Canal N 30 V 18A (Ta), 30A (Tc) 2W (Ta), 30W (Tc) Montagem em superfície 8-HSMT (3,2x3)
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Canal N 30 V 18A (Ta), 30A (Tc) 2W (Ta), 30W (Tc) Montagem em superfície 8-HSMT (3,2x3)
8 HSMT

RQ3E180AJTB

Número de produto da DigiKey
RQ3E180AJTBTR-ND - Fita e carretel (TR)
RQ3E180AJTBCT-ND - Fita cortada (CT)
RQ3E180AJTBDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante
Rohm Semiconductor
Número de produto do fabricante
RQ3E180AJTB
Descrição
MOSFET N-CH 30V 18A/30A 8HSMT
Tempo de espera previsto do fabricante
16 semanas
Referência do cliente
Descrição detalhada
Canal N 30 V 18A (Ta), 30A (Tc) 2W (Ta), 30W (Tc) Montagem em superfície 8-HSMT (3,2x3)
Ficha técnica
 Ficha técnica
Modelos EDA / CAD
RQ3E180AJTB Modelos
Atributos de produto
Tipo
Descrição
Selecionar tudo
Categoria
Fabricante
Rohm Semiconductor
Séries
-
Embalagem
Fita e carretel (TR)
Fita cortada (CT)
Digi-Reel®
Part Status
Ativo
Tipo de FET
Canal N
Tecnologia
MOSFET (óxido metálico)
Tensão dreno-fonte (Vdss)
30 V
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C
18A (Ta), 30A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
2,5V, 4,5V
Rds on (máx.) para Id, Vgs
4,5mOhm a 18A, 4,5V
Vgs(th) (máx.) para Id
1,5V a 11mA
Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs
39 nC @ 4.5 V
Vgs (máx.)
±12V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds
4290 pF @ 15 V
Característica FET
-
Dissipação de potência (máx.)
2W (Ta), 30W (Tc)
Temperatura de operação
150°C (TJ)
Grau
-
Qualificação
-
Tipo de montagem
Montagem em superfície
Invólucro do dispositivo fornecido
8-HSMT (3,2x3)
Pacote / Invólucro
PowerVDFN-8
Número base de produto
RQ3E180
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Em estoque: 9.957
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Quantidade
Todos os preços estão em USD
Fita cortada (CT) & Digi-Reel®
Quantidade Preço unitário Preço total
1$ 1,69000$ 1,69
10$ 1,07500$ 10,75
100$ 0,71950$ 71,95
500$ 0,56720$ 283,60
1.000$ 0,51819$ 518,19
* Todos os pedidos Digi-Reel incidirá $ 7,00 de taxa de bobinagem.
Fita e carretel (TR)
Quantidade Preço unitário Preço total
3.000$ 0,45598$ 1.367,94
6.000$ 0,42467$ 2.548,02
9.000$ 0,41750$ 3.757,50
Embalagem padrão do fabricante
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