
SIS5712DN-T1-GE3 | |
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Número de produto da DigiKey | 742-SIS5712DN-T1-GE3TR-ND - Fita e carretel (TR) 742-SIS5712DN-T1-GE3CT-ND - Fita cortada (CT) 742-SIS5712DN-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel® |
Fabricante | |
Número de produto do fabricante | SIS5712DN-T1-GE3 |
Descrição | MOSFET N-CH 150V 2.2A PPAK1212-8 |
Tempo de espera previsto do fabricante | 33 semanas |
Referência do cliente | |
Descrição detalhada | Canal N 150 V 5,6A (Ta), 18A (Tc) 3,7W (Ta), 39,1W (Tc) Montagem em superfície PowerPAK® 1212-8 |
Ficha técnica | Ficha técnica |
Tipo | Descrição | Selecionar tudo |
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Categoria | ||
Fabricante | ||
Séries | ||
Embalagem | Fita e carretel (TR) Fita cortada (CT) Digi-Reel® | |
Part Status | Ativo | |
Tipo de FET | ||
Tecnologia | ||
Tensão dreno-fonte (Vdss) | 150 V | |
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C | ||
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On) | 7,5V, 10V | |
Rds on (máx.) para Id, Vgs | 55,5mOhm a 5,6A, 10V | |
Vgs(th) (máx.) para Id | 4V a 250µA | |
Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs | 11.3 nC @ 10 V | |
Vgs (máx.) | ±20V | |
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds | 500 pF @ 75 V | |
Característica FET | - | |
Dissipação de potência (máx.) | 3,7W (Ta), 39,1W (Tc) | |
Temperatura de operação | -55°C a 150°C (TJ) | |
Grau | - | |
Qualificação | - | |
Tipo de montagem | Montagem em superfície | |
Invólucro do dispositivo fornecido | PowerPAK® 1212-8 | |
Pacote / Invólucro |
| Quantidade | Preço unitário | Preço total |
|---|---|---|
| 1 | $ 1,88000 | $ 1,88 |
| 10 | $ 1,19500 | $ 11,95 |
| 100 | $ 0,80470 | $ 80,47 |
| 500 | $ 0,63724 | $ 318,62 |
| 1.000 | $ 0,58905 | $ 589,05 |
| Quantidade | Preço unitário | Preço total |
|---|---|---|
| 3.000 | $ 0,51501 | $ 1.545,03 |
| 6.000 | $ 0,48125 | $ 2.887,50 |










