Módulos IGBT

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N.º de peça do fabricante	QUANTIDADE DISPONÍVEL	Preço	Séries	Embalagem	Situação do produto	Tipo de IGBT	Configuração	Tensão - Ruptura coletor emissor (máx.)	Corrente - Coletor (Ic) (máx.)	Potência - Máx.	Vce(on) (máx.) para Vge, Ic	Corrente - Corte do coletor (máx.)	Capacitância de entrada (Cies) para Vce	Entrada	Termistor NTC	Temperatura de operação	Tipo de montagem	Pacote / Invólucro	Invólucro do dispositivo fornecido
APT60GA60JD60 IGBT MOD 600V 112A 356W ISOTOP Microchip Technology	1.248 Em estoque	1 : $ 29,71000 Tubo	POWER MOS 8™	Tubo	Ativo	PT	Simples	600 V	112 A	356 W	2,5V a 15V, 62A	275 µA	8.01 nF @ 25 V	Padrão	Não	-55°C a 150°C (TJ)	Montagem em chassis	SOT- 227-4 , miniBLOC	ISOTOP®
VS-GT80DA120U IGBT MOD 1200V 139A 658W SOT227 Vishay General Semiconductor - Diodes Division	160 Em estoque	1 : $ 36,11000 Tubo	HEXFRED®	Tubo	Ativo	Trincheira	Simples	1200 V	139 A	658 W	2,55V a 15V, 80A	100 µA	4.4 nF @ 25 V	Padrão	Não	-40°C a 150°C (TJ)	Montagem em chassis	SOT- 227-4 , miniBLOC	SOT-227
IXYN100N120C3H1 IGBT MOD 1200V 134A 690W SOT227B IXYS	345 Em estoque	1 : $ 40,18000 Tubo	XPT™, GenX3™	Tubo	Ativo	-	Simples	1200 V	134 A	690 W	3,5V a 15V, 100A	50 µA	6 nF @ 25 V	Padrão	Não	-55°C a 150°C (TJ)	Montagem em chassis	SOT- 227-4 , miniBLOC	SOT-227B
IXYN110N120C4H1 1200V, 110A, XPT GEN4 C4 CO-PACK IXYS	226 Em estoque	1 : $ 43,66000 Tubo	XPT™	Tubo	Ativo	Trincheira	Simples	1200 V	210 A	830 W	2,4V a 15V, 110A	50 µA	5420 pF @ 25 V	Padrão	Não	-55°C a 175°C (TJ)	Montagem em chassis	SOT- 227-4 , miniBLOC	SOT-227B
VS-GT180DA120U IGBT MOD 1200V 281A 1087W SOT227 Vishay General Semiconductor - Diodes Division	303 Em estoque	1 : $ 45,04000 Tubo	HEXFRED®	Tubo	Ativo	Trench Field Stop	Simples	1200 V	281 A	1087 W	2,05V a 15V, 100A	100 µA	9.35 nF @ 25 V	Padrão	Não	-40°C a 150°C (TJ)	Montagem em chassis	SOT- 227-4 , miniBLOC	SOT-227
IXDN75N120 IGBT MOD 1200V 150A 660W SOT227B IXYS	323 Em estoque	1 : $ 46,48000 Tubo	-	Tubo	Ativo	NPT	Simples	1200 V	150 A	660 W	2,7V a 15V, 75A	4 mA	5.5 nF @ 25 V	Padrão	Não	-40°C a 150°C (TJ)	Montagem em chassis	SOT- 227-4 , miniBLOC	SOT-227B
IXGN100N170 IGBT MOD 1700V 160A 735W SOT227B IXYS	157 Em estoque	1 : $ 56,93000 Tubo	-	Tubo	Ativo	NPT	Simples	1700 V	160 A	735 W	3V a 15V, 100A	50 µA	9.22 nF @ 25 V	Padrão	Não	-55°C a 150°C (TJ)	Montagem em chassis	SOT- 227-4 , miniBLOC	SOT-227B
FZ400R12KE4HOSA1 IGBT MOD 1200V 400A 2400W Infineon Technologies	84 Em estoque	1 : $ 88,91000 Bandeja	-	Bandeja	Ativo	Trench Field Stop	Simples	1200 V	400 A	2400 W	2,1V a 15V, 400A	5 mA	28 nF @ 25 V	Padrão	Sim	-40°C a 150°C (TJ)	Montagem em chassis	Módulo	Módulo
