.2A TO220SIS |
Tempo de espera previsto do fabricante | 16 semanas |
Referência do cliente | |
Descrição detalhada | Canal N 600 V 6,2A (Ta) 30W (Tc) Furo passante TO-220SIS |
Ficha técnica | Ficha técnica |
Modelos EDA / CAD | TK6A60W,S4VX Modelos |
Categoria | Vgs(th) (máx.) para Id 3,7V a 310µA |
Fabricante | Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs 12 nC @ 10 V |
Séries | Vgs (máx.) ±30V |
Embalagem Tubo | Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds 390 pF @ 300 V |
Part Status Ativo | Dissipação de potência (máx.) 30W (Tc) |
Tipo de FET | Temperatura de operação 150°C (TJ) |
Tecnologia | Tipo de montagem Furo passante |
Tensão dreno-fonte (Vdss) 600 V | Invólucro do dispositivo fornecido TO-220SIS |
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C | Pacote / Invólucro |
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V | Número base de produto |
Rds on (máx.) para Id, Vgs 750mOhm a 3,1A, 10V |
| Número de peça | Fabricante | QUANTIDADE DISPONÍVEL | Número de produto da DigiKey | Preço unitário | Tipo de substituto |
|---|---|---|---|---|---|
| IPAN65R650CEXKSA1 | Infineon Technologies | 14 | IPAN65R650CEXKSA1-ND | $ 1,67000 | Similar |
| IXTP4N70X2M | IXYS | 24 | 238-IXTP4N70X2M-ND | $ 4,59000 | Similar |
| STF9N60M2 | STMicroelectronics | 1.936 | 497-STF9N60M2-ND | $ 2,11000 | Similar |
| Quantidade | Preço unitário | Preço total |
|---|---|---|
| 1 | $ 3,19000 | $ 3,19 |
| 50 | $ 1,58700 | $ 79,35 |
| 100 | $ 1,43090 | $ 143,09 |
| 500 | $ 1,15718 | $ 578,59 |
| 1.000 | $ 1,06923 | $ 1.069,23 |
| 2.000 | $ 0,99529 | $ 1.990,58 |
| 5.000 | $ 0,91534 | $ 4.576,70 |
| 10.000 | $ 0,91000 | $ 9.100,00 |

