Name: FCB199N65S3
Brand: onsemi
SKU: 488-FCB199N65S3TR-ND
Price: 4.82 USD
Availability: InStock

A imagem mostrada é apenas uma representação. As especificações exatas devem ser obtidas da ficha técnica do produto.

FCB199N65S3
Número de produto da DigiKey	488-FCB199N65S3TR-ND - Fita e carretel (TR) 488-FCB199N65S3CT-ND - Fita cortada (CT) 488-FCB199N65S3DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	onsemi
Número de produto do fabricante	FCB199N65S3
Descrição	MOSFET N-CH 650V 14A D2PAK
Tempo de espera previsto do fabricante	17 semanas
Referência do cliente
Descrição detalhada	Canal N 650 V 14A (Tc) 98W (Tc) Montagem em superfície TO-263 (D2PAK)
Ficha técnica	Ficha técnica
Modelos EDA / CAD	FCB199N65S3 Modelos

Atributos de produto

Tipo	Descrição	Selecionar tudo
Categoria	Produtos semicondutores discretos Transistores FETs, MOSFETs FET simples, MOSFETs
Fabricante	onsemi
Séries	SuperFET® III
Embalagem	Fita e carretel (TR) Fita cortada (CT) Digi-Reel®
Part Status	Ativo
Tipo de FET	Canal N
Tecnologia	MOSFET (óxido metálico)
Tensão dreno-fonte (Vdss)	650 V
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C	14A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds on (máx.) para Id, Vgs	199mOhm a 7A, 10V
Vgs(th) (máx.) para Id	4,5V a 1,4mA
Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs	30 nC @ 10 V
Vgs (máx.)	±30V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds	1225 pF @ 400 V
Característica FET	-
Dissipação de potência (máx.)	98W (Tc)
Temperatura de operação	-55°C a 150°C (TJ)
Grau	-
Qualificação	-
Tipo de montagem	Montagem em superfície
Invólucro do dispositivo fornecido	TO-263 (D2PAK)
Pacote / Invólucro	TO-263-3, D2PAK (2 condutores + aba), TO-263AB
Número base de produto	FCB199