FET simples, MOSFETs

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N.º de peça do fabricante
QUANTIDADE DISPONÍVEL
Preço
Séries
Embalagem
Situação do produto
Tipo de FET
Tecnologia
Tensão dreno-fonte (Vdss)
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
Rds on (máx.) para Id, Vgs
Vgs(th) (máx.) para Id
Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs
Vgs (máx.)
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds
Característica FET
Dissipação de potência (máx.)
Temperatura de operação
Grau
Qualificação
Tipo de montagem
Invólucro do dispositivo fornecido
Pacote / Invólucro
181.138
Em estoque
1 : $ 0,14000
Fita cortada (CT)
3.000 : $ 0,02609
Fita e carretel (TR)
Fita e carretel (TR)
Fita cortada (CT)
Digi-Reel®
Ativo
Canal N
MOSFET (óxido metálico)
60 V
200mA (Ta)
4,5V, 10V
3,9Ohm a 100mA, 10V
2,1V a 250µA
0.35 nC @ 4.5 V
±20V
17 pF @ 10 V
-
320mW (Ta)
150°C (TJ)
-
-
Montagem em superfície
SOT-23-3
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
454.802
Em estoque
1 : $ 0,15000
Fita cortada (CT)
3.000 : $ 0,02806
Fita e carretel (TR)
Fita e carretel (TR)
Fita cortada (CT)
Digi-Reel®
Ativo
Canal N
MOSFET (óxido metálico)
60 V
400mA (Ta)
4,5V, 10V
1,5Ohm a 100mA, 10V
2,1V a 250µA
0.6 nC @ 4.5 V
±20V
40 pF @ 10 V
-
320mW (Ta)
150°C (TJ)
-
-
Montagem em superfície
SOT-23-3
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
TL431BFDT-QR
MOSFET N-CH 60V 190MA TO236AB
Nexperia USA Inc.
228.454
Em estoque
1 : $ 0,17000
Fita cortada (CT)
3.000 : $ 0,03208
Fita e carretel (TR)
-
Fita e carretel (TR)
Fita cortada (CT)
Digi-Reel®
Ativo
Canal N
MOSFET (óxido metálico)
60 V
190mA (Ta), 300mA (Tc)
5V, 10V
4,5Ohm a 100mA, 10V
2,1V a 250µA
0.43 nC @ 4.5 V
±20V
20 pF @ 10 V
-
265mW (Ta), 1,33W (Tc)
-55°C a 150°C (TJ)
-
-
Montagem em superfície
TO-236AB
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SOT-23-3
MOSFET N-CH 60V 115MA SOT23-3
Diodes Incorporated
374.874
Em estoque
1 : $ 0,18000
Fita cortada (CT)
3.000 : $ 0,03524
Fita e carretel (TR)
-
Fita e carretel (TR)
Fita cortada (CT)
Digi-Reel®
Ativo
Canal N
MOSFET (óxido metálico)
60 V
115mA (Ta)
5V, 10V
7,5Ohm a 50mA, 5V
2,5V a 250µA
-
±20V
50 pF @ 25 V
-
370mW (Ta)
-55°C a 150°C (TJ)
-
-
Montagem em superfície
SOT-23-3
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
91.582
Em estoque
1 : $ 0,18000
Fita cortada (CT)
3.000 : $ 0,03481
Fita e carretel (TR)
-
Fita e carretel (TR)
Fita cortada (CT)
Digi-Reel®
Ativo
Canal N
MOSFET (óxido metálico)
50 V
220mA (Tj)
4,5V, 10V
3,5Ohm a 220mA, 10V
1,5V a 1mA
-
±20V
60 pF @ 25 V
-
350mW
-55°C a 150°C (TJ)
-
-
Montagem em superfície
SOT-23
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
1.804
Em estoque
1 : $ 0,18000
Fita cortada (CT)
3.000 : $ 0,03538
Fita e carretel (TR)
