
SISF04DN-T1-GE3 | |
|---|---|
Número de produto da DigiKey | 742-SISF04DN-T1-GE3TR-ND - Fita e carretel (TR) 742-SISF04DN-T1-GE3CT-ND - Fita cortada (CT) 742-SISF04DN-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel® |
Fabricante | |
Número de produto do fabricante | SISF04DN-T1-GE3 |
Descrição | MOSFET 2N-CH 30V 30A PWRPAK1212 |
Tempo de espera previsto do fabricante | 55 semanas |
Referência do cliente | |
Descrição detalhada | Cascata MOSFET 30V 30A (Ta), 108A (Tc) 5,2W (Ta), 69,4W (Tc) Montagem em superfície 1212-8SCD PowerPAK® |
Ficha técnica | Ficha técnica |
Modelos EDA / CAD | SISF04DN-T1-GE3 Modelos |
Categoria | Vgs(th) (máx.) para Id 2,3V a 250µA |
Fabricante Vishay Siliconix | Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs 60nC a 10V |
Séries | Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds 2600pF a 15V |
Embalagem Fita e carretel (TR) Fita cortada (CT) Digi-Reel® | Potência - Máx. 5,2W (Ta), 69,4W (Tc) |
Part Status Ativo | Temperatura de operação -55°C a 150°C (TJ) |
Tecnologia MOSFET (óxido metálico) | Tipo de montagem Montagem em superfície |
Configuração 2 canais N com dreno comum (duplo) | Pacote / Invólucro 1212-8SCD PowerPAK® |
Tensão dreno-fonte (Vdss) 30V | Invólucro do dispositivo fornecido 1212-8SCD PowerPAK® |
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C 30A (Ta), 108A (Tc) | Número base de produto |
Rds on (máx.) para Id, Vgs 4mOhm a 7A, 10V |
| Quantidade | Preço unitário | Preço total |
|---|---|---|
| 1 | $ 2,16000 | $ 2,16 |
| 10 | $ 1,38000 | $ 13,80 |
| 100 | $ 0,93250 | $ 93,25 |
| 500 | $ 0,74090 | $ 370,45 |
| 1.000 | $ 0,67928 | $ 679,28 |
| Quantidade | Preço unitário | Preço total |
|---|---|---|
| 3.000 | $ 0,60106 | $ 1.803,18 |
| 6.000 | $ 0,56171 | $ 3.370,26 |
| 9.000 | $ 0,54167 | $ 4.875,03 |
| 15.000 | $ 0,53237 | $ 7.985,55 |


