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SIRA60DP-T1-GE3 | |
|---|---|
Número de produto da DigiKey | SIRA60DP-T1-GE3TR-ND - Fita e carretel (TR) SIRA60DP-T1-GE3CT-ND - Fita cortada (CT) SIRA60DP-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel® |
Fabricante | |
Número de produto do fabricante | SIRA60DP-T1-GE3 |
Descrição | MOSFET N-CH 30V 100A PPAK SO-8 |
Tempo de espera previsto do fabricante | 19 semanas |
Referência do cliente | |
Descrição detalhada | Canal N 30 V 100A (Tc) 57W (Tc) Montagem em superfície SO-8 PowerPAK® |
Ficha técnica | Ficha técnica |
Modelos EDA / CAD | SIRA60DP-T1-GE3 Modelos |
Tipo | Descrição | Selecionar tudo |
|---|---|---|
Categoria | ||
Fabricante | ||
Séries | ||
Embalagem | Fita e carretel (TR) Fita cortada (CT) Digi-Reel® | |
Part Status | Ativo | |
Tipo de FET | ||
Tecnologia | ||
Tensão dreno-fonte (Vdss) | 30 V | |
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C | ||
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On) | 4,5V, 10V | |
Rds on (máx.) para Id, Vgs | 0,94mOhm para 20A, 10V | |
Vgs(th) (máx.) para Id | 2,2V a 250µA | |
Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs | 60 nC @ 4.5 V | |
Vgs (máx.) | +20V, -16V | |
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds | 7650 pF @ 15 V | |
Característica FET | - | |
Dissipação de potência (máx.) | 57W (Tc) | |
Temperatura de operação | -55°C a 150°C (TJ) | |
Grau | - | |
Qualificação | - | |
Tipo de montagem | Montagem em superfície | |
Invólucro do dispositivo fornecido | SO-8 PowerPAK® | |
Pacote / Invólucro | ||
Número base de produto |
| Quantidade | Preço unitário | Preço total |
|---|---|---|
| 1 | $ 2,03000 | $ 2,03 |
| 10 | $ 1,29400 | $ 12,94 |
| 100 | $ 0,87490 | $ 87,49 |
| 500 | $ 0,69524 | $ 347,62 |
| 1.000 | $ 0,65484 | $ 654,84 |
| Quantidade | Preço unitário | Preço total |
|---|---|---|
| 3.000 | $ 0,56413 | $ 1.692,39 |
| 6.000 | $ 0,53500 | $ 3.210,00 |