-
Fita e carretel (TR)
Fita cortada (CT)
Digi-Reel®
Ativo
Canal N
MOSFET (óxido metálico)
50 V
360mA (Ta)
2,5V, 10V
1,6Ohm a 500mA, 10V
1,5V a 250µA
1 nC @ 4.5 V
±20V
50 pF @ 25 V
-
236mW (Ta)
-55°C a 150°C (TJ)
-
-
Montagem em superfície
SOT-323
SC-70, SOT-323
SOT-23-3
MOSFET N-CH 60V 380MA SOT23-3
Diodes Incorporated
204.774
Em estoque
1 : $ 0,19000
Fita cortada (CT)
3.000 : $ 0,03670
Fita e carretel (TR)
-
Fita e carretel (TR)
Fita cortada (CT)
Digi-Reel®
Ativo
Canal N
MOSFET (óxido metálico)
60 V
380mA (Ta)
5V, 10V
2Ohm a 500mA, 10V
2,5V a 1mA
0.3 nC @ 4.5 V
±20V
50 pF @ 25 V
-
370mW (Ta)
-55°C a 150°C (TJ)
-
-
Montagem em superfície
SOT-23-3
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SOT-23-3
MOSFET N-CH 50V 200MA SOT23-3
Diodes Incorporated
467.975
Em estoque
1 : $ 0,20000
Fita cortada (CT)
3.000 : $ 0,03851
Fita e carretel (TR)
-
Fita e carretel (TR)
Fita cortada (CT)
Digi-Reel®
Ativo
Canal N
MOSFET (óxido metálico)
50 V
200mA (Ta)
10V
3,5Ohm a 220mA, 10V
1,5V a 250µA
-
±20V
50 pF @ 10 V
-
300mW (Ta)
-55°C a 150°C (TJ)
-
-
Montagem em superfície
SOT-23-3
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
DTC114YEBTL
MOSFET N-CH 20V 200MA EMT3F
Rohm Semiconductor
276.842
Em estoque
1 : $ 0,20000
Fita cortada (CT)
3.000 : $ 0,03985
Fita e carretel (TR)
-
Fita e carretel (TR)
Fita cortada (CT)
Digi-Reel®
Ativo
Canal N
MOSFET (óxido metálico)
20 V
200mA (Ta)
1,2V, 2,5V
1,2Ohm a 100mA, 2,5V
1V a 1mA
-
±8V
25 pF @ 10 V
-
150mW (Ta)
150°C (TJ)
-
-
Montagem em superfície
EMT3F (SOT-416FL)
SC-89, SOT-490
SOT 23-3
MOSFET N-CH 60V 260MA SOT23-3
onsemi
49.722
Em estoque
1 : $ 0,21000
Fita cortada (CT)
3.000 : $ 0,04172
Fita e carretel (TR)
-
Fita e carretel (TR)
Fita cortada (CT)
Digi-Reel®
Ativo
Canal N
MOSFET (óxido metálico)
60 V
260mA (Ta)
4,5V, 10V
2,5Ohm a 240mA, 10V
2,5V a 250µA
0.81 nC @ 5 V
±20V
26.7 pF @ 25 V
-
300mW (Tj)
-55°C a 150°C (TJ)
-
-
Montagem em superfície
SOT-23-3 (TO-236)
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SOT-23-3
MOSFET P-CH 50V 130MA SOT23-3
Diodes Incorporated
20.516
Em estoque
3.195.000
Fábrica
1 : $ 0,21000
Fita cortada (CT)
3.000 : $ 0,04171
Fita e carretel (TR)
-
Fita e carretel (TR)
Fita cortada (CT)
Digi-Reel®
Ativo
Canal P
MOSFET (óxido metálico)
50 V
130mA (Ta)
5V
10Ohm a 100mA, 5V
2V a 1mA
-
±20V
45 pF @ 25 V
-
300mW (Ta)
-55°C a 150°C (TJ)
-
-
Montagem em superfície
SOT-23-3
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
DTA124EUBHZGTL
MOSFET N-CH 50V 200MA UMT3F
Rohm Semiconductor
109.278
Em estoque
1 : $ 0,22000
Fita cortada (CT)
3.000 : $ 0,04408
Fita e carretel (TR)
-
Fita e carretel (TR)
Fita cortada (CT)
Digi-Reel®
Ativo
Canal N
MOSFET (óxido metálico)
50 V
200mA (Ta)
0,9V, 4,5V
2,2Ohm a 200mA, 4,5V
800mV a 1mA
-
±8V
