
SIJ4106DP-T1-GE3 | |
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Número de produto da DigiKey | 742-SIJ4106DP-T1-GE3TR-ND - Fita e carretel (TR) 742-SIJ4106DP-T1-GE3CT-ND - Fita cortada (CT) 742-SIJ4106DP-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel® |
Fabricante | |
Número de produto do fabricante | SIJ4106DP-T1-GE3 |
Descrição | N-CHANNEL 100 V (D-S) MOSFET POW |
Tempo de espera previsto do fabricante | 55 semanas |
Referência do cliente | |
Descrição detalhada | Canal N 100 V 15,8A (Ta), 59A (Tc) 5W (Ta), 69,4W (Tc) Montagem em superfície SO-8 PowerPAK® |
Ficha técnica | Ficha técnica |
Tipo | Descrição | Selecionar tudo |
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Categoria | ||
Fabricante | ||
Séries | ||
Embalagem | Fita e carretel (TR) Fita cortada (CT) Digi-Reel® | |
Part Status | Ativo | |
Tipo de FET | ||
Tecnologia | ||
Tensão dreno-fonte (Vdss) | 100 V | |
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C | ||
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On) | 7,5V, 10V | |
Rds on (máx.) para Id, Vgs | 8,3mOhm a 15A, 10V | |
Vgs(th) (máx.) para Id | 3,8V a 250µA | |
Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs | 64 nC @ 10 V | |
Vgs (máx.) | ±20V | |
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds | 3610 pF @ 50 V | |
Característica FET | - | |
Dissipação de potência (máx.) | 5W (Ta), 69,4W (Tc) | |
Temperatura de operação | -55°C a 150°C (TJ) | |
Grau | - | |
Qualificação | - | |
Tipo de montagem | Montagem em superfície | |
Invólucro do dispositivo fornecido | SO-8 PowerPAK® | |
Pacote / Invólucro |
| Quantidade | Preço unitário | Preço total |
|---|---|---|
| 1 | $ 2,66000 | $ 2,66 |
| 10 | $ 1,71300 | $ 17,13 |
| 100 | $ 1,17080 | $ 117,08 |
| 500 | $ 0,93904 | $ 469,52 |
| 1.000 | $ 0,86751 | $ 867,51 |
| Quantidade | Preço unitário | Preço total |
|---|---|---|
| 3.000 | $ 0,76996 | $ 2.309,88 |
| 6.000 | $ 0,72240 | $ 4.334,40 |
| 9.000 | $ 0,70875 | $ 6.378,75 |





