Name: NTMFS4D2N10MDT1G
Brand: onsemi
SKU: 488-NTMFS4D2N10MDT1GTR-ND
Price: 3.22 USD
Availability: InStock

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NTMFS4D2N10MDT1G
Número de produto da DigiKey	488-NTMFS4D2N10MDT1GTR-ND - Fita e carretel (TR) 488-NTMFS4D2N10MDT1GCT-ND - Fita cortada (CT) 488-NTMFS4D2N10MDT1GDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	onsemi
Número de produto do fabricante	NTMFS4D2N10MDT1G
Descrição	N-CHANNEL SHIELDED GATE POWERTRE
Tempo de espera previsto do fabricante	27 semanas
Referência do cliente
Descrição detalhada	Canal N 100 V 16,4A (Ta), 113A (Tc) 2,8W (Ta), 132W (Tc) Montagem em superfície 5-DFN (5x6) (SOFL-8)
Ficha técnica	Ficha técnica

Atributos de produto

Tipo	Descrição	Selecionar tudo
Categoria	Produtos semicondutores discretos Transistores FETs, MOSFETs FET simples, MOSFETs
Fabricante	onsemi
Séries	-
Embalagem	Fita e carretel (TR) Fita cortada (CT) Digi-Reel®
Part Status	Ativo
Tipo de FET	Canal N
Tecnologia	MOSFET (óxido metálico)
Tensão dreno-fonte (Vdss)	100 V
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C	16,4A (Ta), 113A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)	6V, 10V
Rds on (máx.) para Id, Vgs	4,3mOhm a 46A, 10V
Vgs(th) (máx.) para Id	4V a 239µA
Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs	60 nC @ 10 V
Vgs (máx.)	±20V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds	3100 pF @ 50 V
Característica FET	-
Dissipação de potência (máx.)	2,8W (Ta), 132W (Tc)
Temperatura de operação	-55°C a 150°C (TJ)
Grau	-
Qualificação	-
Tipo de montagem	Montagem em superfície
Invólucro do dispositivo fornecido	5-DFN (5x6) (SOFL-8)
Pacote / Invólucro	PowerTDFN-8, 5 condutores
Número base de produto	NTMFS4