26 pF @ 10 V
-
150mW (Ta)
150°C (TJ)
-
-
Montagem em superfície
UMT3F
SC-85
SOT-23-3
MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3
Diodes Incorporated
167.195
Em estoque
1 : $ 0,23000
Fita cortada (CT)
3.000 : $ 0,04450
Fita e carretel (TR)
-
Fita e carretel (TR)
Fita cortada (CT)
Digi-Reel®
Ativo
Canal N
MOSFET (óxido metálico)
100 V
170mA (Ta)
10V
6Ohm a 170mA, 10V
2V a 1mA
-
±20V
60 pF @ 25 V
-
300mW (Ta)
-55°C a 150°C (TJ)
-
-
Montagem em superfície
SOT-23-3
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
166.516
Em estoque
1 : $ 0,23000
Fita cortada (CT)
8.000 : $ 0,03963
Fita e carretel (TR)
Fita e carretel (TR)
Fita cortada (CT)
Digi-Reel®
Ativo
Canal N
MOSFET (óxido metálico)
30 V
100mA (Ta)
2,5V, 4V
3,6Ohm a 10mA, 4V
1,5V a 100µA
-
±20V
13.5 pF @ 3 V
-
150mW (Ta)
150°C (TJ)
-
-
Montagem em superfície
VESM
SOT-723
SOT 23-3
MOSFET P-CH 60V 196MA SOT23-3
onsemi
182.985
Em estoque
1 : $ 0,24000
Fita cortada (CT)
3.000 : $ 0,04854
Fita e carretel (TR)
-
Fita e carretel (TR)
Fita cortada (CT)
Digi-Reel®
Ativo
Canal P
MOSFET (óxido metálico)
60 V
196mA (Ta)
4,5V, 10V
5Ohm a 100mA, 10V
3V a 250µA
1 nC @ 5 V
±20V
30.3 pF @ 25 V
-
347mW (Ta)
-55°C a 150°C (TJ)
-
-
Montagem em superfície
SOT-23-3 (TO-236)
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
DTD143ECHZGT116
MOSFET N-CH 50V 200MA SST3
Rohm Semiconductor
249.604
Em estoque
1 : $ 0,25000
Fita cortada (CT)
3.000 : $ 0,04693
Fita e carretel (TR)
-
Fita e carretel (TR)
Fita cortada (CT)
Digi-Reel®
Ativo
Canal N
MOSFET (óxido metálico)
50 V
200mA (Ta)
1,2V, 4,5V
2,2Ohm a 200mA, 4,5V
1V a 1mA
-
±8V
25 pF @ 10 V
-
200mW (Ta)
150°C (TJ)
-
-
Montagem em superfície
SST3
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SOT-323
MOSFET N-CH 50V 200MA SOT323
Diodes Incorporated
143.199
Em estoque
1 : $ 0,25000
Fita cortada (CT)
3.000 : $ 0,04912
Fita e carretel (TR)
-
Fita e carretel (TR)
Fita cortada (CT)
Digi-Reel®
Ativo
Canal N
MOSFET (óxido metálico)
50 V
200mA (Ta)
10V
3,5Ohm a 220mA, 10V
1,5V a 250µA
-
±20V
50 pF @ 10 V
-
200mW (Ta)
-55°C a 150°C (TJ)
-
-
Montagem em superfície
SOT-323
SC-70, SOT-323
SOT-523
MOSFET P-CH 20V 460MA SOT523
Diodes Incorporated
84.199
Em estoque
1 : $ 0,25000
Fita cortada (CT)
3.000 : $ 0,04979
Fita e carretel (TR)
-
Fita e carretel (TR)
Fita cortada (CT)
Digi-Reel®
Ativo
Canal P
MOSFET (óxido metálico)
20 V
460mA (Ta)
1,8V, 4,5V
700mOhm a 350mA, 4,5V
1V a 250µA
0.622 nC @ 4.5 V
±6V
59.76 pF @ 16 V
-
270mW (Ta)
-55°C a 150°C (TJ)
-
-
Montagem em superfície
SOT-523
SOT-523
71.182
Em estoque
1 : $ 0,25000
Fita cortada (CT)
10.000 : $ 0,04124
Fita e carretel (TR)
Fita e carretel (TR)
Fita cortada (CT)
Digi-Reel®
Ativo
Canal N
MOSFET (óxido metálico)
20 V
250mA (Ta)
1,2V, 4,5V
1,1Ohm a 150mA, 4,5V
