
SISB46DN-T1-GE3 | |
|---|---|
Número de produto da DigiKey | SISB46DN-T1-GE3TR-ND - Fita e carretel (TR) SISB46DN-T1-GE3CT-ND - Fita cortada (CT) SISB46DN-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel® |
Fabricante | |
Número de produto do fabricante | SISB46DN-T1-GE3 |
Descrição | MOSFET 2N-CH 40V 34A PPAK 1212 |
Tempo de espera previsto do fabricante | 33 semanas |
Referência do cliente | |
Descrição detalhada | Cascata MOSFET 40V 34A (Tc) 23W Montagem em superfície PowerPAK® 1212-8 duplo |
Ficha técnica | Ficha técnica |
Modelos EDA / CAD | SISB46DN-T1-GE3 Modelos |
Tipo | Descrição | Selecionar tudo |
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Categoria | ||
Fabricante | Vishay Siliconix | |
Séries | ||
Embalagem | Fita e carretel (TR) Fita cortada (CT) Digi-Reel® | |
Part Status | Ativo | |
Tecnologia | MOSFET (óxido metálico) | |
Configuração | 2 canais N (duplo) | |
Característica FET | - | |
Tensão dreno-fonte (Vdss) | 40V | |
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C | 34A (Tc) | |
Rds on (máx.) para Id, Vgs | 11,71mOhm a 5A, 10V | |
Vgs(th) (máx.) para Id | 2,2V a 250µA | |
Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs | 11nC a 4,5V | |
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds | 1100pF a 20V | |
Potência - Máx. | 23W | |
Temperatura de operação | -55°C a 150°C (TJ) | |
Tipo de montagem | Montagem em superfície | |
Pacote / Invólucro | PowerPAK® 1212-8 duplo | |
Invólucro do dispositivo fornecido | PowerPAK® 1212-8 duplo | |
Número base de produto |
| Quantidade | Preço unitário | Preço total |
|---|---|---|
| 1 | $ 1,28000 | $ 1,28 |
| 10 | $ 0,80200 | $ 8,02 |
| 100 | $ 0,52950 | $ 52,95 |
| 500 | $ 0,41230 | $ 206,15 |
| 1.000 | $ 0,37456 | $ 374,56 |
| Quantidade | Preço unitário | Preço total |
|---|---|---|
| 3.000 | $ 0,32663 | $ 979,89 |
| 6.000 | $ 0,30250 | $ 1.815,00 |
| 9.000 | $ 0,29021 | $ 2.611,89 |
| 15.000 | $ 0,28187 | $ 4.228,05 |








