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Substitutos disponíveis:

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Canal N 600 V 18A (Tc) 179W (Tc) Furo passante TO-220AB
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SIHP18N60E-GE3

Número de produto da DigiKey
SIHP18N60E-GE3-ND
Fabricante
Número de produto do fabricante
SIHP18N60E-GE3
Descrição
MOSFET N-CH 600V 18A TO220AB
Tempo de espera previsto do fabricante
22 semanas
Referência do cliente
Descrição detalhada
Canal N 600 V 18A (Tc) 179W (Tc) Furo passante TO-220AB
Ficha técnica
 Ficha técnica
Modelos EDA / CAD
SIHP18N60E-GE3 Modelos
Atributos de produto
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Categoria
Vgs(th) (máx.) para Id
4V a 250µA
Fabricante
Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs
92 nC @ 10 V
Embalagem
Tubo
Vgs (máx.)
±30V
Part Status
Ativo
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds
1640 pF @ 100 V
Tipo de FET
Dissipação de potência (máx.)
179W (Tc)
Tecnologia
Temperatura de operação
-55°C a 150°C (TJ)
Tensão dreno-fonte (Vdss)
600 V
Tipo de montagem
Furo passante
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C
Invólucro do dispositivo fornecido
TO-220AB
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Pacote / Invólucro
Rds on (máx.) para Id, Vgs
202mOhm a 9A, 10V
Número base de produto
Classificação de exportação e ambiental
Perguntas e respostas sobre o produto
Recursos adicionais
Substitutos (6)
Número de peçaFabricante QUANTIDADE DISPONÍVELNúmero de produto da DigiKey Preço unitário Tipo de substituto
TK17E65W,S1XToshiba Semiconductor and Storage23TK17E65WS1X-ND$ 5,18000Direct
AOT25S65LAlpha & Omega Semiconductor Inc.0785-1514-5-ND$ 2,62108Similar
IPP60R180C7XKSA1Infineon Technologies37IPP60R180C7XKSA1-ND$ 4,25000Similar
IPP65R190E6XKSA1Rochester Electronics, LLC56.8902156-IPP65R190E6XKSA1-ND$ 2,14000Similar
SPP20N60S5XKSA1Infineon Technologies1.477448-SPP20N60S5XKSA1-ND$ 6,07000Similar
Disponível para pedido
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Todos os preços estão em USD
Tubo
Quantidade Preço unitário Preço total
1.000$ 1,72480$ 1.724,80
Embalagem padrão do fabricante
Observação: devido aos serviços de valor agregado da DigiKey, o tipo de embalagem pode alterar se o produto for adquirido em quantidades inferiores ao pacote padrão.