1V a 100µA
0.34 nC @ 4.5 V
±10V
36 pF @ 10 V
-
500mW (Ta)
150°C (TJ)
-
-
Montagem em superfície
CST3C
SC-101, SOT-883
PG-SOT23
MOSFET P-CH 60V 170MA SOT23-3
Infineon Technologies
171.484
Em estoque
1 : $ 0,26000
Fita cortada (CT)
3.000 : $ 0,05307
Fita e carretel (TR)
Fita e carretel (TR)
Fita cortada (CT)
Digi-Reel®
Ativo
Canal P
MOSFET (óxido metálico)
60 V
170mA (Ta)
4,5V, 10V
8Ohm a 170mA, 10V
2V a 20µA
1.5 nC @ 10 V
±20V
19 pF @ 25 V
-
360mW (Ta)
-55°C a 150°C (TJ)
Automotivo
AEC-Q101
Montagem em superfície
PG-SOT23
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
BCV27
MOSFET N-CH 25V 220MA SOT23
onsemi
158.466
Em estoque
1 : $ 0,26000
Fita cortada (CT)
3.000 : $ 0,05393
Fita e carretel (TR)
-
Fita e carretel (TR)
Fita cortada (CT)
Digi-Reel®
Ativo
Canal N
MOSFET (óxido metálico)
25 V
220mA (Ta)
2,7V, 4,5V
4Ohm a 400mA, 4,5V
1,06V a 250µA
0.7 nC @ 4.5 V
±8V
9.5 pF @ 10 V
-
350mW (Ta)
-55°C a 155°C (TJ)
-
-
Montagem em superfície
SOT-23-3
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SOT-23-3
MOSFET P-CH 20V 3A SOT23
Diodes Incorporated
64.603
Em estoque
1 : $ 0,26000
Fita cortada (CT)
3.000 : $ 0,05231
Fita e carretel (TR)
-
Fita e carretel (TR)
Fita cortada (CT)
Digi-Reel®
Ativo
Canal P
MOSFET (óxido metálico)
20 V
3A (Ta)
2,5V, 4,5V
120mOhm a 2,8A, 4,5V
1,2V a 250µA
5.5 nC @ 4.5 V
±8V
476 pF @ 10 V
-
1,5W (Ta)
-55°C a 150°C (TJ)
-
-
Montagem em superfície
SOT-23-3
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SC-75
MOSFET N-CH 30V 154MA SC75
onsemi
135.427
Em estoque
1 : $ 0,27000
Fita cortada (CT)
3.000 : $ 0,05564
Fita e carretel (TR)
-
Fita e carretel (TR)
Fita cortada (CT)
Digi-Reel®
Ativo
Canal N
MOSFET (óxido metálico)
30 V
154mA (Tj)
2,5V, 4,5V
7Ohm a 154mA, 4,5V
1,5V a 100µA
-
±10V
20 pF @ 5 V
-
300mW (Tj)
-55°C a 150°C (TJ)
-
-
Montagem em superfície
SC-75, SOT-416
SC-75, SOT-416
PG-SOT23
MOSFET N-CH 60V 230MA SOT23-3
Infineon Technologies
26.655
Em estoque
1 : $ 0,27000
Fita cortada (CT)
3.000 : $ 0,05430
Fita e carretel (TR)
Fita e carretel (TR)
Fita cortada (CT)
Digi-Reel®
Ativo
Canal N
MOSFET (óxido metálico)
60 V
230mA (Ta)
4,5V, 10V
3,5Ohm a 230mA, 10V
1,4V a 26µA
1.4 nC @ 10 V
±20V
41 pF @ 25 V
-
360mW (Ta)
-55°C a 150°C (TJ)
Automotivo
AEC-Q101
Montagem em superfície
PG-SOT23
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SOT-323
MOSFET N-CH 100V 170MA SOT323
Diodes Incorporated
189.931
Em estoque
1 : $ 0,28000
Fita cortada (CT)
3.000 : $ 0,05512
Fita e carretel (TR)
-
Fita e carretel (TR)
Fita cortada (CT)
Digi-Reel®
Ativo
Canal N
MOSFET (óxido metálico)
100 V
170mA (Ta)
4,5V, 10V
6Ohm a 170mA, 10V
2V a 1mA
-
±20V
60 pF @ 25 V
-
200mW (Ta)
-55°C a 150°C (TJ)
Automotivo
AEC-Q101
Montagem em superfície
SOT-323
SC-70, SOT-323
Mostrando
de 45.045

