
SIA427ADJ-T1-GE3 | |
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Número de produto da DigiKey | SIA427ADJ-T1-GE3TR-ND - Fita e carretel (TR) SIA427ADJ-T1-GE3CT-ND - Fita cortada (CT) SIA427ADJ-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel® |
Fabricante | |
Número de produto do fabricante | SIA427ADJ-T1-GE3 |
Descrição | MOSFET P-CH 8V 12A PPAK SC70-6 |
Tempo de espera previsto do fabricante | 28 semanas |
Referência do cliente | |
Descrição detalhada | Canal P 8 V 12A (Tc) 19W (Tc) Montagem em superfície SC-70-6 PowerPAK® |
Ficha técnica | Ficha técnica |
Modelos EDA / CAD | SIA427ADJ-T1-GE3 Modelos |
Tipo | Descrição | Selecionar tudo |
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Categoria | ||
Fabricante | ||
Séries | ||
Embalagem | Fita e carretel (TR) Fita cortada (CT) Digi-Reel® | |
Part Status | Ativo | |
Tipo de FET | ||
Tecnologia | ||
Tensão dreno-fonte (Vdss) | 8 V | |
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C | ||
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On) | 1,2V, 4,5V | |
Rds on (máx.) para Id, Vgs | 16mOhm a 8,2A, 4,5V | |
Vgs(th) (máx.) para Id | 800mV a 250µA | |
Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs | 50 nC @ 5 V | |
Vgs (máx.) | ±5V | |
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds | 2300 pF @ 4 V | |
Característica FET | - | |
Dissipação de potência (máx.) | 19W (Tc) | |
Temperatura de operação | -55°C a 150°C (TJ) | |
Grau | - | |
Qualificação | - | |
Tipo de montagem | Montagem em superfície | |
Invólucro do dispositivo fornecido | SC-70-6 PowerPAK® | |
Pacote / Invólucro | ||
Número base de produto |
| Quantidade | Preço unitário | Preço total |
|---|---|---|
| 1 | $ 0,87000 | $ 0,87 |
| 10 | $ 0,54000 | $ 5,40 |
| 100 | $ 0,34890 | $ 34,89 |
| 500 | $ 0,26666 | $ 133,33 |
| 1.000 | $ 0,24013 | $ 240,13 |
| Quantidade | Preço unitário | Preço total |
|---|---|---|
| 3.000 | $ 0,20640 | $ 619,20 |
| 6.000 | $ 0,18941 | $ 1.136,46 |
| 9.000 | $ 0,18076 | $ 1.626,84 |
| 15.000 | $ 0,17103 | $ 2.565,45 |
| 21.000 | $ 0,16527 | $ 3.470,67 |
| 30.000 | $ 0,15967 | $ 4.790,10 |






