Name: IPP65R110CFDAAKSA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IPP65R110CFDAAKSA1-ND
Price: 7.23 USD
Availability: OutOfStock

IPP65R110CFDAAKSA1
Número de produto da DigiKey	448-IPP65R110CFDAAKSA1-ND
Fabricante	Infineon Technologies
Número de produto do fabricante	IPP65R110CFDAAKSA1
Descrição	MOSFET N-CH 650V 31.2A TO220-3
Tempo de espera previsto do fabricante	25 semanas
Referência do cliente
Descrição detalhada	Canal N 650 V 31,2A (Tc) 277,8W (Tc) Furo passante PG-TO220-3
Ficha técnica	Ficha técnica
Modelos EDA / CAD	IPP65R110CFDAAKSA1 Modelos

Tipo	Descrição	Selecionar tudo
Categoria	Produtos semicondutores discretos Transistores FETs, MOSFETs FET simples, MOSFETs
Fabricante	Infineon Technologies
Séries	CoolMOS™
Embalagem	Tubo
Part Status	Ativo
Tipo de FET	Canal N
Tecnologia	MOSFET (óxido metálico)
Tensão dreno-fonte (Vdss)	650 V
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C	31,2A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds on (máx.) para Id, Vgs	110mOhm a 12,7A, 10V
Vgs(th) (máx.) para Id	4,5V a 1,3mA
Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs	118 nC @ 10 V
Vgs (máx.)	±20V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds	3240 pF @ 100 V
Característica FET	-
Dissipação de potência (máx.)	277,8W (Tc)
Temperatura de operação	-40°C a 150°C (TJ)
Grau	Automotivo
Qualificação	AEC-Q101
Tipo de montagem	Furo passante
Invólucro do dispositivo fornecido	PG-TO220-3
Pacote / Invólucro	TO-220-3
Número base de produto	IPP65R110

IPP65R110CFDAAKSA1