
SIS412DN-T1-GE3 | |
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Número de produto da DigiKey | SIS412DN-T1-GE3TR-ND - Fita e carretel (TR) SIS412DN-T1-GE3CT-ND - Fita cortada (CT) SIS412DN-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel® |
Fabricante | |
Número de produto do fabricante | SIS412DN-T1-GE3 |
Descrição | MOSFET N-CH 30V 12A PPAK1212-8 |
Tempo de espera previsto do fabricante | 24 semanas |
Referência do cliente | |
Descrição detalhada | Canal N 30 V 12A (Tc) 3,2W (Ta), 15,6W (Tc) Montagem em superfície PowerPAK® 1212-8 |
Ficha técnica | Ficha técnica |
Modelos EDA / CAD | SIS412DN-T1-GE3 Modelos |
Tipo | Descrição | Selecionar tudo |
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Categoria | ||
Fabricante | ||
Séries | ||
Embalagem | Fita e carretel (TR) Fita cortada (CT) Digi-Reel® | |
Part Status | Ativo | |
Tipo de FET | ||
Tecnologia | ||
Tensão dreno-fonte (Vdss) | 30 V | |
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C | ||
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On) | 4,5V, 10V | |
Rds on (máx.) para Id, Vgs | 24mOhm a 7,8A, 10V | |
Vgs(th) (máx.) para Id | 2,5V a 250µA | |
Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs | 12 nC @ 10 V | |
Vgs (máx.) | ±20V | |
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds | 435 pF @ 15 V | |
Característica FET | - | |
Dissipação de potência (máx.) | 3,2W (Ta), 15,6W (Tc) | |
Temperatura de operação | -55°C a 150°C (TJ) | |
Grau | - | |
Qualificação | - | |
Tipo de montagem | Montagem em superfície | |
Invólucro do dispositivo fornecido | PowerPAK® 1212-8 | |
Pacote / Invólucro | ||
Número base de produto |
| Quantidade | Preço unitário | Preço total |
|---|---|---|
| 1 | $ 0,95000 | $ 0,95 |
| 10 | $ 0,59400 | $ 5,94 |
| 100 | $ 0,38670 | $ 38,67 |
| 500 | $ 0,29744 | $ 148,72 |
| 1.000 | $ 0,26866 | $ 268,66 |
| Quantidade | Preço unitário | Preço total |
|---|---|---|
| 3.000 | $ 0,23210 | $ 696,30 |
| 6.000 | $ 0,21369 | $ 1.282,14 |
| 9.000 | $ 0,20431 | $ 1.838,79 |
| 15.000 | $ 0,19377 | $ 2.906,55 |
| 21.000 | $ 0,18753 | $ 3.938,13 |
| 30.000 | $ 0,18750 | $ 5.625,00 |









