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Equivalente paramétrico

SCT019H120G3AG
STMicroelectronics
Em estoque: 0
Preço unitário : $ 14,59569
Ficha técnica

Equivalente paramétrico

SCT020H120G3AG
STMicroelectronics
Em estoque: 0
Preço unitário : $ 15,33324
Ficha técnica
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Canal N 1200 V 100A (Tc) 555W (Tc) Montagem em superfície HU3PAK
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SCT020HU120G3AG

Número de produto da DigiKey
497-SCT020HU120G3AGTR-ND - Fita e carretel (TR)
497-SCT020HU120G3AGCT-ND - Fita cortada (CT)
497-SCT020HU120G3AGDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante
STMicroelectronics
Número de produto do fabricante
SCT020HU120G3AG
Descrição
AUTOMOTIVE-GRADE SILICON CARBIDE
Tempo de espera previsto do fabricante
22 semanas
Referência do cliente
Descrição detalhada
Canal N 1200 V 100A (Tc) 555W (Tc) Montagem em superfície HU3PAK
Ficha técnica
 Ficha técnica
Atributos de produto
Tipo
Descrição
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Categoria
Fabricante
STMicroelectronics
Séries
*
Embalagem
Fita e carretel (TR)
Fita cortada (CT)
Digi-Reel®
Part Status
Ativo
Tipo de FET
Canal N
Tecnologia
SiCFET (carboneto de silício)
Tensão dreno-fonte (Vdss)
1200 V
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C
100A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
15V, 18V
Rds on (máx.) para Id, Vgs
28mOhm a 50A, 18V
Vgs(th) (máx.) para Id
4,2V a 2,3mA
Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs
121 nC @ 18 V
Vgs (máx.)
+18V, -5V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds
3465 pF @ 800 V
Característica FET
-
Dissipação de potência (máx.)
555W (Tc)
Temperatura de operação
-55°C a 175°C (TJ)
Grau
Automotivo
Qualificação
AEC-Q101
Tipo de montagem
Montagem em superfície
Invólucro do dispositivo fornecido
HU3PAK
Pacote / Invólucro
TO-263-8, D2PAK (7 condutores + aba), TO-263CA
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Quantidade
Todos os preços estão em USD
Fita cortada (CT) & Digi-Reel®
Quantidade Preço unitário Preço total
1$ 20,10000$ 20,10
10$ 14,39500$ 143,95
100$ 13,91380$ 1.391,38
* Todos os pedidos Digi-Reel incidirá $ 7,00 de taxa de bobinagem.
Fita e carretel (TR)
Quantidade Preço unitário Preço total
600$ 11,36750$ 6.820,50
Embalagem padrão do fabricante
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