FET simples, MOSFETs


Transistores de efeito de campo simples (FETs) e transistores de efeito de campo de metal-óxido-semicondutor (MOSFETs) são tipos de transistores usados para amplificar ou comutar sinais eletrônicos.

Um FET simples opera controlando o fluxo de corrente elétrica entre os terminais da fonte e do dreno, por meio de um campo elétrico gerado por uma tensão aplicada ao terminal de porta. A principal vantagem dos FETs é sua alta impedância de entrada, o que os torna ideais para uso em amplificação de sinais e circuitos analógicos. Eles são amplamente utilizados em aplicações como amplificadores, osciladores e estágios de buffer em circuitos eletrônicos.

Os MOSFETs, um subtipo de FETs, têm um terminal de porta isolado do canal por uma fina camada de óxido, o que melhora seu desempenho e os torna altamente eficientes. Os MOSFETs podem ser categorizados em dois tipos:

Os MOSFETs são preferidos em muitas aplicações devido ao seu baixo consumo de energia, chaveamento de alta velocidade e capacidade de lidar com grandes correntes e tensões. Eles são cruciais em circuitos digitais e analógicos, incluindo fontes de alimentação, acionadores de motor e aplicações de radiofrequência.

A operação dos MOSFETs pode ser dividida em dois modos:

  • Modo de enriquecimento: neste modo, o MOSFET normalmente está desligado quando a tensão da porta-fonte é zero. Para ligar é necessária uma tensão de porta-fonte positiva (para canal n) ou uma tensão de porta-fonte negativa (para canal p).
  • Modo de depleção: neste modo, o MOSFET normalmente está ligado quando a tensão da porta-fonte é zero. Aplicar uma tensão de porta-fonte de polaridade oposta pode desligá-lo.

Os MOSFETs oferecem diversas vantagens, como:

  1. Alta eficiência: eles consomem muito pouca energia e podem alternar estados rapidamente, o que os torna altamente eficientes para aplicações de gerenciamento de energia.
  2. Baixa resistência de condução: eles têm baixa resistência quando ligados, o que minimiza a perda de potência e a geração de calor.
  3. Alta impedância de entrada: a estrutura de porta isolada resulta em impedância de entrada extremamente alta, tornando-os ideais para amplificação de sinais de alta impedância.

Em resumo, FETs simples, particularmente MOSFETs, são componentes fundamentais na eletrônica moderna, conhecidos por sua eficiência, velocidade e versatilidade em uma ampla gama de aplicações, desde amplificação de sinal de baixa potência até chaveamento e controle de alta potência.