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SCT019H120G3AG está disponível para compra, mas não é estocado normalmente.
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Equivalente paramétrico
Equivalente paramétrico
A imagem mostrada é apenas uma representação. As especificações exatas devem ser obtidas da ficha técnica do produto.
SCT019H120G3AG | |
|---|---|
Número de produto da DigiKey | 497-SCT019H120G3AG-ND |
Fabricante | |
Número de produto do fabricante | SCT019H120G3AG |
Descrição | SIC MOSFET |
Tempo de espera previsto do fabricante | 21 semanas |
Referência do cliente | |
Descrição detalhada | Canal N 1200 V 100A (Tc) 555W (Tc) Montagem em superfície HU3PAK |
Ficha técnica | Ficha técnica |
Modelos EDA / CAD | SCT019H120G3AG Modelos |
Atributos de produto
Tipo | Descrição | Selecionar tudo |
|---|---|---|
Categoria | ||
Fabricante | ||
Séries | - | |
Embalagem | Granel | |
Part Status | Ativo | |
Tipo de FET | ||
Tecnologia | ||
Tensão dreno-fonte (Vdss) | 1200 V | |
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C | ||
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On) | 15V, 18V | |
Rds on (máx.) para Id, Vgs | 28mOhm a 50A, 18V | |
Vgs(th) (máx.) para Id | 4,2V a 2,3mA | |
Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs | 121 nC @ 18 V | |
Vgs (máx.) | +18V, -5V | |
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds | 3465 pF @ 800 V | |
Característica FET | - | |
Dissipação de potência (máx.) | 555W (Tc) | |
Temperatura de operação | -55°C a 175°C (TJ) | |
Grau | Automotivo | |
Qualificação | AEC-Q101 | |
Tipo de montagem | Montagem em superfície | |
Invólucro do dispositivo fornecido | HU3PAK | |
Pacote / Invólucro |
Disponível para pedido
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Este produto não é mantido em estoque na DigiKey. O tempo de espera mostrado se refere a remessa do fabricante até a DigiKey. Após receber o produto, a DigiKey o enviará para atender aos pedidos em aberto.
Quantidade
Todos os preços estão em USD
Granel
| Quantidade | Preço unitário | Preço total |
|---|---|---|
| 1.000 | $ 9,40000 | $ 9.400,00 |
Brasil