Name: SIR698DP-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SIR698DP-T1-GE3TR-ND
Price: 1.85 USD
Availability: InStock

A imagem mostrada é apenas uma representação. As especificações exatas devem ser obtidas da ficha técnica do produto.

SIR698DP-T1-GE3
Número de produto da DigiKey	SIR698DP-T1-GE3TR-ND - Fita e carretel (TR) SIR698DP-T1-GE3CT-ND - Fita cortada (CT) SIR698DP-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Vishay Siliconix
Número de produto do fabricante	SIR698DP-T1-GE3
Descrição	MOSFET N-CH 100V 7.5A PPAK SO-8
Tempo de espera previsto do fabricante	20 semanas
Referência do cliente
Descrição detalhada	Canal N 100 V 7,5A (Tc) 3,7W (Ta), 23W (Tc) Montagem em superfície SO-8 PowerPAK®
Ficha técnica	Ficha técnica

Atributos de produto

Tipo	Descrição	Selecionar tudo
Categoria	Produtos semicondutores discretos Transistores FETs, MOSFETs FET simples, MOSFETs
Fabricante	Vishay Siliconix
Séries	TrenchFET®
Embalagem	Fita e carretel (TR) Fita cortada (CT) Digi-Reel®
Part Status	Ativo
Tipo de FET	Canal N
Tecnologia	MOSFET (óxido metálico)
Tensão dreno-fonte (Vdss)	100 V
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C	7,5A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)	6V, 10V
Rds on (máx.) para Id, Vgs	195mOhm a 2,5A, 10V
Vgs(th) (máx.) para Id	3,5V a 250µA
Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs	8 nC @ 10 V
Vgs (máx.)	±20V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds	210 pF @ 50 V
Característica FET	-
Dissipação de potência (máx.)	3,7W (Ta), 23W (Tc)
Temperatura de operação	-55°C a 150°C (TJ)
Grau	-
Qualificação	-
Tipo de montagem	Montagem em superfície
Invólucro do dispositivo fornecido	SO-8 PowerPAK®
Pacote / Invólucro	SO-8 PowerPAK®
Número base de produto	SIR698