
SISH536DN-T1-GE3 | |
|---|---|
Número de produto da DigiKey | 742-SISH536DN-T1-GE3TR-ND - Fita e carretel (TR) 742-SISH536DN-T1-GE3CT-ND - Fita cortada (CT) 742-SISH536DN-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel® |
Fabricante | |
Número de produto do fabricante | SISH536DN-T1-GE3 |
Descrição | N-CHANNEL 30 V (D-S) MOSFET POWE |
Tempo de espera previsto do fabricante | 55 semanas |
Referência do cliente | |
Descrição detalhada | Canal N 30 V 24,7A (Ta), 67,4A (Tc) 3,57W (Ta), 26,5W (Tc) Montagem em superfície 1212-8SH PowerPAK® |
Ficha técnica | Ficha técnica |
Tipo | Descrição | Selecionar tudo |
|---|---|---|
Categoria | ||
Fabricante | ||
Séries | ||
Embalagem | Fita e carretel (TR) Fita cortada (CT) Digi-Reel® | |
Part Status | Ativo | |
Tipo de FET | ||
Tecnologia | ||
Tensão dreno-fonte (Vdss) | 30 V | |
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C | ||
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On) | 4,5V, 10V | |
Rds on (máx.) para Id, Vgs | 3,25mOhm a 10A, 10V | |
Vgs(th) (máx.) para Id | 2,2V a 250µA | |
Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs | 25 nC @ 10 V | |
Vgs (máx.) | +16V, -12V | |
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds | 1150 pF @ 15 V | |
Característica FET | - | |
Dissipação de potência (máx.) | 3,57W (Ta), 26,5W (Tc) | |
Temperatura de operação | -55°C a 150°C (TJ) | |
Grau | - | |
Qualificação | - | |
Tipo de montagem | Montagem em superfície | |
Invólucro do dispositivo fornecido | 1212-8SH PowerPAK® | |
Pacote / Invólucro |
| Quantidade | Preço unitário | Preço total |
|---|---|---|
| 1 | $ 1,10000 | $ 1,10 |
| 10 | $ 0,68700 | $ 6,87 |
| 100 | $ 0,44870 | $ 44,87 |
| 500 | $ 0,34618 | $ 173,09 |
| 1.000 | $ 0,31316 | $ 313,16 |
| Quantidade | Preço unitário | Preço total |
|---|---|---|
| 3.000 | $ 0,27120 | $ 813,60 |
| 6.000 | $ 0,25007 | $ 1.500,42 |
| 9.000 | $ 0,23930 | $ 2.153,70 |
| 15.000 | $ 0,22721 | $ 3.408,15 |
| 21.000 | $ 0,22005 | $ 4.621,05 |
| 30.000 | $ 0,21309 | $ 6.392,70 |






