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SIHB22N65E-GE3 | |
|---|---|
Número de produto da DigiKey | SIHB22N65E-GE3-ND |
Fabricante | |
Número de produto do fabricante | SIHB22N65E-GE3 |
Descrição | MOSFET N-CH 650V 22A D2PAK |
Tempo de espera previsto do fabricante | 22 semanas |
Referência do cliente | |
Descrição detalhada | Canal N 650 V 22A (Tc) 227W (Tc) Montagem em superfície TO-263 (D2PAK) |
Ficha técnica | Ficha técnica |
Modelos EDA / CAD | SIHB22N65E-GE3 Modelos |
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Categoria | Vgs(th) (máx.) para Id 4V a 250µA |
Fabricante | Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs 110 nC @ 10 V |
Embalagem Tubo | Vgs (máx.) ±30V |
Part Status Ativo | Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds 2415 pF @ 100 V |
Tipo de FET | Dissipação de potência (máx.) 227W (Tc) |
Tecnologia | Temperatura de operação -55°C a 150°C (TJ) |
Tensão dreno-fonte (Vdss) 650 V | Tipo de montagem Montagem em superfície |
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C | Invólucro do dispositivo fornecido TO-263 (D2PAK) |
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V | Pacote / Invólucro |
Rds on (máx.) para Id, Vgs 180mOhm a 11A, 10V | Número base de produto |
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Substitutos (12)
| Número de peça | Fabricante | QUANTIDADE DISPONÍVEL | Número de produto da DigiKey | Preço unitário | Tipo de substituto |
|---|---|---|---|---|---|
| FCB20N60FTM | onsemi | 1.695 | FCB20N60FTMCT-ND | $ 7,02000 | Direct |
| FCB199N65S3 | onsemi | 578 | 488-FCB199N65S3CT-ND | $ 5,16000 | Similar |
| IPB60R160C6ATMA1 | Infineon Technologies | 1.092 | IPB60R160C6ATMA1CT-ND | $ 5,17000 | Similar |
| IPB60R190C6ATMA1 | Infineon Technologies | 10.460 | IPB60R190C6ATMA1CT-ND | $ 4,78000 | Similar |
| IXFA22N65X2 | IXYS | 4.207 | 238-IXFA22N65X2-ND | $ 7,82000 | Similar |
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Quantidade
Todos os preços estão em USD
Tubo
| Quantidade | Preço unitário | Preço total |
|---|---|---|
| 1.000 | $ 2,66420 | $ 2.664,20 |
