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Equivalente paramétrico
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SCT020H120G3AG | |
|---|---|
Número de produto da DigiKey | 497-SCT020H120G3AG-ND |
Fabricante | |
Número de produto do fabricante | SCT020H120G3AG |
Descrição | SICFET N-CH 1200V 100A H2PAK-7 |
Tempo de espera previsto do fabricante | 21 semanas |
Referência do cliente | |
Descrição detalhada | Canal N 1200 V 100A (Tc) 555W (Tc) Montagem em superfície H2PAK-7 |
Ficha técnica | Ficha técnica |
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Categoria | Vgs(th) (máx.) para Id 4,2V a 2,3mA |
Fabricante | Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs 121 nC @ 18 V |
Séries | Vgs (máx.) +18V, -5V |
Embalagem Granel | Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds 3465 pF @ 800 V |
Part Status Ativo | Dissipação de potência (máx.) 555W (Tc) |
Tipo de FET | Temperatura de operação -55°C a 175°C (TJ) |
Tecnologia | Grau Automotivo |
Tensão dreno-fonte (Vdss) 1200 V | Qualificação AEC-Q101 |
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C | Tipo de montagem Montagem em superfície |
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On) 15V, 18V | Invólucro do dispositivo fornecido H2PAK-7 |
Rds on (máx.) para Id, Vgs 28mOhm a 50A, 18V | Pacote / Invólucro |
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Substitutos (4)
| Número de peça | Fabricante | QUANTIDADE DISPONÍVEL | Número de produto da DigiKey | Preço unitário | Tipo de substituto |
|---|---|---|---|---|---|
| SCT019H120G3AG | STMicroelectronics | 0 | 497-SCT019H120G3AG-ND | $ 11,58080 | Equivalente paramétrico |
| SCT020HU120G3AG | STMicroelectronics | 0 | 497-SCT020HU120G3AGCT-ND | $ 21,50000 | Equivalente paramétrico |
| DMWSH120H28SCT7 | Diodes Incorporated | 0 | 31-DMWSH120H28SCT7-ND | $ 18,09500 | Similar |
| DMWSH120H28SCT7Q | Diodes Incorporated | 0 | 31-DMWSH120H28SCT7Q-ND | $ 24,25500 | Similar |
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Quantidade
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Granel
| Quantidade | Preço unitário | Preço total |
|---|---|---|
| 1.000 | $ 12,16600 | $ 12.166,00 |
