Name: SIRA12BDP-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SIRA12BDP-T1-GE3TR-ND
Price: 1.13 USD
Availability: InStock

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SIRA12BDP-T1-GE3
Número de produto da DigiKey	SIRA12BDP-T1-GE3TR-ND - Fita e carretel (TR) SIRA12BDP-T1-GE3CT-ND - Fita cortada (CT) SIRA12BDP-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Vishay Siliconix
Número de produto do fabricante	SIRA12BDP-T1-GE3
Descrição	MOSFET N-CH 30V 27A/60A PPAK SO8
Tempo de espera previsto do fabricante	27 semanas
Referência do cliente
Descrição detalhada	Canal N 30 V 27A (Ta), 60A (Tc) 5W (Ta), 38W (Tc) Montagem em superfície SO-8 PowerPAK®
Ficha técnica	Ficha técnica
Modelos EDA / CAD	SIRA12BDP-T1-GE3 Modelos

Atributos de produto

Tipo	Descrição	Selecionar tudo
Categoria	Produtos semicondutores discretos Transistores FETs, MOSFETs FET simples, MOSFETs
Fabricante	Vishay Siliconix
Séries	TrenchFET® Gen IV
Embalagem	Fita e carretel (TR) Fita cortada (CT) Digi-Reel®
Part Status	Ativo
Tipo de FET	Canal N
Tecnologia	MOSFET (óxido metálico)
Tensão dreno-fonte (Vdss)	30 V
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C	27A (Ta), 60A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)	4,5V, 10V
Rds on (máx.) para Id, Vgs	4,3mOhm a 10A, 10V
Vgs(th) (máx.) para Id	2,4V a 250µA
Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs	32 nC @ 10 V
Vgs (máx.)	+20V, -16V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds	1470 pF @ 15 V
Característica FET	-
Dissipação de potência (máx.)	5W (Ta), 38W (Tc)
Temperatura de operação	-55°C a 150°C (TJ)
Grau	-
Qualificação	-
Tipo de montagem	Montagem em superfície
Invólucro do dispositivo fornecido	SO-8 PowerPAK®
Pacote / Invólucro	SO-8 PowerPAK®
Número base de produto	SIRA12