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SIHP18N60E-GE3 | |
|---|---|
Número de produto da DigiKey | SIHP18N60E-GE3-ND |
Fabricante | |
Número de produto do fabricante | SIHP18N60E-GE3 |
Descrição | MOSFET N-CH 600V 18A TO220AB |
Tempo de espera previsto do fabricante | 22 semanas |
Referência do cliente | |
Descrição detalhada | Canal N 600 V 18A (Tc) 179W (Tc) Furo passante TO-220AB |
Ficha técnica | Ficha técnica |
Modelos EDA / CAD | SIHP18N60E-GE3 Modelos |
Categoria | Vgs(th) (máx.) para Id 4V a 250µA |
Fabricante | Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs 92 nC @ 10 V |
Embalagem Tubo | Vgs (máx.) ±30V |
Part Status Ativo | Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds 1640 pF @ 100 V |
Tipo de FET | Dissipação de potência (máx.) 179W (Tc) |
Tecnologia | Temperatura de operação -55°C a 150°C (TJ) |
Tensão dreno-fonte (Vdss) 600 V | Tipo de montagem Furo passante |
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C | Invólucro do dispositivo fornecido TO-220AB |
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V | Pacote / Invólucro |
Rds on (máx.) para Id, Vgs 202mOhm a 9A, 10V | Número base de produto |
| Número de peça | Fabricante | QUANTIDADE DISPONÍVEL | Número de produto da DigiKey | Preço unitário | Tipo de substituto |
|---|---|---|---|---|---|
| TK17E65W,S1X | Toshiba Semiconductor and Storage | 23 | TK17E65WS1X-ND | $ 5,18000 | Direct |
| AOT25S65L | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | 0 | 785-1514-5-ND | $ 2,62108 | Similar |
| IPP60R180C7XKSA1 | Infineon Technologies | 37 | IPP60R180C7XKSA1-ND | $ 4,25000 | Similar |
| IPP65R190E6XKSA1 | Rochester Electronics, LLC | 56.890 | 2156-IPP65R190E6XKSA1-ND | $ 2,14000 | Similar |
| SPP20N60S5XKSA1 | Infineon Technologies | 1.477 | 448-SPP20N60S5XKSA1-ND | $ 6,07000 | Similar |
| Quantidade | Preço unitário | Preço total |
|---|---|---|
| 1.000 | $ 1,72480 | $ 1.724,80 |






