Equivalente paramétrico
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IPW65R041CFDFKSA1 | |
|---|---|
Número de produto da DigiKey | 448-IPW65R041CFDFKSA1-ND |
Fabricante | |
Número de produto do fabricante | IPW65R041CFDFKSA1 |
Descrição | MOSFET N-CH 650V 68.5A TO247-3 |
Referência do cliente | |
Descrição detalhada | Canal N 650 V 68,5A (Tc) 500W (Tc) Furo passante PG-TO247-3-1 |
Ficha técnica | Ficha técnica |
Categoria | Vgs(th) (máx.) para Id 4,5V a 3,3mA |
Fabricante | Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs 300 nC @ 10 V |
Séries | Vgs (máx.) ±20V |
Embalagem Tubo | Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds 8400 pF @ 100 V |
Part Status Obsoleto | Dissipação de potência (máx.) 500W (Tc) |
Tipo de FET | Temperatura de operação -55°C a 150°C (TJ) |
Tecnologia | Tipo de montagem Furo passante |
Tensão dreno-fonte (Vdss) 650 V | Invólucro do dispositivo fornecido PG-TO247-3-1 |
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C | Pacote / Invólucro |
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V | Número base de produto |
Rds on (máx.) para Id, Vgs 41mOhm a 33,1A, 10V |
| Número de peça | Fabricante | QUANTIDADE DISPONÍVEL | Número de produto da DigiKey | Preço unitário | Tipo de substituto |
|---|---|---|---|---|---|
| IPW65R041CFDFKSA2 | Infineon Technologies | 116 | IPW65R041CFDFKSA2-ND | $ 13,09000 | Equivalente paramétrico |
| FCH041N65F-F085 | onsemi | 282 | FCH041N65F-F085-ND | $ 15,66000 | Similar |
| SIHG70N60AEF-GE3 | Vishay Siliconix | 35 | 742-SIHG70N60AEF-GE3-ND | $ 13,64000 | Similar |
| STW69N65M5 | STMicroelectronics | 461 | 497-12987-5-ND | $ 13,65000 | Similar |
| STW72N60DM2AG | STMicroelectronics | 376 | 497-16130-5-ND | $ 9,16000 | Similar |








