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Produto do Mercado
A imagem mostrada é apenas uma representação. As especificações exatas devem ser obtidas da ficha técnica do produto.
IPAN65R650CEXKSA1 | |
|---|---|
Número de produto da DigiKey | IPAN65R650CEXKSA1-ND |
Fabricante | |
Número de produto do fabricante | IPAN65R650CEXKSA1 |
Descrição | MOSFET N-CH 650V 10.1A TO220 |
Tempo de espera previsto do fabricante | 15 semanas |
Referência do cliente | |
Descrição detalhada | Canal N 650 V 10,1A (Tc) 28W (Tc) Furo passante PG-TO220-FP |
Ficha técnica | Ficha técnica |
Modelos EDA / CAD | IPAN65R650CEXKSA1 Modelos |
Atributos de produto
Tipo | Descrição | Selecionar tudo |
|---|---|---|
Categoria | ||
Fabricante | ||
Séries | ||
Embalagem | Tubo | |
Part Status | Ativo | |
Tipo de FET | ||
Tecnologia | ||
Tensão dreno-fonte (Vdss) | 650 V | |
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C | ||
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On) | 10V | |
Rds on (máx.) para Id, Vgs | 650mOhm a 2,1A, 10V | |
Vgs(th) (máx.) para Id | 3,5V a 210µA | |
Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs | 23 nC @ 10 V | |
Vgs (máx.) | ±20V | |
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds | 440 pF @ 100 V | |
Característica FET | - | |
Dissipação de potência (máx.) | 28W (Tc) | |
Temperatura de operação | -40°C a 150°C (TJ) | |
Grau | - | |
Qualificação | - | |
Tipo de montagem | Furo passante | |
Invólucro do dispositivo fornecido | PG-TO220-FP | |
Pacote / Invólucro | ||
Número base de produto |
Em estoque: 16
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Quantidade
Todos os preços estão em USD
Tubo
| Quantidade | Preço unitário | Preço total |
|---|---|---|
| 1 | $ 1,62000 | $ 1,62 |
| 50 | $ 0,77020 | $ 38,51 |
| 100 | $ 0,68720 | $ 68,72 |
| 500 | $ 0,54142 | $ 270,71 |
| 1.000 | $ 0,49450 | $ 494,50 |
| 2.000 | $ 0,45504 | $ 910,08 |
| 5.000 | $ 0,41235 | $ 2.061,75 |
| 10.000 | $ 0,40938 | $ 4.093,80 |
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Brasil