
STF9N60M2 | |
|---|---|
Número de produto da DigiKey | 497-STF9N60M2-ND |
Fabricante | |
Número de produto do fabricante | STF9N60M2 |
Descrição | MOSFET N-CH 600V 5.5A TO220FP |
Tempo de espera previsto do fabricante | 18 semanas |
Referência do cliente | |
Descrição detalhada | Canal N 600 V 5,5A (Tc) 20W (Tc) Furo passante TO-220FP |
Ficha técnica | Ficha técnica |
Modelos EDA / CAD | STF9N60M2 Modelos |
Categoria | Vgs(th) (máx.) para Id 4V a 250µA |
Fabricante | Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs 10 nC @ 10 V |
Séries | Vgs (máx.) ±25V |
Embalagem Tubo | Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds 320 pF @ 100 V |
Part Status Ativo | Dissipação de potência (máx.) 20W (Tc) |
Tipo de FET | Temperatura de operação 150°C (TJ) |
Tecnologia | Tipo de montagem Furo passante |
Tensão dreno-fonte (Vdss) 600 V | Invólucro do dispositivo fornecido TO-220FP |
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C | Pacote / Invólucro |
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V | Número base de produto |
Rds on (máx.) para Id, Vgs 780mOhm a 3A, 10V |
| Número de peça | Fabricante | QUANTIDADE DISPONÍVEL | Número de produto da DigiKey | Preço unitário | Tipo de substituto |
|---|---|---|---|---|---|
| FDPF12N60NZ | onsemi | 930 | 488-FDPF12N60NZ-ND | $ 3,22000 | Similar |
| IRFIB6N60APBF | Vishay Siliconix | 755 | IRFIB6N60APBF-ND | $ 5,44000 | Similar |
| TK8A65W,S5X | Toshiba Semiconductor and Storage | 40 | TK8A65WS5X-ND | $ 2,69000 | Similar |
| Quantidade | Preço unitário | Preço total |
|---|---|---|
| 1 | $ 2,11000 | $ 2,11 |
| 10 | $ 1,34900 | $ 13,49 |
| 100 | $ 0,91040 | $ 91,04 |
| 500 | $ 0,72266 | $ 361,33 |
| 1.000 | $ 0,66226 | $ 662,26 |
| 2.000 | $ 0,61147 | $ 1.222,94 |
| 6.000 | $ 0,54702 | $ 3.282,12 |
| 10.000 | $ 0,52260 | $ 5.226,00 |




