
SISF00DN-T1-GE3 | |
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Número de produto da DigiKey | SISF00DN-T1-GE3TR-ND - Fita e carretel (TR) SISF00DN-T1-GE3CT-ND - Fita cortada (CT) SISF00DN-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel® |
Fabricante | |
Número de produto do fabricante | SISF00DN-T1-GE3 |
Descrição | MOSFET 2N-CH 30V 60A PWRPAK1212 |
Tempo de espera previsto do fabricante | 27 semanas |
Referência do cliente | |
Descrição detalhada | Cascata MOSFET 30V 60A (Tc) 69,4W (Tc) Montagem em superfície 1212-8SCD Dual PowerPAK® |
Ficha técnica | Ficha técnica |
Modelos EDA / CAD | SISF00DN-T1-GE3 Modelos |
Tipo | Descrição | Selecionar tudo |
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Categoria | ||
Fabricante | Vishay Siliconix | |
Séries | ||
Embalagem | Fita e carretel (TR) Fita cortada (CT) Digi-Reel® | |
Part Status | Ativo | |
Tecnologia | MOSFET (óxido metálico) | |
Configuração | 2 canais N com dreno comum (duplo) | |
Característica FET | - | |
Tensão dreno-fonte (Vdss) | 30V | |
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C | 60A (Tc) | |
Rds on (máx.) para Id, Vgs | 5mOhm a 10A, 10V | |
Vgs(th) (máx.) para Id | 2,1V a 250µA | |
Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs | 53nC a 10V | |
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds | 2700pF a 15V | |
Potência - Máx. | 69,4W (Tc) | |
Temperatura de operação | -55°C a 150°C (TJ) | |
Tipo de montagem | Montagem em superfície | |
Pacote / Invólucro | 1212-8SCD Dual PowerPAK® | |
Invólucro do dispositivo fornecido | 1212-8SCD Dual PowerPAK® | |
Número base de produto |
| Quantidade | Preço unitário | Preço total |
|---|---|---|
| 1 | $ 2,02000 | $ 2,02 |
| 10 | $ 1,28800 | $ 12,88 |
| 100 | $ 0,87050 | $ 87,05 |
| 500 | $ 0,69162 | $ 345,81 |
| 1.000 | $ 0,65071 | $ 650,71 |
| Quantidade | Preço unitário | Preço total |
|---|---|---|
| 3.000 | $ 0,56106 | $ 1.683,18 |
| 6.000 | $ 0,53163 | $ 3.189,78 |











