SIHW70N60EF-GE3 está disponível para compra, mas não é estocado normalmente.
Substitutos disponíveis:

Equivalente paramétrico


Vishay Siliconix
Em estoque: 270
Preço unitário : $ 15,16000
Ficha técnica

Similar


onsemi
Em estoque: 731
Preço unitário : $ 14,48000
Ficha técnica

Similar


onsemi
Em estoque: 358
Preço unitário : $ 16,05000
Ficha técnica

Similar


Infineon Technologies
Em estoque: 1.502
Preço unitário : $ 12,09000
Ficha técnica

Similar


Infineon Technologies
Em estoque: 588
Preço unitário : $ 18,00000
Ficha técnica

Similar


Infineon Technologies
Em estoque: 0
Preço unitário : $ 11,02521
Ficha técnica

Similar


IXYS
Em estoque: 210
Preço unitário : $ 26,61000
Ficha técnica

Similar


IXYS
Em estoque: 57
Preço unitário : $ 46,25000
Ficha técnica

Similar


IXYS
Em estoque: 65
Preço unitário : $ 30,02000
Ficha técnica

Similar


IXYS
Em estoque: 0
Preço unitário : $ 3,48533
Ficha técnica

Similar


Taiwan Semiconductor Corporation
Em estoque: 2.484
Preço unitário : $ 16,41000

Similar


Taiwan Semiconductor Corporation
Em estoque: 300
Preço unitário : $ 15,53000
Ficha técnica

Similar


Taiwan Semiconductor Corporation
Em estoque: 295
Preço unitário : $ 12,26000
Ficha técnica
Canal N 600 V 70A (Tc) 520W (Tc) Furo passante TO-247AD
A imagem mostrada é apenas uma representação. As especificações exatas devem ser obtidas da ficha técnica do produto.

SIHW70N60EF-GE3

Número de produto da DigiKey
SIHW70N60EF-GE3-ND
Fabricante
Número de produto do fabricante
SIHW70N60EF-GE3
Descrição
MOSFET N-CH 600V 70A TO247AD
Tempo de espera previsto do fabricante
15 semanas
Referência do cliente
Descrição detalhada
Canal N 600 V 70A (Tc) 520W (Tc) Furo passante TO-247AD
Ficha técnica
 Ficha técnica
Modelos EDA / CAD
SIHW70N60EF-GE3 Modelos
Atributos de produto
Filtrar produtos similares
Mostrar atributos vazios
Categoria
Vgs(th) (máx.) para Id
4V a 250µA
Fabricante
Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs
380 nC @ 10 V
Embalagem
Tubo
Vgs (máx.)
±30V
Part Status
Ativo
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds
7500 pF @ 100 V
Tipo de FET
Dissipação de potência (máx.)
520W (Tc)
Tecnologia
Temperatura de operação
-55°C a 150°C (TJ)
Tensão dreno-fonte (Vdss)
600 V
Tipo de montagem
Furo passante
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C
Invólucro do dispositivo fornecido
TO-247AD
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Pacote / Invólucro
Rds on (máx.) para Id, Vgs
38mOhm a 35A, 10V
Número base de produto
Classificação de exportação e ambiental
Perguntas e respostas sobre o produto
Recursos adicionais
Substitutos (13)
Número de peçaFabricante QUANTIDADE DISPONÍVELNúmero de produto da DigiKey Preço unitário Tipo de substituto
SIHG70N60EF-GE3Vishay Siliconix270742-SIHG70N60EF-GE3-ND$ 15,16000Equivalente paramétrico
FCH041N60Eonsemi731FCH041N60E-ND$ 14,48000Similar
FCH041N65EF-F155onsemi358FCH041N65EF-F155OS-ND$ 16,05000Similar
IPW60R040C7XKSA1Infineon Technologies1.502448-IPW60R040C7XKSA1-ND$ 12,09000Similar
IPW60R045CPAFKSA1Infineon Technologies588448-IPW60R045CPAFKSA1-ND$ 18,00000Similar
Disponível para pedido
Verifique o tempo de espera
Este produto não é mantido em estoque na DigiKey. O tempo de espera mostrado se refere a remessa do fabricante até a DigiKey. Após receber o produto, a DigiKey o enviará para atender aos pedidos em aberto.
Todos os preços estão em USD
Tubo
Quantidade Preço unitário Preço total
480$ 8,37606$ 4.020,51
Observação: devido aos serviços de valor agregado da DigiKey, o tipo de embalagem pode alterar se o produto for adquirido em quantidades inferiores ao pacote padrão.