Name: STD1HN60K3
Brand: STMicroelectronics
SKU: 497-STD1HN60K3TR-ND
Price: 2.1 USD
Availability: OutOfStock

STD1HN60K3
Número de produto da DigiKey	497-STD1HN60K3TR-ND - Fita e carretel (TR) 497-STD1HN60K3CT-ND - Fita cortada (CT) 497-STD1HN60K3DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	STMicroelectronics
Número de produto do fabricante	STD1HN60K3
Descrição	MOSFET N-CH 600V 1.2A DPAK
Tempo de espera previsto do fabricante	15 semanas
Referência do cliente
Descrição detalhada	Canal N 600 V 1,2A (Tc) 27W (Tc) Montagem em superfície DPAK
Ficha técnica	Ficha técnica

Tipo	Descrição	Selecionar tudo
Categoria	Produtos semicondutores discretos Transistores FETs, MOSFETs FET simples, MOSFETs
Fabricante	STMicroelectronics
Séries	SuperMESH3™
Embalagem	Fita e carretel (TR) Fita cortada (CT) Digi-Reel®
Part Status	Ativo
Tipo de FET	Canal N
Tecnologia	MOSFET (óxido metálico)
Tensão dreno-fonte (Vdss)	600 V
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C	1,2A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds on (máx.) para Id, Vgs	8Ohm a 600mA, 10V
Vgs(th) (máx.) para Id	4,5V a 50µA
Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs	9.5 nC @ 10 V
Vgs (máx.)	±30V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds	140 pF @ 50 V
Característica FET	-
Dissipação de potência (máx.)	27W (Tc)
Temperatura de operação	-55°C a 150°C (TJ)
Grau	-
Qualificação	-
Tipo de montagem	Montagem em superfície
Invólucro do dispositivo fornecido	DPAK
Pacote / Invólucro	TO-252-3, DPAK (2 condutores + aba), SC-63
Número base de produto	STD1HN60

Quantidade	Preço unitário	Preço total
2.500	$ 0,59966	$ 1.499,15
5.000	$ 0,56188	$ 2.809,40

STD1HN60K3