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IPP65R110CFDAAKSA1 | |
|---|---|
Número de produto da DigiKey | 448-IPP65R110CFDAAKSA1-ND |
Fabricante | |
Número de produto do fabricante | IPP65R110CFDAAKSA1 |
Descrição | MOSFET N-CH 650V 31.2A TO220-3 |
Tempo de espera previsto do fabricante | 22 semanas |
Referência do cliente | |
Descrição detalhada | Canal N 650 V 31,2A (Tc) 277,8W (Tc) Furo passante PG-TO220-3 |
Ficha técnica | Ficha técnica |
Modelos EDA / CAD | IPP65R110CFDAAKSA1 Modelos |
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Categoria | Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs 118 nC @ 10 V |
Fabricante | Vgs (máx.) ±20V |
Séries | Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds 3240 pF @ 100 V |
Embalagem Tubo | Dissipação de potência (máx.) 277,8W (Tc) |
Part Status Ativo | Temperatura de operação -40°C a 150°C (TJ) |
Tipo de FET | Grau Automotivo |
Tecnologia | Qualificação AEC-Q101 |
Tensão dreno-fonte (Vdss) 650 V | Tipo de montagem Furo passante |
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C | Invólucro do dispositivo fornecido PG-TO220-3 |
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V | Pacote / Invólucro |
Rds on (máx.) para Id, Vgs 110mOhm a 12,7A, 10V | Número base de produto |
Vgs(th) (máx.) para Id 4,5V a 1,3mA |
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Substitutos (6)
| Número de peça | Fabricante | QUANTIDADE DISPONÍVEL | Número de produto da DigiKey | Preço unitário | Tipo de substituto |
|---|---|---|---|---|---|
| AOT42S60L | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | 3.045 | 785-1515-5-ND | $ 7,84000 | Similar |
| FCP125N65S3 | onsemi | 2.265 | 488-FCP125N65S3-ND | $ 5,57000 | Similar |
| IXTP32N65X | IXYS | 0 | IXTP32N65X-ND | $ 5,25720 | Similar |
| SIHP30N60E-E3 | Vishay Siliconix | 0 | 742-SIHP30N60E-E3-ND | $ 3,31100 | Similar |
| TK25E60X5,S1X | Toshiba Semiconductor and Storage | 90 | 264-TK25E60X5,S1X-ND | $ 6,88000 | Similar |
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Quantidade
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Tubo
| Quantidade | Preço unitário | Preço total |
|---|---|---|
| 1 | $ 8,73000 | $ 8,73 |
| 50 | $ 4,67900 | $ 233,95 |
| 100 | $ 4,28810 | $ 428,81 |
| 500 | $ 3,60370 | $ 1.801,85 |
| 1.000 | $ 3,38404 | $ 3.384,04 |
| 2.000 | $ 3,19952 | $ 6.399,04 |