FZ600R12KE4HOSA1 IGBT MOD 1200V 600A 3000W Infineon Technologies	30 Em estoque	1 : $ 108,72000 Bandeja	C	Bandeja	Ativo	-	Simples	1200 V	600 A	3000 W	2,1V a 15V, 600A	5 mA	1.7 nF @ 25 V	Padrão	Não	-40°C a 125°C	Montagem em chassis	Módulo	Módulo
FF300R12KT4HOSA1 IGBT MOD 1200V 450A 1600W Infineon Technologies	62 Em estoque	1 : $ 113,50000 Bandeja	C	Bandeja	Ativo	Trench Field Stop	Meia ponte	1200 V	450 A	1600 W	2,15V a 15V, 300A	5 mA	19 nF @ 25 V	Padrão	Não	-40°C a 150°C (TJ)	Montagem em chassis	Módulo	Módulo
FF400R06KE3HOSA1 IGBT MOD 600V 500A 1250W Infineon Technologies	27 Em estoque	1 : $ 133,29000 Bandeja	C	Bandeja	Ativo	Trench Field Stop	Meia ponte	600 V	500 A	1250 W	1,9V a 15V, 400A	5 mA	-	Padrão	Não	-40°C a 150°C (TJ)	Montagem em chassis	Módulo	Módulo
FZ600R17KE4HOSA1 IGBT MOD 1700V 1200A 3350W Infineon Technologies	47 Em estoque	1 : $ 141,64000 Bandeja	C	Bandeja	Ativo	Trench Field Stop	Simples	1700 V	1200 A	3350 W	2,3V a 15V, 600A	1 mA	49 nF @ 25 V	Padrão	Não	-40°C a 150°C	Montagem em chassis	Módulo	Módulo
FZ900R12KE4HOSA1 IGBT MOD 1200V 900A 4300W Infineon Technologies	82 Em estoque	1 : $ 155,73000 Bandeja	C	Bandeja	Ativo	Trench Field Stop	Simples	1200 V	900 A	4300 W	2,1V a 15V, 900A	5 mA	56 nF @ 25 V	Padrão	Não	-40°C a 150°C (TJ)	Montagem em chassis	Módulo	Módulo
FS1150R08A8P3LBCHPSA1 FS1150R08A8P3LBCHPSA1 Infineon Technologies	90 Em estoque	1 : $ 664,79000 Caixa	HybridPACK™	Caixa	Ativo	-	Inversor trifásico	750 V	1.15 kA	1 kW	1,21V a 15V, 600A	1 mA	60800 pF @ 50 V	Padrão	Não	-40°C a 175°C (TJ)	Montagem em chassis	Módulo	-
IXXN200N60B3 IGBT MOD 600V 280A 940W SOT227B IXYS	129 Em estoque	1 : $ 28,97000 Tubo	XPT™, GenX3™	Tubo	Ativo	PT	Simples	600 V	280 A	940 W	1,7V a 15V, 100A	50 µA	9.97 nF @ 25 V	Padrão	Não	-55°C a 175°C (TJ)	Montagem em chassis	SOT- 227-4 , miniBLOC	SOT-227B
IXXN110N65B4H1 IGBT MOD 650V 215A 750W SOT227B IXYS	235 Em estoque	1 : $ 29,49000 Tubo	XPT™, GenX4™	Tubo	Ativo	PT	Simples	650 V	215 A	750 W	2,1V a 15V, 110A	50 µA	3.65 nF @ 25 V	Padrão	Não	-55°C a 175°C (TJ)	Montagem em chassis	SOT- 227-4 , miniBLOC	SOT-227B
APT75GN120JDQ3 IGBT MOD 1200V 124A 379W ISOTOP Microchip Technology	116 Em estoque	1 : $ 36,10000 Tubo	-	Tubo	Ativo	Trench Field Stop	Simples	1200 V	124 A	379 W	2,1V a 15V, 75A	200 µA	4.8 nF @ 25 V	Padrão	Não	-55°C a 150°C (TJ)	Montagem em chassis	ISOTOP	ISOTOP®
IXYN120N120C3 IGBT MOD 1200V 240A SOT227B IXYS	183 Em estoque	1 : $ 40,89000 Tubo	XPT™, GenX3™	Tubo	Ativo	-	Simples	1200 V	240 A	1200 W	3,2V parpara 15V, 120A	25 µA	-	Padrão	Não	-55°C a 175°C (TJ)	Montagem em chassis	SOT- 227-4 , miniBLOC	SOT-227B - miniBLOC
