Canal N 20 V 30A (Tc) 4,8W (Ta), 41,7W (Tc) Montagem em superfície SO-8 PowerPAK®
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SIR424DP-T1-GE3

Número de produto da DigiKey
SIR424DP-T1-GE3TR-ND - Fita e carretel (TR)
SIR424DP-T1-GE3CT-ND - Fita cortada (CT)
SIR424DP-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante
Vishay Siliconix
Número de produto do fabricante
SIR424DP-T1-GE3
Descrição
MOSFET N-CH 20V 30A PPAK SO-8
Tempo de espera previsto do fabricante
49 semanas
Referência do cliente
Descrição detalhada
Canal N 20 V 30A (Tc) 4,8W (Ta), 41,7W (Tc) Montagem em superfície SO-8 PowerPAK®
Ficha técnica
 Ficha técnica
Modelos EDA / CAD
SIR424DP-T1-GE3 Modelos
Atributos de produto
Tipo
Descrição
Selecionar tudo
Categoria
Fabricante
Vishay Siliconix
Séries
TrenchFET®
Embalagem
Fita e carretel (TR)
Fita cortada (CT)
Digi-Reel®
Part Status
Ativo
Tipo de FET
Canal N
Tecnologia
MOSFET (óxido metálico)
Tensão dreno-fonte (Vdss)
20 V
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C
30A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
4,5V, 10V
Rds on (máx.) para Id, Vgs
5,5mOhm a 20A, 10V
Vgs(th) (máx.) para Id
2,5V a 250µA
Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs
35 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds
1250 pF @ 10 V
Característica FET
-
Dissipação de potência (máx.)
4,8W (Ta), 41,7W (Tc)
Temperatura de operação
-55°C a 150°C (TJ)
Grau
-
Qualificação
-
Tipo de montagem
Montagem em superfície
Invólucro do dispositivo fornecido
SO-8 PowerPAK®
Pacote / Invólucro
SO-8 PowerPAK®
Número base de produto
SIR424
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Em estoque: 3.671
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Quantidade
Todos os preços estão em USD
Fita cortada (CT) & Digi-Reel®
Quantidade Preço unitário Preço total
1$ 1,55000$ 1,55
10$ 0,98100$ 9,81
100$ 0,65180$ 65,18
500$ 0,51036$ 255,18
1.000$ 0,46485$ 464,85
* Todos os pedidos Digi-Reel incidirá $ 7,00 de taxa de bobinagem.
Fita e carretel (TR)
Quantidade Preço unitário Preço total
3.000$ 0,40704$ 1.221,12
6.000$ 0,37795$ 2.267,70
9.000$ 0,36313$ 3.268,17
15.000$ 0,34648$ 5.197,20
21.000$ 0,33750$ 7.087,50
Embalagem padrão do fabricante
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