SIHP24N65E-GE3 está fora de estoque e pode ser colocado na pendência de pedidos.
Substitutos disponíveis:

Equivalente paramétrico


Vishay Siliconix
Em estoque: 0
Preço unitário : $ 6,88000
Ficha técnica

Similar


Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Em estoque: 3.057
Preço unitário : $ 5,67000
Ficha técnica

Similar


onsemi
Em estoque: 765
Preço unitário : $ 7,61000
Ficha técnica

Similar


onsemi
Em estoque: 776
Preço unitário : $ 6,41000
Ficha técnica

Similar


onsemi
Em estoque: 0
Preço unitário : $ 0,00000
Ficha técnica

Similar


Infineon Technologies
Em estoque: 499
Preço unitário : $ 5,30000
Ficha técnica

Similar


Infineon Technologies
Em estoque: 257
Preço unitário : $ 5,87000
Ficha técnica

Similar


Infineon Technologies
Em estoque: 37
Preço unitário : $ 4,25000
Ficha técnica

Similar


Infineon Technologies
Em estoque: 0
Preço unitário : $ 8,45000
Ficha técnica

Similar


Infineon Technologies
Em estoque: 257
Preço unitário : $ 6,40000
Ficha técnica

Similar


Infineon Technologies
Em estoque: 0
Preço unitário : $ 0,00000
Ficha técnica

Similar


IXYS
Em estoque: 0
Preço unitário : $ 2,77400
Ficha técnica

Similar


Infineon Technologies
Em estoque: 5
Preço unitário : $ 6,30000
Ficha técnica

Similar


STMicroelectronics
Em estoque: 0
Preço unitário : $ 5,57000
Ficha técnica
Canal N 650 V 24A (Tc) 250W (Tc) Furo passante TO-220AB
A imagem mostrada é apenas uma representação. As especificações exatas devem ser obtidas da ficha técnica do produto.

SIHP24N65E-GE3

Número de produto da DigiKey
SIHP24N65E-GE3-ND
Fabricante
Número de produto do fabricante
SIHP24N65E-GE3
Descrição
MOSFET N-CH 650V 24A TO220AB
Tempo de espera previsto do fabricante
22 semanas
Referência do cliente
Descrição detalhada
Canal N 650 V 24A (Tc) 250W (Tc) Furo passante TO-220AB
Ficha técnica
 Ficha técnica
Modelos EDA / CAD
SIHP24N65E-GE3 Modelos
Atributos de produto
Filtrar produtos similares
Mostrar atributos vazios
Categoria
Vgs(th) (máx.) para Id
4V a 250µA
Fabricante
Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs
122 nC @ 10 V
Embalagem
Tubo
Vgs (máx.)
±30V
Part Status
Ativo
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds
2740 pF @ 100 V
Tipo de FET
Dissipação de potência (máx.)
250W (Tc)
Tecnologia
Temperatura de operação
-55°C a 150°C (TJ)
Tensão dreno-fonte (Vdss)
650 V
Tipo de montagem
Furo passante
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C
Invólucro do dispositivo fornecido
TO-220AB
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Pacote / Invólucro
Rds on (máx.) para Id, Vgs
145mOhm a 12A, 10V
Número base de produto
Classificação de exportação e ambiental
Perguntas e respostas sobre o produto
Recursos adicionais
Substitutos (22)
Número de peçaFabricante QUANTIDADE DISPONÍVELNúmero de produto da DigiKey Preço unitário Tipo de substituto
SIHP24N65E-E3Vishay Siliconix0SIHP24N65E-E3-ND$ 6,88000Equivalente paramétrico
AOT27S60LAlpha & Omega Semiconductor Inc.3.057785-1252-5-ND$ 5,67000Similar
FCP110N65Fonsemi765FCP110N65FOS-ND$ 7,61000Similar
FCP150N65Fonsemi776FCP150N65FOS-ND$ 6,41000Similar
FCP22N60Nonsemi0FCP22N60N-ND$ 0,00000Similar
Em estoque: 0
Verifique o tempo de espera
Solicitar notificação de estoque
Todos os preços estão em USD
Tubo
Quantidade Preço unitário Preço total
1$ 6,88000$ 6,88
10$ 4,62200$ 46,22
100$ 3,34500$ 334,50
500$ 2,80078$ 1.400,39
1.000$ 2,62609$ 2.626,09
2.000$ 2,56250$ 5.125,00
Embalagem padrão do fabricante
Observação: devido aos serviços de valor agregado da DigiKey, o tipo de embalagem pode alterar se o produto for adquirido em quantidades inferiores ao pacote padrão.