VS-GT100DA120UF IGBT MOD 1200V 187A 890W SOT227 Vishay General Semiconductor - Diodes Division	156 Em estoque	1 : $ 41,28000 Granel	HEXFRED®	Granel	Ativo	Trincheira	Simples	1200 V	187 A	890 W	2,55V a 15V, 100A	100 µA	6.15 nF @ 25 V	Padrão	Não	-40°C a 150°C (TJ)	Montagem em chassis	SOT- 227-4 , miniBLOC	SOT-227
IXGN320N60A3 IGBT MOD 600V 320A 735W SOT227B IXYS	1.631 Em estoque	1 : $ 43,31000 Tubo	GenX3™	Tubo	Ativo	PT	Simples	600 V	320 A	735 W	1,25V a 15V, 100A	150 µA	18 nF @ 25 V	Padrão	Não	-55°C a 150°C (TJ)	Montagem em chassis	SOT- 227-4 , miniBLOC	SOT-227B
APT75GP120JDQ3 IGBT MOD 1200V 128A 543W ISOTOP Microchip Technology	890 Em estoque	1 : $ 47,16000 Tubo	POWER MOS 7®	Tubo	Ativo	PT	Simples	1200 V	128 A	543 W	3,9V a 15V, 75A	1.25 mA	7.04 nF @ 25 V	Padrão	Não	-55°C a 150°C (TJ)	Montagem em chassis	ISOTOP	ISOTOP®
IXGN400N60B3 IGBT MOD 600V 430A 1000W SOT227B IXYS	266 Em estoque	1 : $ 50,12000 Tubo	GenX3™	Tubo	Ativo	PT	Simples	600 V	430 A	1000 W	1,4V a 15V, 100A	100 µA	31 nF @ 25 V	Padrão	Não	-55°C a 150°C (TJ)	Montagem em chassis	SOT- 227-4 , miniBLOC	SOT-227B
VS-40MT120PHAPBF MTP - HALF BRIDGE IGBT Vishay General Semiconductor - Diodes Division	39 Em estoque	1 : $ 61,08000 Tubo	-	Tubo	Ativo	Trench Field Stop	Meia ponte	1200 V	75 A	305 W	2,65V para 15V, 40A	50 µA	3.2 nF @ 25 V	Padrão	Não	-40°C a 150°C (TJ)	Furo passante	Módulo 12-MTP	12-MTP
FP35R12W2T4B11BOMA1 IGBT MOD 1200V 54A 215W Infineon Technologies	18 Em estoque 40 Mercado	1 : $ 64,72000 Bandeja 6 : $ 50,58000 Granel	-	Granel Bandeja	Ativo	Trench Field Stop	Inversor trifásico	1200 V	54 A	215 W	2,25V a 15V, 35A	1 mA	2 nF @ 25 V	Padrão	Sim	-40°C a 150°C (TJ)	Montagem em chassis	Módulo	Módulo
FF200R06KE3HOSA1 IGBT MOD 600V 260A 680W Infineon Technologies	16 Em estoque 164 Mercado	1 : $ 98,16000 Bandeja 4 : $ 93,42000 Granel	C	Granel Bandeja	Ativo	Trench Field Stop	Meia ponte	600 V	260 A	680 W	1,9V a 15V, 200A	5 mA	-	Padrão	Não	-40°C a 150°C (TJ)	Montagem em chassis	Módulo	Módulo

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Os transistores bipolares de porta isolada (IGBTs) são dispositivos semicondutores de potência com três terminais, utilizados principalmente como chaves eletrônicas que combinam chaveamento rápido e alta eficiência. Como módulos, os IGBTs são configurados como pontes assimétricas, boost, buck e choppers de frenagem, ponte completa, inversores de três fases e três níveis. Alguns possuem termistores NTC embutidos para monitoramento de temperatura. Os módulos de IGBT são diferenciados pela potência máxima, corrente de coletor, tensão de ruptura entre coletor-emissor e pela configuração.

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